He aha nā pae hoʻohālikelike no nā mea hoʻopaʻa epitaxial SiC graphite kiʻekiʻe i ka makahiki 2026?

Loaʻa i nā mea hoʻopaʻa epitaxial graphite SiC kiʻekiʻe i ka makahiki 2026 ka maʻemaʻe o nā mea, ke kūpaʻa pololei o ka dimensional, ka pono o ka uhi ʻana i mua, a me ka hana wela i hoʻomaikaʻi ʻia. Hoʻokele kēia mau pae koʻikoʻi i nā kikoʻī koi o ka epitaxy SiC hanauna hou. Manaʻo ka ʻoihana i ka ulu nui ʻana, me ka hiki ke hana ʻia he 200mm no ka mana a me nā semiconductors kaʻa, me nā hāmeʻa SiC, e hoʻonui ʻia ana e34% ma waena o 2023 a me 2026Hōʻike kēia hoʻonui ʻana i ka pono koʻikoʻi no ka holomuamea hoʻopaʻa graphiteʻenehana e kākoʻo i nā koi hana ʻana i ka wā e hiki mai ana.

Nā Manaʻo Koʻikoʻi

• Pono nā mea hoʻopalupalu kiʻekiʻe i ka graphite maʻemaʻe loa a me kahi uhi SiC kūpono. Kāohi kēia i nā mea ʻino mai ke komo ʻana i nā papa SiC.
• ʻO kaUhi ʻana SiCpono e ikaika a kaulike. Pono e pipili maikaʻi a ʻaʻole e pau koke. Mālama kēia i ke kaʻina hana i ka maʻemaʻe a me ke kūlike.
• Pono nā Susceptors i ka nui a me ke ʻano kūpono. Pono lākou e noho pālahalaha ʻoiai ke wela loa. Kōkua kēia i ka SiC e ulu like.
• Pono nā mea hoʻopalupalu e hoʻolaha maikaʻi i ka wela a mālama i ka mahana paʻa. Hoʻomaopopo kēia i ka ulu pono ʻana o nā papa SiC a he kiʻekiʻe ke ʻano.
• Hoʻohana nā mea hana i nā nānā koʻikoʻi e hōʻoia i ka maikaʻi o kēlā me kēia susceptor. Hoʻāʻo pono lākou iā lākou a nānā i nā mea āpau. Hōʻoia kēia e hana pono lākou.

Ka Maʻemaʻe o nā Mea a me ka Hoʻohuihui no nā 2026 Epitaxial Susceptors

Kūlana kiʻekiʻeNā mea hoʻopaʻa epitaxial graphite SiCi ka makahiki 2026 e koi ana i ka maʻemaʻe o nā mea a me ka hoʻohui pololei ʻana. Hoʻopili pololei kēia mau mea i ka hana a me ka hilinaʻi o nā kaʻina hana epitaxy SiC. Pono nā mea hana e hoʻokō i nā kūlana koʻikoʻi e kākoʻo i ka hana semiconductor holomua.

Nā Kūlana Substrate Graphite Maʻemaʻe Loa

ʻO ke kumu graphite ke kumu o nā susceptors epitaxial. Hoʻopilikia pololei kona maʻemaʻe i ka maikaʻi o nā papa SiC i ulu ʻia. I ka makahiki 2026, koi nā kūlana i ka graphite me ka haʻahaʻa loa o ka lehu, ma lalo o 5 ppm. Hōʻoia pū nā mea hana i ka nui kūlike a me ka hoʻonohonoho ʻana o ka palaoa maikaʻi. Pale kēia mau waiwai i ka outgassing i ka wā o ka hana ʻana i ka mahana kiʻekiʻe. Mālama pū lākou i ka pono mechanical o ka susceptor. ʻO ka hoʻokō ʻana i kēlā maʻemaʻe kiʻekiʻe e pili ana i nā ʻenehana hoʻomaʻemaʻe holomua.

ʻO ka Stoichiometry Uhi SiC a me ka maikaʻi o ke aniani

Mālama ka uhi silicon carbide (SiC) i ka substrate graphite a hāʻawi i ka ʻili ulu. Pono ka hana maikaʻi loa i ka pololeiUhi ʻana SiCstoichiometry. ʻO ke ʻano kēia, pono ka lakio silicon-a-carbon he 1:1 pololei. Hiki i kekahi ʻokoʻa ke hoʻokomo i nā hemahema i loko o ka papa epitaxial SiC. Eia kekahi, he mea koʻikoʻi ke ʻano kristal o ka uhi SiC. Pono ia e hōʻike i kahi ʻano crystalline kiʻekiʻe me nā hemahema liʻiliʻi, e like me nā hewa stacking a i ʻole nā ​​​​dislocations. Hōʻoia ka uhi kiʻekiʻe i ka ulu like ʻana o SiC a pale i ka haumia.

Nā Palena o ka Hoʻohaumia ʻElemene Trace

He hoʻoweliweli nui ka haumia o nā mea trace i ka hana o ka hāmeʻa SiC. ʻOiai nā liʻiliʻi o nā mea haumia hiki ke hana ma ke ʻano he dopants a hana paha i nā kīnā i makemake ʻole ʻia i loko o ka ʻili SiC. No ka makahiki 2026, ua hoʻonohonoho nā mea hana i nā palena haʻahaʻa loa no nā mea trace metala a me nā mea ʻole metala. No ka laʻana, pono e noho nā pae hao, nickel, a me chromium i ka pae o nā ʻāpana no ka piliona (ppb). Pale kēia mau palena paʻa i ka hōʻino ʻana o ka hana uila i nā hāmeʻa SiC hope loa. Hōʻoia nā ʻano loiloi holomua i kēia mau pae haumia haʻahaʻa loa.

Ka Hoʻopaʻa ʻana i ka Uhi Kiʻekiʻe a me ke Kūpaʻa o nā Epitaxial Susceptors

ʻO ke kūpaʻa a me ke kūpaʻa o kaʻO ka uhi ʻana o SiC ma luna o nā mea hoʻopili epitaxial graphitehe mea nui loa ia no ka epitaxy SiC kūlike a kiʻekiʻe hoʻi. Hoʻoikaika nā mea hana i nā uhi paʻa e kū i nā ʻano hana ʻino a mālama i ko lākou mau waiwai ma luna o nā pōʻaiapuni he nui.

ʻAno like o ka mānoanoa o ka uhi ʻana

He mea koʻikoʻi ka mānoanoa o ka uhi like no ka hoʻokō ʻana i nā ʻano wela like a me nā helu ulu ma waena o ka wafer. Loaʻa i nā mea hoʻoulu epitaxial kiʻekiʻe nā ʻokoʻa o ka mānoanoa o ka uhima lalo o ±2%ma ka ʻili wafer holoʻokoʻa. Hōʻoia kēia pololei e loaʻa i kēlā me kēia ʻāpana o ka wafer nā kūlana ulu like. Eia kekahi, hoʻoikaika nā mea hana no nā hemahema liʻiliʻi. ʻAʻole pono e ʻoi aku ka nui o nā hemahema ma mua o 0.1 mau hemahema/cm² no nā ʻāpana i ʻoi aku ka nui ma mua o 0.3μm. Pale kēia kaohi koʻikoʻi i nā hemahema mai ka hoʻoili ʻana i nā papa SiC e ulu ana.

Ke kū'ē ʻana i ka hoʻopili ʻana a me ka delamination

He mea nui ka hoʻopili ikaika ma waena o ka uhi SiC a me ka substrate graphite no ka hana lōʻihi. Hiki i ka hoʻopili maikaʻi ʻole ke alakaʻi i ka delamination, kahi e haumia ai ke kaʻina hana a hōʻino i ka wafer. Hoʻohana nā mea hana i nā ʻano hana like ʻole e loiloi i ka hoʻopili ʻana. Ana lākou i ka hoʻopili ʻana eka hana ʻana i nā ʻili haki mai nā papa hoʻāʻo. Hōʻike kēia ʻano hana luku i ka nele o ka hoʻopili ʻana ma o ka ʻili ʻana o ka uhi ma kahi haki. Eia kekahi, loiloi lākou i ka hoʻopili ʻana ma oke kau nei i ke kaumaha mechanical i ka ʻili i uhi ʻiae nānā no ka ʻili ʻana a i ʻole ka delamination. Hoʻohālike nā hoʻāʻo kūpaʻa i nā kūlana o ke ao maoli. Loiloi kēia mau hoʻāʻo i ke kūpaʻa i ka ʻaʻahu ʻana, ke kaumaha wela, a me ka hōʻike kemika. Pono ka hoʻāʻo kūpaʻa wela i nā uhi e mālama i ka pono o ke kūkulu ʻana ma o ka hoʻololi ʻana o ka mahana mai -65°C a i 600°C me ka ʻole o ka delamination a i ʻole ka nahā ʻana.

ʻO ka ʻōʻili a me ke ʻano o ka ʻili

Hoʻopilikia pololei ka ʻili a me ke ʻano o ka uhi SiC i ka maikaʻi o ka papa epitaxial. ʻO kahi ʻili laumania a ʻaʻohe kīnā e paipai i ka nucleation like a me ka ulu ʻana o nā kiʻiʻoniʻoni SiC. Hoʻoikaika nā mea hana no ka ʻili haʻahaʻa loa, ma ka pae nanometer. Hōʻoiaʻiʻo pū lākou e hōʻike ana ka uhi i kahi ʻano crystalline kūlike. Pale kēia i ka hoʻokumu ʻia ʻana o nā kuhikuhi kristal i makemake ʻole ʻia a i ʻole nā ​​​​hemahema i ka mea SiC i ulu ʻia. ʻO kahi ʻili i kāohi maikaʻi ʻia e hōʻemi i ka hanauna ʻāpana a hoʻonui i ka hua holoʻokoʻa o ke kaʻina epitaxy.

Ke kū'ē ʻana i ka ʻino a me ka palaho

Pono nā uhi SiC kiʻekiʻe e hōʻike i ke kūpaʻa kūikawā i ka ʻino a me ka pala. Hōʻoia kēia hiki i ka lōʻihi o ka susceptor a mālama i ka maʻemaʻe o ke kaʻina hana. Pono nā ʻano kemika ʻino a me nā mahana kiʻekiʻe o ka epitaxy SiC i ka palekana ikaika.

Ua hōʻoia nā haʻawina i ke kūpaʻa kiʻekiʻe o ka pala o nā uhi CVD SiC. Pale pono kēia mau uhi i nā mea hoʻopalupalu graphite mai nā mea ʻino e like meʻamonia (NH3) a me ka chlorine (Cl2) ma nā mahana kiʻekiʻeʻAe kēia pale i ka susceptor e mālama i kona kūpaʻa ma o ke kaʻina hana ulu epitaxial. Pale kēlā ʻano kūpaʻa i ka hōʻino ʻana o nā mea a me ka haumia o nā papa SiC e ulu ana.

Hoʻāʻo ikaika nā mea hana i ke kūpaʻa o ka uhi ʻana. Loiloi lākou i nā helu pohō nui a me nā loli i ka ʻoʻoleʻa o ka ʻili ma hope o ka hōʻike ʻana i nā kūlana hoʻouka kaua. No ka laʻana, hōʻike kekahi mau laʻana uhi SiCnā helu pohō nuipa e like me 0.72% a me nā loli ʻilikai a puni 11.3%. Hiki i nā ʻano ʻokoʻa o ka uhi ʻana ke hōʻike i nā helu pohō nui aʻe, e hiki ana i ka 1.2%, a i ʻole nā ​​​​loli ʻoi aku ka nui o ka ʻili, e ʻoi aku ana ma mua o 50%. Kōkua kēia mau ana i nā ʻenekinia e hoʻomaikaʻi i nā ʻano hana uhi no ke kūpaʻa kiʻekiʻe loa.

Ua ʻike ʻia nā uhi SiC no ko lākou kūpaʻa kūʻokoʻa i ka palahoi nā wahi ʻino loa, me nā waikawa ikaika a me nā alkalis. Pale pono lākou i ka substrate mai ka ʻino kemika a mālama i ka hana paʻa ʻoiai ma lalo o nā kūlana ʻino, e kōkua ana i ka hoʻonui ʻana i ka hana o nā ʻāpana a me ke ola lawelawe lōʻihi.

ʻO kēia inertness kemika kūlohelohe o SiC e hōʻoiaʻiʻo ana i ka paʻa o ka susceptor. Pale ia i nā hopena kemika e hiki ke hoʻokomo i nā haumia a hoʻololi paha i ka ʻili o ka susceptor. I ka hopena, ʻo ke kūpaʻa kiʻekiʻe o ka erosion a me ka corrosion e kōkua pololei i ka maikaʻi o ka wafer mau a me ke ola hana lōʻihi no ka susceptor.

ʻO ka pololei o ke ana a me ke kūpaʻa mīkini o nā mea hoʻopaʻa Epitaxial

Kūlana kiʻekiʻeNā mea hoʻopaʻa epitaxial graphite SiCi ka makahiki 2026 e koi ana i ka pololei o ka dimensional a me ke kūpaʻa mechanical paʻa. Hoʻopili pololei kēia mau ʻano i ka like a me ka hilinaʻi o ke kaʻina hana epitaxy SiC. Hoʻoikaika nā mea hana i kēia mau wahi e hoʻokō i nā koi koʻikoʻi o ka hana semiconductor holomua.

Nā Hoʻomanawanui Ana Paʻa

He mea nui nā ana pololei no ka hana kūpono o ka susceptor. Hoʻomaopopo nā mea hana i nā hoʻomanawanui paʻa loa no nā palena e like me ke anawaena, ka mānoanoa, a me ka pālahalaha. No ka laʻana, pono e noho ka pālahalaha ma waena o ka ʻili susceptor i loko o kekahi mau micrometer. Hōʻoia kēia mau kaohi paʻa i ka hoʻomehana like a me ke kahe mau o ke kinoea ma waena o ka wafer holoʻokoʻa. Hiki i kekahi ʻokoʻa i nā ana ke alakaʻi i ka hoʻolaha like ʻole o ka mahana. ʻO ka hopena kēia i ka ulu like ʻole o ka papa SiC a me ka emi ʻana o ka hua o ka hāmeʻa. Hoʻokō nā ʻenehana mīkini a me ke ana kiʻekiʻe i kēia mau kūlana pololei.

Hoʻohālikelike Hoʻonui Wera

Pono ke koina hoʻonui wela o ka uhi SiC e kūlike loa me ke koina graphite. Pale kēia hoʻonohonoho koʻikoʻi i ka hōʻiliʻili ʻana o ke kaumaha i ka wā o ka hoʻomehana wikiwiki a me nā pōʻaiapuni hoʻoluʻu. Inā ʻokoʻa loa nā koina, hiki i ke koina wela ke hana i ka uhi SiC e haki a hemo paha mai ka graphite. Hoʻopilikia kēlā mau hemahema i ka pono o ka susceptor a hoʻohaumia i ke kaʻina epitaxial. Koho pono nā ʻenekinia i nā mea hana a hoʻomaikaʻi i nā kaʻina hana uhi e hoʻokō ai i kēia kūlike koʻikoʻi o ka hoʻonui wela. Hōʻoia kēia i ka lōʻihi o ka lōʻihi o nā susceptors epitaxial.

Ke kū'ē ʻana i ke kaua a me ka hoʻololi ʻana

Pono nā mea hoʻopaʻa epitaxial e mālama i ko lākou ʻano pololei ʻoiai ma lalo o nā mahana hana koʻikoʻi, pinepine ma mua o 1600°C. No laila, he mea nui ke kūʻē ʻana i ka warpage a me ka deformation. Hiki i ka warpage ke alakaʻi i ka hoʻomehana wafer like ʻole, ka paheʻe wafer, a me ka like ʻole o ke kiʻiʻoniʻoni. Hoʻohana nā mea hana i nā papa graphite isotropic kiʻekiʻe a me nā ʻenehana uhi SiC holomua e hoʻonui i ka paʻakikī o ke ʻano. Hoʻemi kēia mau mea a me nā kaʻina hana i nā kaumaha kūloko a pale i nā loli ʻano i ka wā o ka hōʻike wela kiʻekiʻe. Hōʻoia kēia i nā kūlana kaʻina hana kūlike a me nā papa epitaxial SiC kiʻekiʻe.

