Gi-recrystallize nga Silicon Carbide Crystal Boat Para sa Industriya sa Semiconductor

Mga kabtangan sa gi-recrystallize nga silicon carbide

Ang recrystallized silicon carbide (R-SiC) usa ka taas og performance nga materyal nga ang katig-a ikaduha lamang sa diamante, nga maporma sa taas nga temperatura nga labaw sa 2000℃. Gipadayon niini ang daghang maayo kaayong mga kabtangan sa SiC, sama sa kusog sa taas nga temperatura, lig-on nga resistensya sa kaagnasan, maayo kaayong resistensya sa oksihenasyon, maayo nga resistensya sa thermal shock ug uban pa.

● Maayo kaayong mekanikal nga mga kabtangan. Ang recrystallized silicon carbide adunay mas taas nga kusog ug kalig-on kay sa carbon fiber, taas nga resistensya sa impact, makapasundayag og maayo nga performance sa grabeng temperatura nga palibot, makapasundayag og mas maayong counterbalance performance sa lain-laing mga sitwasyon. Dugang pa, kini adunay maayo usab nga pagka-flexible ug dili dali madaot sa pag-inat ug pagduko, nga makapauswag pag-ayo sa performance niini.

● Taas nga resistensya sa taya. Ang recrystallized silicon carbide adunay taas nga resistensya sa taya sa lain-laing media, makapugong sa pagkaguba sa lain-laing media nga taya, makapadayon sa mekanikal nga mga kabtangan niini sa dugay nga panahon, adunay lig-on nga pagdikit, mao nga kini adunay mas taas nga kinabuhi sa serbisyo. Dugang pa, kini adunay maayo nga thermal stability, makapahiangay sa usa ka piho nga range sa mga pagbag-o sa temperatura, ug makapauswag sa epekto sa aplikasyon niini.

● Ang sintering dili mokunhod. Tungod kay ang proseso sa sintering dili mokunhod, walay nahabilin nga stress nga hinungdan sa pagkausab sa porma o pagliki sa produkto, ug ang mga bahin nga adunay komplikado nga mga porma ug taas nga katukma mahimong maandam.