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당사는 CVD 방식을 이용하여 흑연, 세라믹 및 기타 재료 표면에 SiC 코팅 공정 서비스를 제공합니다. 이 방식은 탄소와 실리콘을 함유한 특수 가스가 고온에서 반응하여 고순도 SiC 분자를 생성하고, 이 분자가 코팅 재료 표면에 증착되어 SiC 보호층을 형성하는 것입니다.
주요 특징:
1. 고온 산화 저항성:
산화 저항성은 섭씨 1600도에 달하는 고온에서도 여전히 매우 우수합니다.
2. 고순도: 고온 염소화 조건에서 화학 기상 증착법으로 제조.
3. 내식성: 높은 경도, 치밀한 표면, 미세 입자.
4. 내식성: 산, 알칼리, 염 및 유기 시약에 대한 내성.
CVD-SIC 코팅의 주요 사양:
| SiC-CVD 특성 | ||
| 결정 구조 | FCC β상 | |
| 밀도 | g/cm³ | 3.21 |
| 경도 | 비커스 경도 | 2500 |
| 입자 크기 | μm | 2~10 |
| 화학적 순도 | % | 99.99995 |
| 열용량 | J·kg-1·케이-1 | 640 |
| 승화 온도 | ℃ | 2700 |
| 굴곡 강도 | MPa (RT 4점) | 415 |
| 영률 | GPA (4점 굽힘, 1300℃) | 430 |
| 열팽창(CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| 열전도율 | (와트/밀리켈빈) | 300 |
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