CVD SiC húðaðir íhlutir fyrir kísill epitaxi (Si Epi)
CVD SiC húðaðir móttakarar okkar, gervihnattadiskar og hitasviðsíhlutir eru nákvæmlega hannaðir fyrir einnota og lotubundnar kísillútfellingarkerfi og skila framúrskarandi hitajafnvægi og engri útgasun. Þéttleiki teningslaga β-SiC húðunarlagið umlykur að fullu hágæða grafít undirlagið, kemur í veg fyrir etsun með hvarfgjörnum gasi (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) og tryggir afar lágt magn málmhreininda (< 5 ppm) við háhita Si Epi vinnslu (1000°C - 1200°C).
Jafnvægi í hitasviði
Stýrð ljósgeislun tryggir nákvæma þykkt filmu frá brún til miðju.
HCl etsþol
Veitir öfluga vörn gegn efnum til að hreinsa hólfið á staðnum og hitaáfalli.
Samhæfni OEM kerfa
Nákvæmlega CNC-fræst til að passa í almenn 200mm/300mm staka skífu Epi verkfæri (Applied Materials, ASM).
| Tæknilegir þættir | Upplýsingar um gildi | Staðall / Prófunaraðferð |
|---|---|---|
| Húðunarefni | CVD β-SiC (rúningsfasi) | Kristallbygging með mikilli þéttleika |
| Undirlagsefni | Ofurhreint ísostatískt grafít | Þéttleiki: 1,82 - 1,88 g/cm³ |
| Efnafræðileg hreinleiki | Heildaróhreinindi < 5 ppm | GDMS prófað |
| Þykkt húðunar | 80 míkrómetrar - 150 míkrómetrar | Einsleitni ≤ ±5% |
