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Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hohen Temperaturen reagieren und hochreine SiC-Moleküle entstehen, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern und eine SIC-Schutzschicht bilden.
Haupteigenschaften:
1. Hohe Temperaturoxidationsbeständigkeit:
die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.
2. Hohe Reinheit: Hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperaturchlorierungsbedingungen.
3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Lauge, Salz und organische Reagenzien.
Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung:
| SiC-CVD-Eigenschaften | ||
| Kristallstruktur | FCC-β-Phase | |
| Dichte | g/cm³ | 3.21 |
| Härte | Vickershärte | 2500 |
| Körnung | μm | 2 bis 10 |
| Chemische Reinheit | % | 99,99995 |
| Wärmekapazität | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Sublimationstemperatur | ℃ | 2700 |
| Flexurale Festigkeit | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
| Elastizitätsmodul | Gpa (4pt-Biegung, 1300℃) | 430 |
| Wärmeausdehnung (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Wärmeleitfähigkeit | (W/mK) | 300 |
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