TaC কোটিং কী?

দ্রুত বিকশিত অর্ধপরিবাহী শিল্পে, কর্মক্ষমতা, স্থায়িত্ব এবং দক্ষতা বৃদ্ধিকারী উপকরণগুলি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। এরকম একটি উদ্ভাবন হল ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) আবরণ, যা গ্রাফাইট উপাদানগুলিতে প্রয়োগ করা একটি অত্যাধুনিক প্রতিরক্ষামূলক স্তর। এই ব্লগটি TaC আবরণের সংজ্ঞা, প্রযুক্তিগত সুবিধা এবং অর্ধপরিবাহী উৎপাদনে এর রূপান্তরমূলক প্রয়োগগুলি অন্বেষণ করে।

TaC আবরণ সহ ওয়েফার সাসসেপ্টর

 

Ⅰ. TaC কোটিং কী?

 

TaC আবরণ হল একটি উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন সিরামিক স্তর যা ট্যানটালাম কার্বাইড (ট্যানটালাম এবং কার্বনের একটি যৌগ) দিয়ে তৈরি যা গ্রাফাইট পৃষ্ঠের উপর জমা হয়। আবরণটি সাধারণত রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) বা ভৌত বাষ্প জমা (PVD) কৌশল ব্যবহার করে প্রয়োগ করা হয়, যা একটি ঘন, অতি-বিশুদ্ধ বাধা তৈরি করে যা গ্রাফাইটকে চরম পরিস্থিতি থেকে রক্ষা করে।

 

TaC আবরণের মূল বৈশিষ্ট্য

 

উচ্চ-তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা: ২২০০°C এর বেশি তাপমাত্রা সহ্য করে, সিলিকন কার্বাইড (SiC) এর মতো ঐতিহ্যবাহী উপকরণকে ছাড়িয়ে যায়, যা ১৬০০°C এর উপরে ক্ষয়প্রাপ্ত হয়।

রাসায়নিক প্রতিরোধ: হাইড্রোজেন (H₂), অ্যামোনিয়া (NH₃), সিলিকন বাষ্প এবং গলিত ধাতু থেকে ক্ষয় প্রতিরোধ করে, যা অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াকরণ পরিবেশের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

অতি-উচ্চ বিশুদ্ধতা: ৫ পিপিএম এর নিচে অপরিষ্কারতার মাত্রা, স্ফটিক বৃদ্ধির প্রক্রিয়ায় দূষণের ঝুঁকি কমিয়ে আনে।

তাপীয় এবং যান্ত্রিক স্থায়িত্ব: গ্রাফাইটের সাথে দৃঢ় আনুগত্য, কম তাপীয় প্রসারণ (6.3×10⁻⁶/K), এবং কঠোরতা (~2000 HK) তাপীয় চক্রের অধীনে দীর্ঘায়ু নিশ্চিত করে।

Ⅱ. সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে TaC আবরণ: মূল প্রয়োগ

 

TaC-আবৃত গ্রাফাইট উপাদানগুলি উন্নত সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে অপরিহার্য, বিশেষ করে সিলিকন কার্বাইড (SiC) এবং গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) ডিভাইসের জন্য। নীচে তাদের গুরুত্বপূর্ণ ব্যবহারের উদাহরণ দেওয়া হল:

 

১. SiC একক স্ফটিক বৃদ্ধি

পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং বৈদ্যুতিক যানবাহনের জন্য SiC ওয়েফারগুলি অত্যাবশ্যক। TaC-কোটেড গ্রাফাইট ক্রুসিবল এবং সাসপেক্টরগুলি ভৌত ​​বাষ্প পরিবহন (PVT) এবং উচ্চ-তাপমাত্রা CVD (HT-CVD) সিস্টেমে ব্যবহৃত হয়:

● দূষণ দমন করা: TaC-এর কম অপরিষ্কারতা (যেমন, বোরন <0.01 ppm বনাম গ্রাফাইটে 1 ppm) SiC স্ফটিকের ত্রুটি হ্রাস করে, ওয়েফার প্রতিরোধ ক্ষমতা উন্নত করে (আবরণবিহীন গ্রাফাইটের জন্য 4.5 ohm-cm বনাম 0.1 ohm-cm)।

