SiC-beschichtete Graphit-MOCVD-WaferträgerGraphit-Suszeptorenfür SiC-Epitaxie,
Kohlenstoff liefert Suszeptoren, Graphit-Epitaxie-Suszeptoren, Graphit-Suszeptoren, MOCVD-Suszeptor, Wafer-Suszeptoren,
Die CVD-SiC-Beschichtung zeichnet sich durch eine gleichmäßige Struktur, ein kompaktes Material, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit, Säure- und Laugenbeständigkeit sowie Beständigkeit gegen organische Reagenzien aus und verfügt über stabile physikalische und chemische Eigenschaften.
Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was wiederum zu einer Umweltverschmutzung der Peripheriegeräte und Vakuumkammern führt und die Verunreinigungen der hochreinen Umgebung erhöht.
Eine SiC-Beschichtung kann jedoch bei 1600 Grad ihre physikalische und chemische Stabilität bewahren. Sie wird in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie, häufig eingesetzt.
Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an. Dabei reagieren spezielle kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hohen Temperaturen zu hochreinen SiC-Molekülen. Diese Moleküle lagern sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ab und bilden eine SIC-Schutzschicht. Das gebildete SIC ist fest mit der Graphitbasis verbunden und verleiht dieser besondere Eigenschaften. Dadurch wird die Graphitoberfläche kompakt, porenfrei, hochtemperaturbeständig, korrosions- und oxidationsbeständig.
Anwendung:
Haupteigenschaften:
1. Hohe Temperaturoxidationsbeständigkeit:
die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1700 °C noch sehr gut.
2. Hohe Reinheit: Hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperaturchlorierungsbedingungen.
3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Lauge, Salz und organische Reagenzien.
Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:
| SiC-CVD | ||
| Dichte | (g/cm³)
| 3.21 |
| Biegefestigkeit | (Mpa)
| 470 |
| Wärmeausdehnung | (10-6/K) | 4
|
| Wärmeleitfähigkeit | (W/mK) | 300 |
Lieferfähigkeit:
10000 Stück/Stücke pro Monat
Verpackung & Lieferung:
Verpackung: Standard- und starke Verpackung
Polybeutel + Box + Karton + Palette
Hafen:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Vorlaufzeit:
| Menge (Stück) | 1 – 1000 | >1000 |
| Geschätzte Zeit (Tage) | 15 | Zu verhandeln |
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