Hír

Miért olyan kemény a szilícium, de mégis törékeny?
admin által, 2010.12.24-én
A szilícium egy atomkristály, amelynek atomjai kovalens kötésekkel kapcsolódnak egymáshoz, térbeli hálózati szerkezetet alkotva. Ebben a szerkezetben az atomok közötti kovalens kötések nagyon irányítottak és nagy kötési energiával rendelkeznek, ami miatt a szilícium nagy keménységet mutat, amikor ellenáll a külső erőknek...
További információ
Miért hajlanak az oldalfalak száraz maratás közben?
admin által, 2003.12.24-én
Az ionbombázás egyenetlensége A szárazmaratás általában egy olyan eljárás, amely fizikai és kémiai hatásokat ötvöz, amelyben az ionbombázás fontos fizikai maratási módszer. A maratási folyamat során az ionok beesési szöge és energiaeloszlása egyenetlen lehet. Ha az ion beesik...
További információ
Bevezetés három gyakori CVD technológiába
admin által, 2003.12.24-én
A kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) a félvezetőiparban a legszélesebb körben használt technológia különféle anyagok leválasztására, beleértve a szigetelőanyagok széles skáláját, a legtöbb fémes anyagot és a fémötvözeteket. A CVD egy hagyományos vékonyréteg-előállítási technológia. Elvei...
További információ
Helyettesíthet-e a gyémánt más nagy teljesítményű félvezető eszközöket?
admin által, 2025.11.24-én
A modern elektronikus eszközök sarokköveként a félvezető anyagok példátlan változásokon mennek keresztül. Napjainkban a gyémánt fokozatosan mutatja meg hatalmas potenciálját, mint negyedik generációs félvezető anyag, kiváló elektromos és termikus tulajdonságaival, valamint szélsőséges körülmények között is fennálló stabilitásával...
További információ
Mi a CMP planarizációs mechanizmusa?
admin által, 2025.11.24-én
A kettős damaszkuszi eljárás egy olyan eljárástechnológia, amelyet integrált áramkörök fémösszekötőinek gyártására használnak. Ez a damaszkuszi eljárás továbbfejlesztése. Azáltal, hogy átmenő furatokat és hornyokat alakítanak ki egyszerre, ugyanabban a folyamatlépésben, és ezeket fémmel töltik meg, az integrált gyártás...
További információ
Grafit TaC bevonattal
admin által, 2021.11.24-én
I. Folyamatparaméterek feltárása 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar rendszer 2. Leválasztási hőmérséklet: A termodinamikai képlet szerint kiszámítható, hogy amikor a hőmérséklet nagyobb, mint 1273 K, a reakció Gibbs-szabadenergiája nagyon alacsony, és a reakció viszonylag teljes. A reakció...
További információ
Szilícium-karbid kristálynövekedési folyamat és berendezéstechnológia
admin által, 2021.11.24-én
1. SiC kristálynövekedési technológiai útvonal A PVT (szublimációs módszer), a HTCCD (magas hőmérsékletű CVD) és az LPE (folyadékfázisú módszer) három gyakori SiC kristálynövekedési módszer; Az iparágban a legismertebb módszer a PVT módszer, és a SiC egykristályok több mint 95%-át PVT-vel növesztik...
További információ
Porózus szilícium-karbon kompozit anyagok előállítása és teljesítményének javítása
admin által, 2013.11.24-én
A lítium-ion akkumulátorok fejlesztése főként a nagy energiasűrűség irányába halad. Szobahőmérsékleten a szilícium alapú negatív elektródú anyagok lítiummal ötvöződnek, így lítiumban gazdag Li3,75Si fázisú terméket hoznak létre, amelynek fajlagos kapacitása akár 3572 mAh/g is lehet, ami jóval magasabb, mint az elméletileg...
További információ
Egykristályos szilícium termikus oxidációja
admin által, 2013.11.24-én
A szilícium-dioxid szilícium felületén történő képződését oxidációnak nevezik, és a stabil és erősen tapadó szilícium-dioxid létrejötte vezetett a szilícium integrált áramköri síktechnológia megszületéséhez. Bár számos módja van a szilícium-dioxid közvetlen növesztésének a szilícium felületén...
További információ