Portadores de obleas MOCVD de grafito con recubrimiento de SiC, susceptores de grafito para epitaxia de SiC

Descripción breve:

 


  • Lugar de origen:Zhejiang, China (continental)
  • Número de modelo:Barco3004
  • Composición química:Grafito recubierto de SiC
  • Resistencia a la flexión:470 MPa
  • Conductividad térmica:300 W/mK
  • Calidad:Perfecto
  • Función:CVD-SiC
  • Solicitud:Semiconductores/Fotovoltaicos
  • Densidad:3,21 g/cc
  • Expansión térmica:4 10-6/K
  • Ceniza: <5 ppm
  • Muestra:Disponible
  • Código HS:6903100000
  • Detalle del producto

    Etiquetas de productos

    Portadores de obleas MOCVD de grafito con revestimiento de SiCSusceptores de grafitopara la epitaxia de SiC,
    El carbono suministra susceptores, Susceptores de epitaxia de grafito, Susceptores de grafito, Susceptor MOCVD, Susceptores de obleas,

    Descripción del Producto

    El recubrimiento CVD-SiC tiene las características de estructura uniforme, material compacto, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la oxidación, alta pureza, resistencia a ácidos y álcalis y reactivo orgánico, con propiedades físicas y químicas estables.

    En comparación con los materiales de grafito de alta pureza, el grafito comienza a oxidarse a 400 °C, lo que provocará una pérdida de polvo debido a la oxidación, lo que generará contaminación ambiental en los dispositivos periféricos y las cámaras de vacío y aumentará las impurezas del entorno de alta pureza.

    Sin embargo, el recubrimiento de SiC puede mantener la estabilidad física y química a 1600 grados y se utiliza ampliamente en la industria moderna, especialmente en la industria de semiconductores.

    Nuestra empresa ofrece servicios de recubrimiento de SiC mediante el método CVD sobre superficies de grafito, cerámica y otros materiales. Esto permite que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionen a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza. Estas moléculas se depositan sobre la superficie de los materiales recubiertos y forman una capa protectora de SIC. El SIC formado se une firmemente a la base de grafito, lo que le confiere propiedades especiales, lo que permite que la superficie del grafito sea compacta, libre de poros y resistente a altas temperaturas, a la corrosión y a la oxidación.

    Solicitud:

    2

    Características principales:

    1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:

    La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1700 C.

    2. Alta pureza: fabricado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.

    3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.

    4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.

    Especificaciones principales de los recubrimientos CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Densidad

    (g/cc)

    3.21

    Resistencia a la flexión

    (Mpa)

    470

    Expansión térmica

    (10-6/K)

    4

    Conductividad térmica

    (W/mK)

    300

    Capacidad de suministro:

    10000 piezas por mes
    Embalaje y entrega:
    Embalaje: embalaje estándar y resistente
    Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Palet
    Puerto:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghái
    Plazo de entrega:

    Cantidad (piezas) 1 – 1000 >1000
    Tiempo estimado (días) 15 A negociar


  • Anterior:
  • Próximo:

  • ¡Chat en línea de WhatsApp!