সিলিকন কার্বাইড প্রলেপযুক্তগ্রাফাইট ডিস্ক হলো ভৌত বা রাসায়নিক বাষ্প জমা পদ্ধতি এবং স্প্রে করার মাধ্যমে গ্রাফাইটের পৃষ্ঠে সিলিকন কার্বাইডের একটি প্রতিরক্ষামূলক স্তর প্রস্তুত করা। প্রস্তুতকৃত সিলিকন কার্বাইডের প্রতিরক্ষামূলক স্তরটি গ্রাফাইট ম্যাট্রিক্সের সাথে দৃঢ়ভাবে সংযুক্ত হতে পারে, যা গ্রাফাইট ভিত্তির পৃষ্ঠকে ঘন এবং শূন্যস্থানমুক্ত করে তোলে এবং গ্রাফাইট ম্যাট্রিক্সকে বিশেষ বৈশিষ্ট্য প্রদান করে, যার মধ্যে রয়েছে জারণ প্রতিরোধ ক্ষমতা, অ্যাসিড ও ক্ষার প্রতিরোধ ক্ষমতা, ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা, জারা প্রতিরোধ ক্ষমতা ইত্যাদি। বর্তমানে, সিলিকন কার্বাইডের এপিটেক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য গ্যান কোটিং অন্যতম সেরা মূল উপাদান।
সিলিকন কার্বাইড সেমিকন্ডাক্টর হলো নতুন উন্নত ওয়াইড ব্যান্ড গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরের মূল উপাদান। এর ডিভাইসগুলোতে উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ, উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধ, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ ক্ষমতা এবং বিকিরণ প্রতিরোধের বৈশিষ্ট্য রয়েছে। এর দ্রুত সুইচিং গতি এবং উচ্চ দক্ষতার মতো সুবিধাও রয়েছে। এটি পণ্যের বিদ্যুৎ খরচ ব্যাপকভাবে কমাতে, শক্তি রূপান্তর দক্ষতা বাড়াতে এবং পণ্যের আয়তন কমাতে পারে। এটি প্রধানত ৫জি যোগাযোগ, জাতীয় প্রতিরক্ষা এবং সামরিক শিল্পে ব্যবহৃত হয়। মহাকাশ দ্বারা প্রতিনিধিত্ব করা আরএফ ক্ষেত্র এবং নতুন শক্তির যানবাহন ও “নতুন অবকাঠামো” দ্বারা প্রতিনিধিত্ব করা পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স ক্ষেত্রের বেসামরিক ও সামরিক উভয় ক্ষেত্রেই সুস্পষ্ট এবং উল্লেখযোগ্য বাজার সম্ভাবনা রয়েছে।
সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট হলো নবনির্মিত প্রশস্ত ব্যান্ড গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরের মূল উপাদান। সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট প্রধানত মাইক্রোওয়েভ ইলেকট্রনিক্স, পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয়।এটি ওয়াইড ব্যান্ড গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর শিল্প শৃঙ্খলের অগ্রভাগে অবস্থিত এবং এটি একটি অত্যাধুনিক ও মৌলিক মূল উপাদান। সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটকে দুই প্রকারে ভাগ করা যায়: অর্ধ-অন্তরক এবং পরিবাহী। এদের মধ্যে, অর্ধ-অন্তরক সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের রোধাঙ্ক বেশি (রোধাঙ্ক ≥ 10⁵ Ω·cm)। অর্ধ-অন্তরক সাবস্ট্রেটকে হেটেরোজেনাস গ্যালিয়াম নাইট্রাইড এপিট্যাক্সিয়াল শীটের সাথে একত্রিত করে আরএফ (RF) ডিভাইসের উপাদান হিসেবে ব্যবহার করা যেতে পারে, যা প্রধানত ৫জি যোগাযোগ, জাতীয় প্রতিরক্ষা এবং সামরিক শিল্পে ব্যবহৃত হয়; অন্যটি হলো পরিবাহী সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট যার রোধাঙ্ক কম (রোধাঙ্কের পরিসর 15 ~ 30m Ω·cm)। পরিবাহী সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন কার্বাইডের হোমোজেনাস এপিট্যাক্সি পাওয়ার ডিভাইসের উপাদান হিসেবে ব্যবহার করা যেতে পারে। এর প্রধান প্রয়োগক্ষেত্রগুলো হলো বৈদ্যুতিক যানবাহন, পাওয়ার সিস্টেম এবং অন্যান্য ক্ষেত্র।
পোস্ট করার সময়: ২১-ফেব্রুয়ারি-২০২২