Plateau de feuille épitaxiale en carbure de silicium pour four épitaxial de semi-conducteurs

Brève description :

Le plateau de feuilles épitaxiales en carbure de silicium VET Energy est un produit hautes performances conçu pour offrir des performances constantes et fiables sur une longue période. Il présente une excellente résistance à la chaleur et une excellente uniformité thermique, une grande pureté et une résistance à l'érosion, ce qui en fait la solution idéale pour les applications de traitement de plaquettes.

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Détails du produit

Étiquettes de produit

Le plateau en carbure de silicium est un composant essentiel utilisé dans divers procédés de fabrication de semi-conducteurs. Grâce à notre technologie brevetée, nous produisons ce plateau en carbure de silicium d'une pureté extrêmement élevée, d'une excellente uniformité de revêtement et d'une excellente durée de vie, ainsi que d'une résistance chimique et d'une stabilité thermique élevées.

VET Energy est un fabricant de produits sur mesure en graphite et carbure de silicium avec différents revêtements (SiC, Tac, carbone pyrolytique, carbone vitreux, etc.). Il peut fournir diverses pièces sur mesure pour les industries des semi-conducteurs et du photovoltaïque. Notre équipe technique, issue des meilleurs instituts de recherche nationaux, peut vous proposer des solutions de matériaux plus professionnelles.

Nous développons continuellement des procédés avancés pour fournir des matériaux plus avancés et avons mis au point une technologie brevetée exclusive, qui peut rendre la liaison entre le revêtement et le substrat plus étroite et moins sujette au détachement.

Caractéristiques de nos produits :

1. Résistance à l'oxydation à haute température jusqu'à 1700℃.
2. Haute pureté et uniformité thermique
3. Excellente résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
4. Dureté élevée, surface compacte, particules fines.
5. Durée de vie plus longue et plus durable

maladies cardiovasculaires SiC薄膜基本物理性能 Propriétés physiques de base du SiC CVDrevêtement
性质 / Propriété	典型数值 / Valeur typique
晶体结构 / Structure cristalline	Phase β du FCC多晶，主要为（111)
密度 / Densité	3,21 g/cm³
硬度 / Dureté	2 500 维氏硬度 (charge de 500 g)
晶粒大小 / Granulométrie	2 à 10 μm
纯度 / Pureté chimique	99,99995%
热容 / Capacité thermique	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Température de sublimation	2700℃
抗弯强度 / Résistance à la flexion	415 MPa RT 4 points
杨氏模量 / Module de Young	430 Gpa 4pt courbé, 1300℃
导热系数 / ThermalConductivité	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Dilatation thermique (CTE)	4,5 × 10^-6K^-1