খবর

সিলিকন কার্বাইড ব্যবহারের প্রযুক্তিগত বাধাগুলি কী কী?
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৫-২২ তারিখে
প্রথম প্রজন্মের অর্ধপরিবাহী উপকরণগুলি ঐতিহ্যবাহী সিলিকন (Si) এবং জার্মেনিয়াম (Ge) দ্বারা প্রতিনিধিত্ব করা হয়, যা ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তৈরির ভিত্তি। এগুলি কম-ভোল্টেজ, কম-ফ্রিকোয়েন্সি এবং কম-পাওয়ার ট্রানজিস্টর এবং ডিটেক্টরগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। 90% এরও বেশি অর্ধপরিবাহী পণ্য...
আরও পড়ুন
SiC মাইক্রো পাউডার কিভাবে তৈরি হয়?
অ্যাডমিন কর্তৃক 24-05-13 তারিখে
SiC একক স্ফটিক হল একটি গ্রুপ IV-IV যৌগিক অর্ধপরিবাহী উপাদান যা দুটি উপাদান, Si এবং C দ্বারা গঠিত, যার স্টোইকিওমেট্রিক অনুপাতে 1:1। এর কঠোরতা হীরার পরেই দ্বিতীয়। SiC প্রস্তুত করার জন্য সিলিকন অক্সাইড পদ্ধতির কার্বন হ্রাস মূলত নিম্নলিখিত রাসায়নিক বিক্রিয়া সূত্রের উপর ভিত্তি করে তৈরি...
আরও পড়ুন
এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলি কীভাবে অর্ধপরিবাহী ডিভাইসগুলিকে সাহায্য করে?
অ্যাডমিন কর্তৃক 24-05-13 তারিখে
এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার নামের উৎপত্তি প্রথমে, একটি ছোট ধারণা জনপ্রিয় করা যাক: ওয়েফার প্রস্তুতির দুটি প্রধান লিঙ্ক রয়েছে: সাবস্ট্রেট প্রস্তুতি এবং এপিট্যাক্সিয়াল প্রক্রিয়া। সাবস্ট্রেটটি হল সেমিকন্ডাক্টর একক স্ফটিক উপাদান দিয়ে তৈরি একটি ওয়েফার। সাবস্ট্রেটটি সরাসরি ওয়েফার প্রস্তুতকারকে প্রবেশ করতে পারে...
আরও পড়ুন
রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) পাতলা ফিল্ম জমা প্রযুক্তির ভূমিকা
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৫-০৬ তারিখে
রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) হল একটি গুরুত্বপূর্ণ পাতলা ফিল্ম জমা প্রযুক্তি, যা প্রায়শই বিভিন্ন কার্যকরী ফিল্ম এবং পাতলা-স্তর উপকরণ প্রস্তুত করতে ব্যবহৃত হয় এবং সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদন এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। 1. CVD এর কার্যকারী নীতি CVD প্রক্রিয়ায়, একটি গ্যাস পূর্বসূরী (এক বা...
আরও পড়ুন
ফটোভোলটাইক সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের পিছনে "কালো সোনা" রহস্য: আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইটের উপর আকাঙ্ক্ষা এবং নির্ভরতা
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৫-০৬ তারিখে
আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইট ফটোভোলটাইক এবং সেমিকন্ডাক্টরগুলিতে একটি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ উপাদান। দেশীয় আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইট কোম্পানিগুলির দ্রুত উত্থানের সাথে সাথে, চীনে বিদেশী কোম্পানিগুলির একচেটিয়া আধিপত্য ভেঙে গেছে। ক্রমাগত স্বাধীন গবেষণা ও উন্নয়ন এবং প্রযুক্তিগত অগ্রগতির সাথে, ...
আরও পড়ুন
সেমিকন্ডাক্টর সিরামিক উৎপাদনে গ্রাফাইট নৌকার অপরিহার্য বৈশিষ্ট্য উন্মোচন
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৪-২২ তারিখে
গ্রাফাইট নৌকা, যা গ্রাফাইট নৌকা নামেও পরিচিত, সেমিকন্ডাক্টর সিরামিক তৈরির জটিল প্রক্রিয়াগুলিতে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। এই বিশেষায়িত জাহাজগুলি উচ্চ-তাপমাত্রা প্রক্রিয়াকরণের সময় সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারের জন্য নির্ভরযোগ্য বাহক হিসেবে কাজ করে, সুনির্দিষ্ট এবং নিয়ন্ত্রিত প্রক্রিয়াকরণ নিশ্চিত করে। ...
আরও পড়ুন
ফার্নেস টিউব সরঞ্জামের অভ্যন্তরীণ কাঠামো বিস্তারিতভাবে ব্যাখ্যা করা হয়েছে
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৪-২২ তারিখে
উপরে দেখানো হয়েছে, একটি সাধারণ প্রথমার্ধ: ▪ তাপীকরণ উপাদান (তাপীকরণ কয়েল): ফার্নেস টিউবের চারপাশে অবস্থিত, সাধারণত প্রতিরোধের তার দিয়ে তৈরি, যা ফার্নেস টিউবের ভিতরের অংশ গরম করতে ব্যবহৃত হয়। ▪ কোয়ার্টজ টিউব: একটি গরম জারণ চুল্লির মূল অংশ, উচ্চ-বিশুদ্ধতা কোয়ার্টজ দিয়ে তৈরি যা তাপ সহ্য করতে পারে...
আরও পড়ুন
MOSFET ডিভাইসের বৈশিষ্ট্যের উপর SiC সাবস্ট্রেট এবং এপিট্যাক্সিয়াল উপকরণের প্রভাব
অ্যাডমিন কর্তৃক 24-04-16 তারিখে
ত্রিকোণাকার ত্রুটি ত্রিকোণাকার ত্রুটি হল SiC এপিট্যাক্সিয়াল স্তরের সবচেয়ে মারাত্মক রূপগত ত্রুটি। প্রচুর সংখ্যক সাহিত্য প্রতিবেদনে দেখা গেছে যে ত্রিকোণাকার ত্রুটির গঠন 3C স্ফটিকের সাথে সম্পর্কিত। তবে, বিভিন্ন বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার কারণে, অনেকের রূপগতি...
আরও পড়ুন
SiC সিলিকন কার্বাইড একক স্ফটিকের বৃদ্ধি
অ্যাডমিন কর্তৃক 24-04-16 তারিখে
আবিষ্কারের পর থেকে, সিলিকন কার্বাইড ব্যাপক মনোযোগ আকর্ষণ করেছে। সিলিকন কার্বাইড অর্ধেক Si পরমাণু এবং অর্ধেক C পরমাণু দ্বারা গঠিত, যা sp3 হাইব্রিড অরবিটাল ভাগ করে নেওয়া ইলেকট্রন জোড়ার মাধ্যমে সমযোজী বন্ধন দ্বারা সংযুক্ত। এর একক স্ফটিকের মৌলিক কাঠামোগত এককের মধ্যে, চারটি Si পরমাণু হল একটি...
আরও পড়ুন