A VET Energy által kínált 12 hüvelykes szilíciumlapka félvezetőgyártáshoz úgy lett megtervezve, hogy megfeleljen a félvezetőiparban megkövetelt precíz szabványoknak. Termékpalettánk egyik vezető termékeként a VET Energy biztosítja, hogy ezeket az ostyákat igényes síksággal, tisztasággal és felületi minőséggel állítsák elő, így ideálisak a legmodernebb félvezető alkalmazásokhoz, beleértve a mikrochipeket, érzékelőket és fejlett elektronikus eszközöket.
Ez az ostya sokféle anyaggal kompatibilis, mint például a Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate és Epi Wafer, kiváló sokoldalúságot biztosítva a különböző gyártási folyamatokhoz. Ezenkívül jól párosítható olyan fejlett technológiákkal, mint a Gallium Oxide Ga2O3 és az AlN Wafer, így biztosítva, hogy integrálható legyen a rendkívül speciális alkalmazásokba. A zökkenőmentes működés érdekében az ostyát az ipari szabványos kazettás rendszerekhez optimalizálták, így biztosítva a hatékony kezelést a félvezetőgyártásban.
A VET Energy termékcsaládja nem korlátozódik a szilícium lapkákra. Félvezető hordozóanyagok széles skáláját kínáljuk, beleértve a SiC szubsztrátumot, SOI Wafert, SiN szubsztrátot, Epi Wafert stb., valamint új, széles sávú félvezető anyagokat, mint például a Gallium Oxide Ga2O3 és az AlN Wafer. Ezek a termékek megfelelnek a különböző ügyfelek alkalmazási igényeinek teljesítményelektronika, rádiófrekvenciás, érzékelők és egyéb területeken.
Alkalmazási területek:
•Logikai chipek:Nagy teljesítményű logikai chipek, például CPU és GPU gyártása.
•Memória chipek:Memóriachipek, például DRAM és NAND Flash gyártása.
•Analóg chipek:Analóg chipek, például ADC és DAC gyártása.
•Érzékelők:MEMS érzékelők, képérzékelők stb.
A VET Energy személyre szabott ostyamegoldásokat kínál ügyfelei számára, és az ügyfelek egyedi igényei szerint testre szabhatja a különböző ellenállású, eltérő oxigéntartalmú, eltérő vastagságú és egyéb specifikációjú ostyákat. Emellett professzionális műszaki támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást is nyújtunk, hogy segítsünk ügyfeleinknek optimalizálni a gyártási folyamatokat és javítani a termékhozamot.
WAVERING ELŐÍRÁSAI
*n-Pm=n-típusú Pm-minőség, n-Ps=n-típusú Ps-minőség, Sl=félszigetelő
| Tétel | 8 hüvelykes | 6 hüvelykes | 4 hüvelykes | ||
| nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6 um | ≤6 um | |||
| Íj(GF3YFCD) – Abszolút érték | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
| Warp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
| LTV (SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
| Wafer Edge | Ferde vágás | ||||
FELÜLETKEZELÉS
*n-Pm=n-típusú Pm-minőség, n-Ps=n-típusú Ps-minőség, Sl=félszigetelő
| Tétel | 8 hüvelykes | 6 hüvelykes | 4 hüvelykes | ||
| nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
| Felületi kikészítés | Kétoldalas optikai polírozás, Si-Fece CMP | ||||
| Felületi érdesség | (10 x 10 um) Si-FaceRa≤ 0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
| Edge Chips | Egyik sem megengedett (hossz és szélesség ≥0,5 mm) | ||||
| Behúzások | Egyik sem Engedélyezett | ||||
| Karcolások (Si-Face) | Menny.≤5, kumulatív | Menny.≤5, kumulatív | Menny.≤5, kumulatív | ||
| Repedések | Egyik sem Engedélyezett | ||||
| Élek kizárása | 3 mm | ||||
-
Magas hőmérsékletnek ellenálló grafitcsapágy elő...
-
Az OEM jó minőségű 50kw/200kwh vanádium REDOX...
-
VET grafitlap A rugalmas grafitpapír...
-
Pemfc 24V üzemanyagcellás Pemfc Stack 1000w hidrogén...
-
Szilícium-karbid reflektor magas hőszigeteléssel...
-
Egyedi üzemanyagcellás gázdiffúziós réteg titán f...