Siliziumkarbidbeschichtete Epitaxialblechwanne zur Verwendung in Epitaxialofenanlagen

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Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an. Dabei reagieren spezielle, kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hoher Temperatur, um hochreine SiC-Moleküle zu gewinnen. Diese Moleküle lagern sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ab und bilden eine schützende SiC-Schicht.

Hauptmerkmale:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.

Hauptspezifikationen der CVD-SiC-Beschichtung:

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