Hana Hoʻomaʻamaʻa Hoʻonui ʻia o nā Epitaxial Susceptors

Kūlana kiʻekiʻeNā mea hoʻopaʻa epitaxial graphite SiCi ka makahiki 2026 pono e hōʻike i ka hana wela i hoʻonui ʻia. Hōʻoia kēia i ka epitaxy SiC kūlike a me ka pono. Hoʻonohonoho mua nā mea hana i nā waiwai e hoʻomaʻamaʻa i ka kaohi mahana pololei a me ke kūpaʻa i ka wā o ke kaʻina hana ulu.

Ka Hoʻokele Wela a me ke ʻAno like

He mea koʻikoʻi ka conductivity thermal maikaʻi loa no ka hoʻoili wela kūpono i loko o ka susceptor. ʻAe kēia waiwai i nā pōʻaiapuni hoʻomehana wikiwiki a me ke anuanu. Kōkua pū ia i ka mālama ʻana i kahi mahana paʻa ma waena o ka wafer. Hōʻike ka CVD 3C–SiC, kahi mea maʻamau no nā wafer susceptors i ka ulu ʻana o ka semiconductor, i ka conductivity thermal kiʻekiʻe. Hōʻike nā haʻawina ma ka CVD 3C–SiC i kuhikuhi ʻia <111> hiki i kāna conductivity thermal out-plane ke emi mai146.4 W/m·K a i 122.3 W/m·Ki ka hoʻokokoke ʻana o ka nui o ka palaoa i 11.04 μm. ʻO kekahi uhi β-SiC ʻē aʻe, i hana ʻia ma o CVD, hōʻike i kahi conductivity thermal o3.2 W/m·KMālama kēia mea i ka pālahalaha o ±0.2mm ʻoiai ma 1600 °C, e hōʻike ana i kona kūpaʻa i nā mahana hana epitaxy kiʻekiʻe. Pale ka conductivity thermal kiʻekiʻe i nā wahi wela a me nā wahi anu, hiki ke alakaʻi i ka ulu ʻana o ka ʻili ʻaʻole like.

Ka like ʻana o ka mahana ma waena o ka Susceptor

He mea nui ka hoʻokō ʻana a me ka mālama ʻana i ka mahana like ma ka ʻili susceptor holoʻokoʻa. ʻO nā mahana like ʻole ke kumu o nā ʻokoʻa i nā helu ulu a me nā waiwai o nā mea ma ka wafer SiC. Hoʻolālā nā mea hana i nā susceptors me nā geometries kikoʻī a me nā hoʻolaha mea e hoʻolaha i ka hoʻolaha like ʻana o ka wela. Kōkua nā mea hana hoʻohālike wela a me nā simulation holomua i ka hoʻonui ʻana i kēia mau hoʻolālā. Hōʻoia kēia i kēlā me kēia ʻāpana o ka wafer e ʻike i ke kaiapuni wela like. ʻO ke kūlike o ka mahana like e unuhi pololei ʻia i ka hua wafer kiʻekiʻe aʻe a me ka hana o ka hāmeʻa i hoʻomaikaʻi ʻia.

Paʻa o ka Emissivity

Ka hoʻokuʻu ʻana, ʻo ka hiki o kahi ʻili ke hoʻomālamalama i ka ikehu wela, he hana koʻikoʻi ia i ka kaohi ʻana i ka mahana. Hōʻoia ka emissivity paʻa i ke ana pololei ʻana o ka mahana e nā pyrometers. Hāʻawi pū ia i ka hoʻoili wela mau i loko o ka reactor. Hōʻike pinepine nā uhi SiC i ka emissivity kiʻekiʻe.

Mālama nā susceptors kiʻekiʻe i nā waiwai emissivity paʻa ma luna o nā pōʻaiapuni epitaxy he nui. Pale kēia i ka heleleʻi ʻana o nā heluhelu mahana a hōʻoia i nā kūlana hana hou. Hiki i ka hōʻino ʻana o ka uhi a i ʻole nā ​​​​loli o ka ʻili ke hoʻololi i ka emissivity, e alakaʻi ana i nā kūlike ʻole o ke kaʻina hana. No laila, kālele nā ​​​​mea hana i nā uhi paʻa e mālama i ko lākou mau waiwai optical i ko lākou ola hana.

Ka Mana Hana a me ka Hōʻoiaʻiʻo Kūlana no nā Epitaxial Susceptors

Hoʻokō nā mea hana i nā kaohi koʻikoʻi a me nā hana hōʻoia maikaʻi no ka maikaʻi kiʻekiʻeNā mea hoʻopaʻa epitaxial graphite SiC. Hōʻoia kēia mau hana i ka hilinaʻi o ka huahana a me ka hana mau. Hoʻokō lākou i nā koi koi o ka hana semiconductor holomua.

Ka Hana Hou ʻana a me ke Kūlike o ka Pūʻulu a i ka Pūʻulu

He mea koʻikoʻi ka hana hou ʻana no ka hana ʻana i nā susceptors kiʻekiʻe. Hoʻokumu nā mea hana i nā kaohi kaʻina hana koʻikoʻi. Hōʻoia kēia mau kaohi i nā waiwai a me ka hana like o nā mea ma nā ʻāpana hana āpau. Hoʻohana lākou i ka kaohi kaʻina hana helu (SPC) e nānā i nā palena koʻikoʻi. Hoʻokomo pū kēia i ka haku mele ʻana o nā mea, ka mānoanoa o ka uhi ʻana, a me nā ʻae ʻana o ka dimensional. He kuleana koʻikoʻi nō hoʻi ka loaʻa ʻana o nā mea maka maka like. Hoʻēmi ia i nā ʻokoʻa o ka huahana hope loa. Hōʻoia kēia ʻano hana akahele e hana ana kēlā me kēia susceptor i ke kūlana kiʻekiʻe like.

Nā Kaʻina Hoʻāʻo ʻAʻole Luku

Hōʻoia nā kaʻina hana hoʻāʻo ʻole luku (NDT) i ka maikaʻi o ka susceptor me ka ʻole o ka hōʻino ʻana. ʻIke nā nānā maka i nā hemahema o ka ʻili a i ʻole nā ​​​​​​kūpono ʻole. ʻIke ka hoʻāʻo ʻana o ke au Eddy i nā hemahema o lalo o ka ʻili a me nā pilikia kūpaʻa o ka uhi ʻana. Hiki i ka hoʻāʻo ultrasonic ke hōʻike i nā hakahaka kūloko a i ʻole nā ​​​​​​delaminations. Hāʻawi ka nānā ʻana o X-ray i ka loiloi kikoʻī o ke kūkulu kūloko. Hōʻoia kēia mau hoʻāʻo e hoʻokō nā susceptors i nā kikoʻī koʻikoʻi o ka maikaʻi. Pale lākou i nā huahana hemahema mai ke komo ʻana i ke kaulahao lako. Mālama kēia ʻano hana proactive i ka hilinaʻi huahana kiʻekiʻe.

Palapala Hōʻoia a me ka Hiki ke Hahai ʻia

Hāʻawi ka palapala hōʻoia a me ka hiki ke hahai ʻia i ka hōʻoia maikaʻi koʻikoʻi. Hoʻopili nā mea hana i nā kūlana honua e like me ISO 9001. Hōʻike kēia i ka kūpaʻa i nā ʻōnaehana hoʻokele maikaʻi. Loaʻa i kēlā me kēia mea kōkua kahi hōʻailona kū hoʻokahi. ʻAe kēia i ka hahai piha ʻana mai nā mea maka a hiki i ka huahana hope loa. Hoʻopaʻa i nā kikoʻī o nā kaʻina hana hana, nā hopena nānā, a me nā kumu mea. Hōʻoia kēia palapala piha i ke kuleana. Hoʻomaʻalahi hoʻi ia i ka hoʻoponopono wikiwiki ʻana i nā pilikia inā kū mai nā pilikia. Kūkulu ka palapala hōʻoia a me ka hiki ke hahai ʻia i ka hilinaʻi i ka maikaʻi a me ka hana o ka huahana.

E hoʻokō nā mea hoʻopaʻa epitaxial graphite SiC kiʻekiʻe i ka makahiki 2026 i nā kūlana koʻikoʻi no ka maʻemaʻe o nā mea, ka pono o ka uhi ʻana, ka pololei o ka dimensional, a me ka hana wela. Hiki i kēia mau holomua ke hoʻomau i ka holomua o nā mea uila mana SiC a me nā noi koʻikoʻi ʻē aʻe.Nā ʻenehana uhi SiC holomuahoʻoikaika i ke kū'ē'ē'ana i nā mahana ki'eki'e a me nā hopena kemika i ka wā o ka MOCVD, e ho'omaika'i ana i ka pono o ka huahana a me ke kūpa'a. Ho'omaopopo ka ho'olālā susceptor i ho'onui'ia i ka ho'olaha like'ana o ka mahana, e ho'omaika'i pololei ana i ka maika'i o ke ki'i'oni'oni semiconductor. Alaka'i kēia i ka hana maika'i a me ka hua ki'eki'e no nā mea semiconductor.Hoʻonui ʻia ka ikaika mechanical a me ka conductivity thermale kōkua pū i ke ola hana lōʻihi a me ka hoʻemi ʻana i ka haumia.

Nā nīnau i nīnau pinepine ʻia

He aha ka mea hoʻopili epitaxial SiC graphite?

He ʻāpana koʻikoʻi ia i loko o ka epitaxy SiC. Hoʻopaʻa ia i ka wafer i ka wā o nā kaʻina hana ulu wela kiʻekiʻe. Hōʻike ia i kahi substrate graphite me kahi uhi SiC pale. Hōʻoia kēia hoʻolālā i ka hoʻomehana like a pale i ka haumia.

No ke aha he mea nui ka maʻemaʻe o nā mea no kēia mau mea hoʻōla?

ʻO ka maʻemaʻe o nā mea kiʻekiʻe e pale aku i ka haumia o ka papa epitaxial SiC. Hiki i nā mea trace ke hana ma ke ʻano he dopants makemake ʻole ʻia. Hoʻokumu lākou i nā hemahema i loko o ka mea semiconductor. He mea nui ka graphite maʻemaʻe ultra-kiʻekiʻe a me ka stoichiometry uhi SiC pololei.

Pehea ka hopena o ka kūpaʻa o ka uhi ʻana i ka hana o ka susceptor?

ʻO ke kūpaʻa o ka uhi ʻana e hōʻoiaʻiʻo i ka lōʻihi a me nā kūlana hana kūlike. ʻO ka mānoanoa like, ka hoʻopili ikaika, a me ka ʻoʻoleʻa haʻahaʻa o ka ʻili e pale aku i nā kīnā. Kūʻē pū ia i ka ʻino a me ka pala. Mālama kēia i ka hana pale o ka susceptor i ka hala ʻana o ka manawa.

He aha ke kuleana o ka hana thermal i ka maikaʻi o ka susceptor?

ʻO ka hana wela i hoʻomaikaʻi ʻia e hōʻoia i ka hoʻolaha like ʻana o ka mahana ma waena o ka wafer. ʻO ke koʻikoʻi o ka conductivity thermal kiʻekiʻe a me ka emissivity paʻa. ʻO kēia ke alakaʻi i nā helu ulu SiC mau. Hoʻomaikaʻi pū ia i ka maikaʻi o nā papa epitaxial.

Pehea e hōʻoia ai nā mea hana i ka maikaʻi o nā susceptors epitaxial?

Hoʻohana nā mea hana i nā kaohi hana koʻikoʻi a me ka hōʻoia maikaʻi. Hoʻokō lākou i nā protocol hoʻāʻo ʻaʻole luku. Mālama pū lākou i ka hōʻoia piha a me ka hiki ke hahai ʻia. Hōʻoia kēia mau ana i ka hana hou ʻana a me ka hana kiʻekiʻe mau no kēlā me kēia susceptor.