● তাপ ব্যবস্থাপনা উন্নত করুন: অভিন্ন নির্গমনশীলতা (১০০০°C তাপমাত্রায় ০.৩) ধারাবাহিক তাপ বিতরণ নিশ্চিত করে, স্ফটিকের গুণমানকে সর্বোত্তম করে তোলে।

 

২. এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি (GaN/SiC)

ধাতব-জৈব সিভিডি (MOCVD) চুল্লিতে, TaC-কোটেড উপাদান যেমন ওয়েফার ক্যারিয়ার এবং ইনজেক্টর:

গ্যাস প্রতিক্রিয়া প্রতিরোধ করুন: ১৪০০°C তাপমাত্রায় অ্যামোনিয়া এবং হাইড্রোজেন দ্বারা খোদাই প্রতিরোধ করে, চুল্লির অখণ্ডতা বজায় রাখে।

ফলন উন্নত করুন: গ্রাফাইট থেকে কণা ঝরে পড়া কমানোর মাধ্যমে, CVD TaC আবরণ এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলিতে ত্রুটি কমিয়ে আনে, যা উচ্চ-কার্যক্ষমতাসম্পন্ন LED এবং RF ডিভাইসের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

 সিভিডি টাক লেপা প্লেট সাসসেপ্টর

3. অন্যান্য সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশন

উচ্চ-তাপমাত্রা চুল্লি: হাইড্রোজেন সমৃদ্ধ পরিবেশে TaC-এর স্থিতিশীলতা থেকে GaN উৎপাদনে সাসসেপ্টর এবং হিটারগুলি উপকৃত হয়।

ওয়েফার হ্যান্ডলিং: রিং এবং ঢাকনার মতো প্রলিপ্ত উপাদানগুলি ওয়েফার স্থানান্তরের সময় ধাতব দূষণ কমায়।

 

Ⅲ. কেন TaC আবরণ বিকল্পগুলির চেয়ে ভালো পারফর্ম করে?

 

প্রচলিত উপকরণের সাথে তুলনা করলে TaC-এর শ্রেষ্ঠত্ব তুলে ধরা হয়:

সম্পত্তি TaC আবরণ SiC আবরণ বেয়ার গ্রাফাইট
সর্বোচ্চ তাপমাত্রা >২২০০°সে. <1600°C ~২০০০°C (অবনতি সহ)
এনএইচ₃ তে খোদাই হার ০.২ µm/ঘন্টা ১.৫ µm/ঘন্টা নিষিদ্ধ
অপরিষ্কারতার মাত্রা <5 পিপিএম উচ্চতর ২৬০ পিপিএম অক্সিজেন
তাপীয় শক প্রতিরোধের চমৎকার মাঝারি দরিদ্র

শিল্প তুলনা থেকে সংগৃহীত তথ্য

 

IV. কেন VET বেছে নেবেন?

 

প্রযুক্তি গবেষণা ও উন্নয়নে অবিরাম বিনিয়োগের পর,ভেটএর ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) লেপা অংশ, যেমনTaC লেপা গ্রাফাইট গাইড রিং, সিভিডি টাক লেপা প্লেট সাসসেপ্টর, এপিট্যাক্সি সরঞ্জামের জন্য TaC কোটেড সাসসেপ্টর,ট্যানটালাম কার্বাইড লেপা ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট উপাদানএবংTaC আবরণ সহ ওয়েফার সাসসেপ্টর, ইউরোপীয় এবং আমেরিকান বাজারে খুবই জনপ্রিয়। VET আন্তরিকভাবে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার জন্য উন্মুখ।

TaC-কোটেড-লোয়ার-হাফমুন-পার্ট


পোস্টের সময়: এপ্রিল-১০-২০২৫
হোয়াটসঅ্যাপ অনলাইন চ্যাট!