Перекристаллизованный кристаллический материал из карбида кремния для полупроводниковой промышленности.

Свойства рекристаллизованного карбида кремния

Рекристаллизованный карбид кремния (R-SiC) — это высокоэффективный материал, по твердости уступающий только алмазу, который образуется при высокой температуре выше 2000℃. Он сохраняет многие превосходные свойства SiC, такие как высокая термостойкость, высокая коррозионная стойкость, отличная стойкость к окислению, хорошая термостойкость и т.д.

● Превосходные механические свойства. Рекристаллизованный карбид кремния обладает большей прочностью и жесткостью, чем углеродное волокно, высокой ударопрочностью, хорошо работает в условиях экстремальных температур, обеспечивает лучшую балансировку в различных ситуациях. Кроме того, он обладает хорошей гибкостью и не подвержен повреждениям при растяжении и изгибе, что значительно улучшает его характеристики.

● Высокая коррозионная стойкость. Рекристаллизованный карбид кремния обладает высокой коррозионной стойкостью к различным средам, предотвращает эрозию под воздействием различных агрессивных сред, сохраняет свои механические свойства в течение длительного времени, обладает сильной адгезией, что обеспечивает более длительный срок службы. Кроме того, он обладает хорошей термической стабильностью, может адаптироваться к определенному диапазону температурных изменений, что повышает эффективность его применения.

● Спекание не вызывает усадки. Поскольку в процессе спекания не происходит усадки, остаточные напряжения не вызывают деформации или растрескивания изделия, что позволяет изготавливать детали сложной формы и высокой точности.