Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento de SiC, susceptores de grafite para epitaxia de SiC

Descrição curta:

 


  • Local de origem:Zhejiang, China (continente)
  • Número do modelo:Barco3004
  • Composição química:Grafite revestido com SiC
  • Resistência à flexão:470 Mpa
  • Condutividade térmica:300 W/mK
  • Qualidade:Perfeito
  • Função:CVD-SiC
  • Aplicativo:Semicondutor/Fotovoltaico
  • Densidade:3,21 g/cc
  • Expansão térmica:4 10-6/K
  • Cinzas: <5 ppm
  • Amostra:Disponível
  • Código SH:6903100000
  • Detalhes do produto

    Etiquetas de produtos

    Portadores de wafer MOCVD de grafite com revestimento de SiC,Susceptores de grafitepara SiC Epitaxia,
    O carbono fornece susceptores, Susceptores de epitaxia de grafite, Susceptores de grafite, Susceptor de MOCVD, Susceptores de wafer,

    Descrição do produto

    O revestimento CVD-SiC tem as características de estrutura uniforme, material compacto, resistência a altas temperaturas, resistência à oxidação, alta pureza, resistência a ácidos e álcalis e reagente orgânico, com propriedades físicas e químicas estáveis.

    Comparado com materiais de grafite de alta pureza, o grafite começa a oxidar a 400 °C, o que causará perda de pó devido à oxidação, resultando em poluição ambiental para dispositivos periféricos e câmaras de vácuo, além de aumentar as impurezas do ambiente de alta pureza.

    No entanto, o revestimento de SiC pode manter a estabilidade física e química a 1600 graus. É amplamente utilizado na indústria moderna, especialmente na indústria de semicondutores.

    Nossa empresa fornece serviços de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais, de modo que gases especiais contendo carbono e silício reajam em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza. Essas moléculas são depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando uma camada protetora de SIC. O SIC formado é firmemente ligado à base de grafite, conferindo a esta propriedades especiais, tornando a superfície de grafite compacta, livre de porosidade, resistente a altas temperaturas, corrosão e oxidação.

    Aplicativo:

    2

    Principais características:

    1. Resistência à oxidação em alta temperatura:

    a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1700 C.

    2. Alta pureza: feito por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.

    3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

    4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.

    Principais especificações dos revestimentos CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Densidade

    (g/cc)

    3.21

    Resistência à flexão

    (Mpa)

    470

    Expansão térmica

    (10-6/K)

    4

    Condutividade térmica

    (W/mK)

    300

    Capacidade de fornecimento:

    10000 peças por mês
    Embalagem e entrega:
    Embalagem: Embalagem padrão e resistente
    Saco plástico + Caixa + Caixa de papelão + Palete
    Porta:
    Ningbo/Shenzhen/Xangai
    Tempo de espera:

    Quantidade (peças) 1 – 1000 >1000
    Tempo estimado (dias) 15 A ser negociado


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