Bandeja de láminas epitaxiales recubiertas de carburo de silicio para hornos epitaxiales.

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Nuestra empresa brinda servicios de proceso de recubrimiento de SiC mediante el método CVD sobre la superficie de grafito, cerámica y otros materiales, de manera que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionen a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas sobre la superficie de los materiales recubiertos, formando una capa protectora de SIC.

Características principales:

1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:

La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 C.

2. Alta pureza: fabricado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.

3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.

4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC:

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