SiC pārklājuma grafīta MOCVD vafeļu nesēji ，Grafīta susceptoriSiC epitaksijai,
Oglekļa piegādā susceptorus, Grafīta epitaksijas susceptori, Grafīta susceptori, MOCVD susceptors, Vafeļu susceptori,

CVD-SiC pārklājumam piemīt vienmērīga struktūra, kompakts materiāls, augsta temperatūras izturība, oksidēšanās izturība, augsta tīrības pakāpe, izturība pret skābēm un sārmiem, organisko reaģentu izturība un stabilas fizikālās un ķīmiskās īpašības.

Salīdzinot ar augstas tīrības pakāpes grafīta materiāliem, grafīts sāk oksidēties 400 °C temperatūrā, kas oksidēšanās dēļ izraisa pulvera zudumu, kā rezultātā perifērijas ierīces un vakuuma kameras tiek piesārņotas, un palielinās augstas tīrības pakāpes vides piemaisījumi.

Tomēr SiC pārklājums var saglabāt fizikālo un ķīmisko stabilitāti 1600 grādos, to plaši izmanto mūsdienu rūpniecībā, īpaši pusvadītāju rūpniecībā.

Mūsu uzņēmums nodrošina SiC pārklāšanas procesa pakalpojumus, izmantojot CVD metodi grafīta, keramikas un citu materiālu virsmām, lai īpašas gāzes, kas satur oglekli un silīciju, reaģētu augstā temperatūrā, iegūstot augstas tīrības pakāpes SiC molekulas, molekulas nogulsnējas uz pārklāto materiālu virsmas, veidojot SIC aizsargslāni. Izveidotais SIC ir stingri saistīts ar grafīta bāzi, piešķirot grafīta bāzei īpašas īpašības, tādējādi padarot grafīta virsmu kompaktu, bez porainības, izturīgu pret augstām temperatūrām, koroziju un oksidēšanos.

Pielietojums:

Galvenās iezīmes:

1. Augstas temperatūras oksidēšanās izturība:

Oksidācijas izturība joprojām ir ļoti laba, ja temperatūra sasniedz pat 1700 °C.

2. Augsta tīrība: iegūta ar ķīmisku tvaiku nogulsnēšanos augstas temperatūras hlorēšanas apstākļos.

3. Izturība pret eroziju: augsta cietība, kompakta virsma, smalkas daļiņas.

4. Korozijas izturība: skābes, sārmi, sāls un organiskie reaģenti.

CVD-SIC pārklājumu galvenās specifikācijas:

Piegādes spēja:

10000 gab./gab. mēnesī
Iepakojums un piegāde:
Iepakojums: standarta un spēcīgs iepakojums
Polietilēna maisiņš + kaste + kartona kārba + palete
Ports:
Ningbo/Šenžeņa/Šanhaja
Izpildes laiks: