Markmið okkar og markmið fyrirtækisins er yfirleitt að „uppfylla alltaf kröfur viðskiptavina okkar“. Við höldum áfram að afla og hanna framúrskarandi hágæða vörur fyrir bæði fyrrverandi og nýja viðskiptavini og skapa þannig vinningsmöguleika fyrir viðskiptavini okkar, þar á meðal framleiðanda kolefnisgrafítmóts úr Kína sem notuð eru til steypupússunar. Stöðugt framboð á hágæða vörum ásamt framúrskarandi þjónustu fyrir og eftir sölu tryggir sterka samkeppnishæfni á sífellt hnattvæddari markaði.
Markmið okkar og markmið fyrirtækisins er yfirleitt að „uppfylla alltaf kröfur viðskiptavina okkar“. Við höldum áfram að afla og hanna framúrskarandi hágæða vörur fyrir bæði fyrrverandi og nýja viðskiptavini og skapa þannig vinningsmöguleika fyrir viðskiptavini okkar, eins og okkur fyrir ...Kína kolefnis grafít mót, GrafítmótNafn fyrirtækisins leggur áherslu á gæði sem grunn, leitast við þróun með mikilli trúverðugleika, fylgir stranglega ISO gæðastjórnunarstaðlinum og skapar fyrsta flokks fyrirtæki með anda framfara sem einkennast af heiðarleika og bjartsýni.
Kolefni / kolefnissamsett efni(hér eftir nefnt „C / C eða CFC) er tegund af samsettu efni sem er byggt á kolefni og styrkt með koltrefjum og afurðum þess (koltrefjaformi). Það hefur bæði tregðu kolefnis og mikinn styrk koltrefja. Það hefur góða vélræna eiginleika, hitaþol, tæringarþol, núningsdempun og varma- og rafleiðni.
CVD-SiCHúðun hefur einkenni einsleitrar uppbyggingar, þétts efnis, háhitaþols, oxunarþols, mikillar hreinleika, sýru- og basaþols og lífrænna hvarfefna, með stöðugum eðlis- og efnafræðilegum eiginleikum.
Í samanburði við grafítefni með mikla hreinleika byrjar grafít að oxast við 400°C, sem veldur dufttapi vegna oxunar, sem leiðir til umhverfismengunar í jaðartækjum og lofttæmisklefum og eykur óhreinindi í umhverfi með mikla hreinleika.
Hins vegar getur SiC húðun viðhaldið líkamlegum og efnafræðilegum stöðugleika við 1600 gráður, hún er mikið notuð í nútíma iðnaði, sérstaklega í hálfleiðaraiðnaði.
Fyrirtækið okkar býður upp á SiC húðunarþjónustu með CVD aðferð á yfirborði grafíts, keramik og annarra efna, þannig að sérstakar lofttegundir sem innihalda kolefni og kísill hvarfast við háan hita til að fá SiC sameindir með mikilli hreinleika. Sameindir setjast á yfirborð húðaðra efna og mynda SIC verndarlag. SIC sem myndast er fast bundið við grafítgrunninn, sem gefur grafítgrunninum sérstaka eiginleika og gerir yfirborð grafítsins þétt, gegndræpt, hitaþolið, tæringarþolið og oxunarþolið.
Helstu eiginleikar:
1. Oxunarþol við háan hita:
Oxunarþolið er enn mjög gott þegar hitastigið er allt að 1600°C.
2. Mikil hreinleiki: framleitt með efnafræðilegri gufuútfellingu við klórun við háan hita.
3. Viðnám gegn rofi: mikil hörku, þétt yfirborð, fínar agnir.
4. Tæringarþol: sýrur, basar, salt og lífræn hvarfefni.
Helstu forskriftir CVD-SIC húðunar:
| SiC-CVD | ||
| Þéttleiki | (g/cc)
| 3.21 |
| Beygjustyrkur | (Mpa)
| 470 |
| Varmaþensla | (10-6/K) | 4
|
| Varmaleiðni | (W/mK) | 300
|
