សមាសធាតុស្រោបដោយ CVD SiC សម្រាប់ស៊ីលីកុន Epitaxy (Si Epi)

ត្រូវបានរចនាឡើងយ៉ាងជាក់លាក់សម្រាប់ប្រព័ន្ធដាក់ស៊ីលីកុន Epitaxial ស្រទាប់ស្តើងតែមួយ និងប្រព័ន្ធដាក់ស៊ីលីកុន Epitaxial ជាបាច់ ឧបករណ៍ស្រូបទាញស៊ីក្លូ CVD SiC របស់យើង ឌីសផ្កាយរណប និងសមាសធាតុវាលកម្ដៅ ផ្តល់នូវឯកសណ្ឋានកម្ដៅដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងការបញ្ចេញឧស្ម័នសូន្យ។ ស្រទាប់ថ្នាំកូត β-SiC គូបដង់ស៊ីតេខ្ពស់រុំព័ទ្ធស្រទាប់ក្រាហ្វីតដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់យ៉ាងពេញលេញ ការពារការឆ្លាក់ឧស្ម័នដែលមានប្រតិកម្ម (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) និងធានាកម្រិតភាពមិនបរិសុទ្ធលោហធាតុទាបបំផុត (< 5 ppm) ក្នុងអំឡុងពេលដំណើរការ Si Epi សីតុណ្ហភាពខ្ពស់ (1000°C - 1200°C)។