Hersteller für China Carbon Graphite Mold für Beton Polieren verwendet

Kurze Beschreibung:


Produktdetail

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Unser Ziel und unser Unternehmensziel ist es, die Anforderungen unserer Kunden stets zu erfüllen. Wir entwickeln und fertigen kontinuierlich hochwertige Produkte für unsere bestehenden und neuen Kunden und schaffen so eine Win-Win-Situation für unsere Kunden und uns als Hersteller von chinesischen Kohlenstoffgraphitformen zum Betonpolieren. Die kontinuierliche Verfügbarkeit hochwertiger Produkte in Kombination mit unserem exzellenten Pre- und After-Sales-Support gewährleistet eine starke Wettbewerbsfähigkeit in einem zunehmend globalisierten Markt.
Unser Streben und unsere Unternehmensabsicht ist es, „die Anforderungen unserer Käufer stets zu erfüllen“. Wir erwerben und gestalten weiterhin qualitativ hochwertige Produkte für unsere bisherigen und neuen Kunden und realisieren eine Win-Win-Perspektive für unsere Kunden und uns fürChina Kohlenstoffgraphitformen, Graphitformen, der Firmenname, betrachtet Qualität immer als Grundlage des Unternehmens, strebt nach Entwicklung durch ein hohes Maß an Glaubwürdigkeit, hält sich strikt an den ISO-Qualitätsmanagementstandard und schafft durch Fortschrittsgeist, Ehrlichkeit und Optimismus ein Spitzenunternehmen.

Produktbeschreibung

Kohlenstoff / Kohlenstoffverbundstoffe(nachfolgend bezeichnet als „C/C oder FCKW“) ist ein Verbundwerkstoff auf Kohlenstoffbasis, der durch Kohlenstofffasern und deren Produkte (Kohlenstofffaser-Vorformlinge) verstärkt wird. Er vereint die Trägheit von Kohlenstoff mit der hohen Festigkeit von Kohlenstofffasern. Er zeichnet sich durch gute mechanische Eigenschaften, Hitzebeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Reibungsdämpfung sowie thermische und elektrische Leitfähigkeit aus.

CVD-SiCDie Beschichtung weist die Eigenschaften einer gleichmäßigen Struktur, eines kompakten Materials, einer hohen Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohen Reinheit, Säure- und Basenbeständigkeit und Beständigkeit gegen organische Reagenzien auf und verfügt über stabile physikalische und chemische Eigenschaften.

Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was wiederum zu einer Umweltverschmutzung der Peripheriegeräte und Vakuumkammern führt und die Verunreinigungen der hochreinen Umgebung erhöht.

Eine SiC-Beschichtung kann jedoch bei 1600 Grad ihre physikalische und chemische Stabilität bewahren. Sie wird in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie, häufig eingesetzt.

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an. Dabei reagieren spezielle kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hohen Temperaturen zu hochreinen SiC-Molekülen. Diese Moleküle lagern sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ab und bilden eine SIC-Schutzschicht. Das gebildete SIC ist fest mit der Graphitbasis verbunden und verleiht dieser besondere Eigenschaften. Dadurch wird die Graphitoberfläche kompakt, porenfrei, hochtemperaturbeständig, korrosions- und oxidationsbeständig.

 SiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit Graphitoberfläche

Haupteigenschaften:

1. Hohe Temperaturoxidationsbeständigkeit:

die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: Hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperaturchlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Lauge, Salz und organische Reagenzien.

 

Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:

SiC-CVD

Dichte

(g/cm³)

3.21

Biegefestigkeit

(Mpa)

470

Wärmeausdehnung

(10-6/K)

4

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300

Detaillierte Bilder

SiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeSiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeSiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeSiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeSiC-Beschichtungsprozess auf MOCVD-Suszeptoren mit Graphitoberfläche

Informationen zum Unternehmen

111

Fabrikausrüstungen

222

Lager

333

Zertifizierungen

Zertifizierungen22

 


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