SiC bevonatú grafit MOCVD ostyahordozók,Grafit szuszceptorokSiC epitaxiához,
A szén szuszceptorokat szállít, Grafit epitaxiás szuszceptorok, Grafit szuszceptorok, MOCVD szuszceptor, Ostya szuszceptorok,

A CVD-SiC bevonat egyenletes szerkezettel, kompakt anyaggal, magas hőmérséklettel, oxidációval szembeni ellenállással, nagy tisztasággal, sav- és lúgállósággal, szerves reagensekkel szembeni ellenállással, stabil fizikai és kémiai tulajdonságokkal rendelkezik.

A nagy tisztaságú grafit anyagokkal összehasonlítva a grafit 400°C-on oxidálódni kezd, ami az oxidáció miatt porveszteséget okoz, ami környezetszennyezést okoz a perifériás eszközökben és a vákuumkamrákban, és növeli a nagy tisztaságú környezet szennyeződéseit.

A SiC bevonat azonban 1600 fokon is képes fizikai és kémiai stabilitást fenntartani, ezért széles körben használják a modern iparban, különösen a félvezetőiparban.

Cégünk CVD módszerrel végez SiC bevonatolási eljárást grafit, kerámiák és egyéb anyagok felületén, melynek során speciális, szenet és szilíciumot tartalmazó gázok magas hőmérsékleten reagálva nagy tisztaságú SiC molekulákat hoznak létre, amelyek a bevont anyagok felületére rakódnak le, SIC védőréteget képezve. A képződött SIC szilárdan kötődik a grafit alaphoz, különleges tulajdonságokat kölcsönözve a grafit alapnak, így a grafit felülete tömör, porozitásmentes, magas hőmérsékletnek ellenálló, korrózióálló és oxidációálló.

Alkalmazás:

Főbb jellemzők:

1. Magas hőmérsékletű oxidációs ellenállás:

Az oxidációs ellenállás még 1700 °C hőmérsékleten is nagyon jó.

2. Nagy tisztaságú: kémiai gőzfázisú leválasztással, magas hőmérsékletű klórozási körülmények között állítják elő.

3. Erózióállóság: nagy keménység, tömör felület, finom részecskék.

4. Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.

A CVD-SIC bevonatok főbb jellemzői:

Ellátási képesség:

10000 darab/darab havonta
Csomagolás és szállítás:
Csomagolás: Standard és erős csomagolás
Poliészter zsák + doboz + karton + raklap
Kikötő:
Ningbo/Shenzhen/Sanghaj
Átfutási idő: