LeRevêtement en carbure de silicium Feuille épitaxialeEssayer Utilisé dansÉquipement de four épitaxialFabriqué en Chine par Vet Energy, l'un des fabricants et fournisseurs chinois. Achetez des plateaux en feuilles épitaxiales revêtues de carbure de silicium d'occasion en ChineÉquipement de four épitaxialÀ prix avantageux directement de notre usine. Nous proposons nos propres marques et acceptons également les commandes en gros. Si nos produits vous intéressent, nous vous ferons une offre exceptionnelle. Profitez dès maintenant de nos produits de qualité supérieure à prix réduits.
Notre société propose des services de revêtement SiC par la méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules de SiC de haute pureté, ces molécules se déposant sur la surface des matériaux revêtus, formant une couche protectrice de SiC.
Caractéristiques principales :
1. Résistance à l'oxydation à haute température :
La résistance à l'oxydation reste très bonne même à des températures atteignant 1600 °C.
2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.
3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.
4. Résistance à la corrosion : acides, bases, sels et réactifs organiques.
Principales spécifications du revêtement CVD-SIC :
| Propriétés du SiC-CVD | ||
| Structure cristalline | Phase β de la structure cubique à faces centrées (CFC) | |
| Densité | g/cm³ | 3.21 |
| Dureté | Dureté Vickers | 2500 |
| Taille des grains | μm | 2~10 |
| Pureté chimique | % | 99,99995 |
| Capacité thermique | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Température de sublimation | ℃ | 2700 |
| Force flexurale | MPa (RT 4 points) | 415 |
| Module de Young | GPA (pliure à 4 points, 1300℃) | 430 |
| Dilatation thermique (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| conductivité thermique | (W/mK) | 300 |
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