Kémiai gőzfázisú leválasztás(Szív- és érrendszeri betegség)a félvezetőiparban a legszélesebb körben használt technológia különféle anyagok, többek között szigetelőanyagok, a legtöbb fém és fémötvözet leválasztására.
A CVD egy hagyományos vékonyréteg-előállítási technológia. Elve az, hogy gáz halmazállapotú prekurzorokat használ bizonyos komponensek lebontására atomok és molekulák közötti kémiai reakciók révén, majd vékony filmet képez az aljzaton. A CVD alapvető jellemzői: kémiai változások (kémiai reakciók vagy termikus bomlás); a filmben lévő összes anyag külső forrásból származik; a reagenseknek gázfázis formájában kell részt venniük a reakcióban.
Az alacsony nyomású kémiai gőzleválasztás (LPCVD), a plazmával fokozott kémiai gőzleválasztás (PECVD) és a nagy sűrűségű plazmával fokozott kémiai gőzleválasztás (HDP-CVD) három gyakori CVD-technológia, amelyek jelentős különbségeket mutatnak az anyagleválasztás, a berendezéskövetelmények, a folyamatfeltételek stb. tekintetében. Az alábbiakban e három technológia egyszerű magyarázatát és összehasonlítását ismertetjük.
1. LPCVD (alacsony nyomású CVD)
Alapelv: Alacsony nyomáson végzett CVD eljárás. Az alapelve, hogy a reakciógázt vákuum vagy alacsony nyomású környezetben a reakciókamrába fecskendezik, a gázt magas hőmérsékleten lebontják vagy reagáltatják, és szilárd filmet képeznek az aljzat felületén. Mivel az alacsony nyomás csökkenti a gázütközést és a turbulenciát, a film egyenletessége és minősége javul. Az LPCVD-t széles körben használják szilícium-dioxidban (LTO TEOS), szilícium-nitridben (Si3N4), poliszilíciumban (POLY), foszfoszilikát üvegben (BSG), borofoszfoszilikát üvegben (BPSG), adalékolt poliszilíciumban, grafénben, szén nanocsövekben és más filmekben.
Jellemzők:
▪ Folyamathőmérséklet: általában 500~900°C között, a folyamathőmérséklet viszonylag magas;
▪ Gáznyomás-tartomány: 0,1–10 Torr alacsony nyomású környezet;
▪ Filmminőség: kiváló minőség, jó egyenletesség, jó sűrűség és kevés hiba;
▪ Lerakódási sebesség: lassú lerakódási sebesség;
▪ Egyenletesség: nagy méretű hordozókhoz alkalmas, egyenletes lerakódás;
Előnyök és hátrányok:
▪ Nagyon egyenletes és sűrű filmeket képes lerakni;
▪ Jól teljesít nagyméretű hordozókon, alkalmas tömeggyártásra;
▪ Alacsony költség;
▪ Magas hőmérséklet, nem alkalmas hőérzékeny anyagokhoz;
▪ A lerakódási sebesség lassú, a kibocsátás pedig viszonylag alacsony.
2. PECVD (plazmával fokozott CVD)
Alapelv: Plazma segítségével alacsonyabb hőmérsékleten aktiválhatók a gázfázisú reakciók, ionizálható és lebontható a reakciógázban lévő molekulák, majd vékony filmeket lehet létrehozni az aljzat felületén. A plazma energiája jelentősen csökkentheti a reakcióhoz szükséges hőmérsékletet, és széleskörű alkalmazási lehetőségekkel rendelkezik. Különböző fémfilmek, szervetlen filmek és szerves filmek állíthatók elő.
Jellemzők:
▪ Folyamathőmérséklet: általában 200~400°C között, a hőmérséklet viszonylag alacsony;
▪ Gáznyomás-tartomány: általában több száz mTorrtól több Torrig;
▪ Filmminőség: bár a film egyenletessége jó, a film sűrűsége és minősége nem olyan jó, mint az LPCVD esetében a plazma által okozott hibák miatt;
▪ Lerakódási sebesség: magas sebesség, magas termelési hatékonyság;
▪ Egyenletesség: nagyméretű hordozókon az LPCVD-hez képest valamivel gyengébb;
Előnyök és hátrányok:
▪ Alacsonyabb hőmérsékleten vékonyrétegek rakhatók le, alkalmasak hőérzékeny anyagokhoz;
▪ Gyors lerakódási sebesség, amely hatékony termelést tesz lehetővé;
▪ Rugalmas folyamat, a film tulajdonságai a plazma paramétereinek beállításával szabályozhatók;
▪ A plazma filmhibákat, például tűszúrásszerű lyukakat vagy egyenetlenségeket okozhat;
▪ Az LPCVD-hez képest a film sűrűsége és minősége valamivel rosszabb.
3. HDP-CVD (nagy sűrűségű plazma CVD)
Alapelv: Egy speciális PECVD technológia. A HDP-CVD (más néven ICP-CVD) nagyobb plazmasűrűséget és minőséget képes előállítani, mint a hagyományos PECVD berendezések alacsonyabb leválasztási hőmérsékleten. Ezenkívül a HDP-CVD szinte független ionfluxus- és energiaszabályozást biztosít, javítva az árok- vagy lyukkitöltési képességeket az igényes filmleválasztásnál, például tükröződésmentes bevonatoknál, alacsony dielektromos állandójú anyagleválasztásnál stb.
Jellemzők:
▪ Folyamathőmérséklet: szobahőmérséklettől 300 ℃-ig, a folyamathőmérséklet nagyon alacsony;
▪ Gáznyomás-tartomány: 1 és 100 mTorr között, alacsonyabb, mint a PECVD;
▪ Filmminőség: magas plazmasűrűség, kiváló filmminőség, jó egyenletesség;
▪ Lerakódási sebesség: a lerakódási sebesség az LPCVD és a PECVD között van, kissé magasabb, mint az LPCVD;
▪ Egyenletesség: a nagy sűrűségű plazma miatt a film egyenletessége kiváló, alkalmas komplex alakú hordozófelületekhez;
Előnyök és hátrányok:
▪ Alacsonyabb hőmérsékleten képes kiváló minőségű filmek leválasztására, különösen alkalmas hőérzékeny anyagokhoz;
▪ Kiváló fóliaegyenletesség, sűrűség és felületi simaság;
▪ A nagyobb plazmasűrűség javítja a lerakódás egyenletességét és a film tulajdonságait;
▪ Bonyolultabb berendezések és magasabb költségek;
▪ A lerakódás sebessége lassú, és a nagyobb plazmaenergia kis mértékű károsodást okozhat.
Üdvözöljük a világ minden tájáról érkező ügyfeleket, hogy látogassanak el hozzánk további megbeszélésre!
https://www.vet-china.com/
https://www.facebook.com/people/Ningbo-Miami-Advanced-Material-Technology-Co-Ltd/100085673110923/
https://www.linkedin.com/company/100890232/admin/page-posts/published/
https://www.youtube.com/@user-oo9nl2qp6j
Közzététel ideje: 2024. dec. 03.