GaN szilícium ostyán RF-hez

A VET Energy GaN on Silicon Wafer egy élvonalbeli félvezető megoldás, amelyet kifejezetten rádiófrekvenciás (RF) alkalmazásokhoz terveztek. A kiváló minőségű gallium-nitrid (GaN) szilícium hordozón epitaxiális termesztésével a VET Energy költséghatékony és nagy teljesítményű platformot kínál az RF eszközök széles skálájához.

Ez a GaN on Silicon lapka kompatibilis más anyagokkal, mint például a Si Wafer, a SiC Substrate, a SOI Wafer és a SiN Substrate, így bővíti sokoldalúságát a különböző gyártási folyamatokban. Ezenkívül az Epi Waferrel és olyan fejlett anyagokkal való használatra optimalizálták, mint a gallium-oxid Ga2O3 és az AlN Wafer, amelyek tovább javítják a nagy teljesítményű elektronikában való alkalmazását. Az ostyákat úgy tervezték, hogy zökkenőmentesen integrálhatók legyenek a gyártási rendszerekbe, szabványos kazettás kezeléssel a könnyű használat és a gyártási hatékonyság növelése érdekében.

A VET Energy félvezető hordozók átfogó portfólióját kínálja, beleértve a Si Wafert, a SiC Substratet, a SOI Wafert, a SiN Substratet, az Epi Wafert, a Gallium Oxide Ga2O3 és az AlN Wafert. Változatos termékcsaládunk a különféle elektronikai alkalmazások igényeit elégíti ki, a teljesítményelektronikától az RF-ig és az optoelektronikáig.

A GaN a Silicon Waferen számos előnyt kínál az RF alkalmazásokhoz:

       • Nagyfrekvenciás teljesítmény:A GaN széles sávszélessége és nagy elektronmobilitása lehetővé teszi a nagyfrekvenciás működést, így ideális az 5G és más nagy sebességű kommunikációs rendszerek számára.
     • Nagy teljesítménysűrűség:A GaN eszközök nagyobb teljesítménysűrűséget tudnak kezelni a hagyományos szilícium alapú eszközökhöz képest, ami kompaktabb és hatékonyabb RF rendszereket eredményez.
       • Alacsony energiafogyasztás:A GaN eszközök alacsonyabb energiafogyasztást mutatnak, ami jobb energiahatékonyságot és alacsonyabb hőelvezetést eredményez.

Alkalmazások:

       • 5G vezeték nélküli kommunikáció:A GaN on Silicon lapkák elengedhetetlenek a nagy teljesítményű 5G bázisállomások és mobileszközök építéséhez.
     • Radarrendszerek:A GaN-alapú rádiófrekvenciás erősítőket radarrendszerekben használják nagy hatékonyságuk és széles sávszélességük miatt.
   • Műholdas kommunikáció:A GaN eszközök nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás műholdas kommunikációs rendszereket tesznek lehetővé.
     • Katonai elektronika:A GaN-alapú rádiófrekvenciás alkatrészeket katonai alkalmazásokban, például elektronikus hadviselésben és radarrendszerekben használják.

A VET Energy testreszabható GaN-t kínál a szilícium ostyákon, hogy megfeleljen az Ön egyedi követelményeinek, beleértve a különböző adalékolási szintet, vastagságot és lapkaméretet. Szakértői csapatunk technikai támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást nyújt az Ön sikerének biztosítása érdekében.