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O revestimento CVD-SiC apresenta características como estrutura uniforme, material compacto, alta resistência à temperatura, resistência à oxidação, alta pureza, resistência a ácidos e álcalis e a reagentes orgânicos, além de propriedades físico-químicas estáveis.

Em comparação com materiais de grafite de alta pureza, a grafite começa a oxidar a 400°C, o que causa perda de pó devido à oxidação, resultando em poluição ambiental em dispositivos periféricos e câmaras de vácuo, além de aumentar as impurezas em ambientes de alta pureza.

No entanto, o revestimento de SiC pode manter a estabilidade física e química a 1600 graus, sendo amplamente utilizado na indústria moderna, especialmente na indústria de semicondutores.

Nossa empresa oferece serviços de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais. Nesse processo, gases especiais contendo carbono e silício reagem em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza. Essas moléculas são depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando uma camada protetora de SiC. O SiC formado adere firmemente à base de grafite, conferindo-lhe propriedades especiais, tornando sua superfície compacta, isenta de porosidade, resistente a altas temperaturas, à corrosão e à oxidação.

Aplicativo:

Principais características:

1. Resistência à oxidação em altas temperaturas:

A resistência à oxidação permanece muito boa mesmo quando a temperatura atinge 1700 °C.

2. Alta pureza: fabricado por deposição química de vapor sob condições de cloração em alta temperatura.

3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.

Principais especificações dos revestimentos CVD-SiC:

Capacidade de fornecimento:

10.000 peças por mês
Embalagem e entrega:
Embalagem: Embalagem padrão e resistente
Saco plástico + Caixa + Caixa de papelão + Palete
Porta:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Tempo de espera: