Nosiče destiček SiC s grafitem, MOCVD a povlakemGrafitové susceptorypro SiC epitaxi,
Uhlík dodává susceptory, Grafitové epitaxní susceptory, Grafitové susceptory, Susceptor MOCVD, Susceptory na destičkách,

CVD-SiC povlak se vyznačuje jednotnou strukturou, kompaktním materiálem, vysokou teplotní odolností, oxidační odolností, vysokou čistotou, odolností vůči kyselinám a zásadám a organickým činidlům se stabilními fyzikálními a chemickými vlastnostmi.

Ve srovnání s vysoce čistými grafitovými materiály začíná grafit oxidovat při 400 °C, což způsobuje ztrátu prášku v důsledku oxidace, což má za následek znečištění periferních zařízení a vakuových komor a zvýšení nečistot ve vysoce čistém prostředí.

Povlak SiC si však může udržet fyzikální a chemickou stabilitu při 1600 stupních, a proto se široce používá v moderním průmyslu, zejména v polovodičovém průmyslu.

Naše společnost poskytuje služby v oblasti povlakování SiC metodou CVD na povrchu grafitu, keramiky a dalších materiálů. Speciální plyny obsahující uhlík a křemík reagují za vysoké teploty za vzniku vysoce čistých molekul SiC. Tyto molekuly se ukládají na povrchu povlakovaných materiálů a vytvářejí ochrannou vrstvu SIC. Vytvořená SIC se pevně váže na grafitový základ, což mu dodává speciální vlastnosti. Povrch grafitu je tak kompaktní, bez poréznosti, odolný vůči vysokým teplotám, korozi a oxidaci.

Aplikace:

Hlavní vlastnosti:

1. Odolnost proti oxidaci za vysokých teplot:

Odolnost proti oxidaci je stále velmi dobrá, i když teplota dosáhne 1700 °C.

2. Vysoká čistota: vyrobeno chemickým nanášením z plynné fáze za podmínek chlorace při vysoké teplotě.

3. Odolnost proti erozi: vysoká tvrdost, kompaktní povrch, jemné částice.

4. Odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.

Hlavní specifikace CVD-SIC povlaků:

Schopnost dodávky:

10 000 kusů/kusů za měsíc
Balení a dodání:
Balení: Standardní a silné balení
Polyetylenový sáček + krabice + karton + paleta
Přístav:
Ningbo/Shenzhen/Šanghaj
Dodací lhůta: