នៅក្នុងការផលិតឧបករណ៍ស៊ីមីកុងដុកទ័រទំនើប និងការផលិតស៊ីមីកុងដុកទ័រសមាសធាតុជំនាន់ទីបី (ដូចជាស៊ីលីកុនកាបៃ [SiC] និងហ្គាលីញ៉ូមនីទ្រីត [GaN]) ការពិភាក្សាក្នុងឧស្សាហកម្មច្រើនតែផ្តោតលើម៉ាស៊ីនលីតូក្រាហ្វី EUV កម្រិតខ្ពស់បំផុត ម៉ាស៊ីនឆ្លាក់ប្លាស្មា ឬភាពបរិសុទ្ធនៃឧស្ម័នបឋម។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ នៅខាងក្នុងបរិយាកាសស្អាតបំផុត ច្រេះខ្លាំង និងមានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់នៃបន្ទប់ប្រតិកម្ម មានវីរបុរសដ៏សំខាន់មួយដែលមិនត្រូវបានគេស្គាល់៖ ឧបករណ៍ទទួលប្រតិកម្មក្រាហ្វីត។
1. តើ Graphite Susceptor ជាអ្វី?
A សារធាតុទទួលសញ្ញាក្រាហ្វីតគឺជាសមាសធាតុផ្ទុកមុខងារដែលមានភាពជាក់លាក់ខ្ពស់ ដែលផលិតឡើងពីក្រាហ្វីតដែលផលិតឡើងដោយអ៊ីសូ-ម៉ុល ឬក្រាហ្វីតដែលច្របាច់ចេញ ជាញឹកញាប់មានរាងឌីស រាងហោប៉ៅ ឬរាងតាមតម្រូវការ។ធរណីមាត្របីវិមាត្រ ដែលត្រូវបានរចនាឡើងដើម្បីឱ្យសមនឹងបន្ទប់ប្រតិកម្មជាក់លាក់។
នៅក្នុងឧបករណ៍ដូចជា រ៉េអាក់ទ័រ Chemical Vapor Deposition (CVD) រ៉េអាក់ទ័រ Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) និងរ៉េអាក់ទ័រ Rapid Thermal Processing (RTP) មុខងារចម្បងនៃវេទិកាផ្ទុកគឺដើម្បីកាន់បន្ទះសៀគ្វី semiconductor ឱ្យមានសុវត្ថិភាព ខណៈពេលដែលបម្រើជាឧបករណ៍ផ្លាស់ប្តូរកំដៅបឋម។ ដោយប្រើប្រាស់យន្តការកំដៅអាំងឌុចស្យុង Graphite susceptor សមាសធាតុនេះស្រូបយកថាមពលអេឡិចត្រូម៉ាញ៉េទិចប្រេកង់វិទ្យុ (RF) ឬមីក្រូវ៉េវយ៉ាងឆាប់រហ័ស ហើយបំប្លែងវាទៅជាថាមពលកម្ដៅឯកសណ្ឋាន ដែលជួយសម្រួលដល់ការគ្រប់គ្រងកម្ដៅកម្រិតមិល្លីវិនាទីនៅទូទាំងផ្ទៃបន្ទះសៀគ្វី។
2. សមាសធាតុសម្ភារៈ និងរចនាសម្ព័ន្ធមីក្រូ៖ ហេតុអ្វីបានជាប្រើក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិច + ថ្នាំកូតស៊ីស៊ីស៊ី CVD?
ក្រាហ្វីតឆៅដែលមិនទាន់ស្រោបមិនអាចរស់រានមានជីវិតពីបរិយាកាសគីមីដ៏ខ្លាំងក្លា និងតម្រូវការអនាម័យដ៏តឹងរ៉ឹងនៃការផលិតស៊ីមីកុងដុកទ័របានទេ។ ឧបករណ៍ទទួលសញ្ញាក្រាហ្វីតដែលដំណើរការខ្ពស់ទំនើបប្រើប្រាស់ប្រព័ន្ធសមាសធាតុពីរស្រទាប់ឯកទេស៖
(1) ស្រទាប់ក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់
ស្រទាប់ស្នូលត្រូវបានផលិតដោយប្រើក្រាហ្វីតដែលត្រូវបានចុចដោយអ៊ីសូស្តាទិច។ ដោយធ្វើឲ្យការតម្រឹមគ្រីស្តាល់មីក្រូក្រាហ្វីតប្រសើរឡើង វាសម្រេចបាននូវលក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្តអ៊ីសូត្រូពិច ភាពរលុងទាប និងកម្លាំងពត់កោងមេកានិចខ្ពស់ ដែលផ្តល់នូវមូលដ្ឋានដ៏ល្អសម្រាប់ការកែច្នៃធរណីមាត្រហោប៉ៅបន្ទះ ...
(2) ថ្នាំកូតការពារ CVD Silicon Carbide (SiC)
ដោយប្រើប្រាស់ Chemical Vapor Deposition ស្រទាប់ Poly-crystalline B-SiC ដែលមានដង់ស៊ីតេខ្ពស់ (ជាធម្មតាមានកម្រាស់ពី 10 ទៅ 100 um ជាមួយនឹងភាពបរិសុទ្ធ 99.999%) ត្រូវបានដាំលើស្រទាប់ក្រាហ្វីត។ ថ្នាំកូតនេះបិទរន្ធញើសតូចៗលើផ្ទៃក្រាហ្វីតទាំងស្រុង ការពារការហូរចេញនៃភាគល្អិត និងផ្តល់ជារបាំងមិនជ្រាបទឹកប្រឆាំងនឹងឧស្ម័នឆ្លាក់ដែលกัดกร่อนដូចជា HCI, NH4 និងសមាសធាតុហ្វ្លុយអូរីន។
៣. លក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្តសំខាន់ៗ និងលក្ខណៈបច្ចេកទេសសម្ភារៈ
ដោយផ្អែកលើការធ្វើតេស្តមន្ទីរពិសោធន៍យ៉ាងម៉ត់ចត់ និងស្តង់ដារឧស្សាហកម្មដែលមានសុពលភាព ឧបករណ៍ភ្ជាប់ក្រាហ្វីតស្រោបដោយភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់បង្ហាញប៉ារ៉ាម៉ែត្ររូបវន្តសំខាន់ៗដូចខាងក្រោម៖
| ប៉ារ៉ាម៉ែត្ររូបវន្ត / គីមី | តម្លៃយោងស្តង់ដារ | គុណសម្បត្តិដំណើរការ និងផលប៉ះពាល់នៃការអនុវត្ត |
| មាតិកាផេះសរុប (ភាពបរិសុទ្ធ) | < 5 ppm (ឯកសារយោង៖ ទិន្នន័យបញ្ជាក់ XR Graphite) | លុបបំបាត់ការចម្លងរោគលោហធាតុ ដោយធានាបាននូវស្រទាប់ epitaxial ដែលគ្មានពិការភាព។ |
| ដង់ស៊ីតេជាក់ស្តែង | ស្រទាប់ខាងក្រោម៖ ១,៨៥ ក្រាម/សង់ទីម៉ែត្រគូប | ស៊ីអ៊ីក៖ ៣,២១ ក្រាម/សង់ទីម៉ែត្រគូប | និចលភាពកម្ដៅទាបសម្រាប់អត្រាឡើងចុះលឿន រួមផ្សំជាមួយនឹងសំបកដែលមិនជ្រាបទឹក។ |
| កម្លាំងបត់បែន | ≥ ៤៩ MPa (ស្រទាប់ខាងក្រោម) | ~៤៥០ MPa (SiC) | ទប់ទល់នឹងភាពតានតឹងកម្ដៅខ្លាំង និងការផ្ទុកបន្ទះស្តើងខ្លាំងដោយមិនរួញ។ |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា | > ១៥០០°C – ១៨០០°C | រក្សាបាននូវភាពរឹងមាំនៃរចនាសម្ព័ន្ធអំឡុងពេលនៃការលូតលាស់គ្រីស្តាល់ SiC សីតុណ្ហភាពខ្ពស់។ |
| ចរន្តកំដៅ | ~១១៦ វ៉ាត់/ម.ក.·ខេ (១០០ គីឡូកាឡូរី/សង់ទីម៉ែត្រ·ម៉ោង·°C) | បំបែកចំណុចក្តៅក្នុងតំបន់យ៉ាងឆាប់រហ័ស ដោយសម្រេចបានជម្រាលកម្ដៅតិចតួចបំផុត (ΔT)។ |
| ភាពធន់អគ្គិសនី | ~១១ μΩ·m | ធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងសម្រាប់កំដៅអាំងឌុចស្យុងទទួលសារធាតុក្រាហ្វីតដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់។ |
គុណសម្បត្តិវិស្វកម្មស្នូល៖
១. ធន់នឹងការឆក់កម្ដៅខ្ពស់៖ មានសមត្ថភាពទ្រាំទ្រនឹងវដ្តកំដៅ និងត្រជាក់យ៉ាងឆាប់រហ័សជាបន្តបន្ទាប់ (លើសពី 1500°C) ដោយមិនប្រេះ ឬរបកចេញ។
២. ភាពអសកម្មខាងគីមី៖ មានភាពស៊ាំទាំងស្រុងចំពោះការរិចរិលពី H2, NH3, ឧស្ម័នស៊ីឡាន និងសារធាតុសម្អាតគីមីដ៏អាក្រក់។
៣. ការផ្គូផ្គងមេគុណនៃការពង្រីកកម្ដៅ (CTE)៖ ដំណើរការដាក់ស៊ីស៊ីដែលមានកម្មសិទ្ធិរបស់ VET Energy តម្រឹមឥរិយាបថពង្រីកកម្ដៅនៃថ្នាំកូតស៊ីស៊ីជាមួយនឹងស្នូលក្រាហ្វីត ដោយការពារការបាក់ស្រោបនៅសីតុណ្ហភាពខ្លាំង។
៤. តួនាទី និងការអនុវត្តក្នុងដំណើរការឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក
ឧបករណ៍ទទួលសញ្ញាក្រាហ្វីតដែលមានភាពជឿជាក់ខ្ពស់បម្រើជាសមាសធាតុដែលអាចដំណើរការបានជាមូលដ្ឋាននៅទូទាំងជំហានផលិតឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកសំខាន់ៗមួយចំនួន៖
(1) ការលូតលាស់ Epitaxial (Epi) នៃ CVD និង MOCVD
នៅក្នុងការផលិតអំពូល LED GaN, epitaxy ឧបករណ៍ថាមពល SiC និង epi-growth នៃបន្ទះស៊ីលីកុន កម្រាស់ខ្សែភាពយន្ត និងឯកសណ្ឋាននៃសារធាតុដូពីងអាស្រ័យយ៉ាងខ្លាំងទៅលើភាពដូចគ្នានៃដែនកម្ដៅ។ ឧបករណ៍ទទួលកម្ដៅក្រាហ្វីតចែកចាយកំដៅស្មើៗគ្នាឆ្លងកាត់ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធបន្ទះតែមួយ ឬបន្ទះច្រើនកំឡុងពេលបង្វិល ដោយទប់ស្កាត់ការកោង ឬខ្សែរអិលដែលបង្កឡើងដោយភាពតានតឹងកម្ដៅ។
(2) ការដុះលូតលាស់គ្រីស្តាល់តែមួយ (វិធីសាស្ត្រ PVT)
អំឡុងពេលការលូតលាស់របស់ស៊ីលីកុនកាបៃ (SiC) និងគ្រីស្តាល់ត្បូងកណ្តៀងតាមរយៈការដឹកជញ្ជូនចំហាយរូបវន្ត (PVT) សារធាតុស្រូបយកកំណត់ជម្រាលតំបន់កម្ដៅ ដោយណែនាំដោយផ្ទាល់នូវការបង្កើតដុំគ្រីស្តាល់តែមួយ និងកាត់បន្ថយដង់ស៊ីតេនៃការផ្លាស់ទីលំនៅ។
(3) ដំណើរការកម្ដៅរហ័ស (RTP) និងការដុតកម្ដៅ
ដោយទាញយកអត្ថប្រយោជន៍ពីកំដៅអាំងឌុចស្យុងក្រាហ្វីតដែលមានប្រសិទ្ធភាព វេទិកានេះអាចឱ្យមានពេលវេលាឆ្លើយតបកម្ដៅលឿនបំផុតដែលត្រូវការសម្រាប់ការដុតបន្ទះឈើក្រោយពេលដាក់ និងការបង្កើតចំណុចប្រសព្វ។
៥. ហេតុអ្វីត្រូវជ្រើសរើស VET Energy?
ជាមួយនឹងតម្រូវការដ៏តឹងរ៉ឹងសម្រាប់ភាពធន់នៃខ្សែសង្វាក់ផ្គត់ផ្គង់ ភាពបរិសុទ្ធខ្លាំង និងអាយុកាលសេវាកម្មយូរជាងមុនថាមពល VETលេចធ្លោជាដៃគូវិស្វកម្មសកលដែលគួរឱ្យទុកចិត្ត៖
១. ការកែច្នៃខ្នាតតូចដែលមានភាពជាក់លាក់មជ្ឈមណ្ឌលម៉ាស៊ីន CNC ពហុអ័ក្សអាចឱ្យមានហោប៉ៅ wafer ស្មុគស្មាញ ចង្អូរតូចៗ និងឆានែលឧស្ម័នឌីណាមិកផ្ទាល់ខ្លួនដែលមានភាពអត់ធ្មត់ចុះដល់កម្រិតមីក្រូម៉ែត្រ។
2. ការដាក់ SiC CVD កម្រិតខ្ពស់ក្រាស់៖ ដំណើរការ CVD ផ្តាច់មុខរបស់យើងសម្រេចបាននូវថ្នាំកូត SiC ដែលមានដង់ស៊ីតេខ្ពស់ អាចប៉ូលាដូចកញ្ចក់ ដែលពន្យារអាយុកាលប្រតិបត្តិការវដ្តកម្ដៅបានជាង 30%។
៣. បរិស្ថានដំណើរការស្អាតបំផុត៖ ការបន្សុទ្ធពេញលេញ និងការគ្រប់គ្រងបន្ទប់ស្អាតធានានូវមាតិកាផេះសរុបដែលរក្សាឱ្យនៅទាបជាង 5 ppm ជាប់លាប់ ដែលបំពេញតម្រូវការឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក OEM ដ៏តឹងរ៉ឹងស្តង់ដារហ្វាប។
៤. ថ្លៃដើមនៃភាពជាម្ចាស់កម្មសិទ្ធិ (CoO) ដែលបានធ្វើឱ្យប្រសើរឡើង៖ VET Energy ផ្តល់នូវពេលវេលានាំមុខលឿនជាងមុន រួមជាមួយនឹងសមាមាត្រតម្លៃទៅនឹងដំណើរការដែលមានការប្រកួតប្រជែង ដែលជួយអ្នកផលិតបន្ទះឈីបកាត់បន្ថយការចំណាយលើការប្រើប្រាស់។
ពេលវេលាបង្ហោះ៖ ថ្ងៃទី ១៤ ខែសីហា ឆ្នាំ ២០២៦