ការសិក្សាករណី៖ សមាសធាតុក្រាហ្វីតដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់សម្រាប់វាលកម្ដៅម៉ូណូគ្រីស្តាលីនទំហំ 32 អ៊ីញក្នុងការលូតលាស់ស៊ីលីកុនប្រភេទ N
អ្នកនិពន្ធ៖លោកវេជ្ជបណ្ឌិត Steven Qiu វិស្វករជាន់ខ្ពស់ផ្នែកសម្ភារៈអេឡិចត្រូនិក និងជានាយកបច្ចេកទេសនៅ VET Energy
បានបោះពុម្ពផ្សាយ៖ខែសីហា ឆ្នាំ២០២៦ | របាយការណ៍វាលបច្ចេកទេស និងការវិភាគវិស្វកម្ម
សេចក្តីសង្ខេបសម្រាប់នាយកប្រតិបត្តិ និងទិដ្ឋភាពទូទៅនៃគម្រោង
- ឧស្សាហកម្ម៖ការផលិតបន្ទះសូឡា PV និងបន្ទះស៊ីលីកុនស៊ីមីកុងដុកទ័រ
- ដំណើរការ៖ការទាញដុំដែកគ្រីស្តាលីនប្រភេទ N ប្រភេទ Czochralski (CZ) (TOPCon/HJT) ម៉ូណូគ្រីស្តាលីន
- ឧបករណ៍៖ឡចំហាយកម្ដៅដែលមានអង្កត់ផ្ចិតធំ ៣២ អ៊ីញ (៥០ គ្រឿងត្រូវបានវាយតម្លៃ)
- ដំណោះស្រាយ៖សមាសធាតុក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចបន្សុទ្ធហាឡូហ្សែនជ្រៅ (ផេះ ≤ 2-5 ppm) + ថ្នាំកូត CVD SiC
- ផលប៉ះពាល់បរិមាណ៖អាយុកាលរបស់ Minority Carrier ត្រូវបានបង្កើនពី <100 μs ដល់ >380 μs; ទិន្នផលដុំដែក +18%; អាយុកាលរបស់ Thermal Field +30%។
សេចក្តីផ្តើម៖ បញ្ហាប្រឈមនៃវាលកម្ដៅទំហំ ៣២ អ៊ីញ ក្នុងការលូតលាស់ស៊ីលីកុនប្រភេទ N ដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់
ដោយសារឧស្សាហកម្មថាមពលពន្លឺព្រះអាទិត្យផ្លាស់ប្តូរយ៉ាងឆាប់រហ័សពីកោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ PERC ប្រភេទ P ទៅកោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ TOPCon ប្រភេទ N និង Heterojunction (HJT) តម្រូវការសម្រាប់បន្ទះស៊ីលីកុនដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ជាងនេះបានកើនឡើងយ៉ាងខ្លាំង។ ស្រទាប់ស៊ីលីកុនប្រភេទ N ត្រូវការអាយុកាលផ្ទុកភាគតិចខ្ពស់បំផុត (ជាធម្មតា >300 μs) និងការបំពុលលោហៈធាតុអន្តរកាលស្ទើរតែសូន្យ។
ដើម្បីបង្កើនទិន្នផល ក្រុមហ៊ុនផលិតបន្ទះស៊ីលីកុនកំពុងពង្រីកទំហំ Crucible ដល់ 32 អ៊ីញ និងលើសពីនេះ។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ ការដំណើរការនៅសីតុណ្ហភាពលើសពី 1,450°C នៅក្នុងវាលកម្ដៅ 32 អ៊ីញ បង្កឱ្យមានបញ្ហាប្រឈមផ្នែកវិស្វកម្មធ្ងន់ធ្ងរ៖
- ការរិចរិលកម្ដៅ និងភាពមិនស៊ីមេទ្រី៖ជម្រាលកម្ដៅដ៏ខ្លាំងបណ្តាលឱ្យមានការខូចទ្រង់ទ្រាយរចនាសម្ព័ន្ធ និងការប្រេះនៅក្នុងឧបករណ៍កម្តៅក្រាហ្វីតស្តង់ដារ និងជើងទម្រ។
- ការចម្លងរោគលោហៈងាយនឹងបង្កជាហេតុ៖ធាតុមិនបរិសុទ្ធតាមដាន (Fe, Ni, Cu, V) នៅក្នុងក្រាហ្វីតធម្មតាហួតក្នុងអំឡុងពេលទាញគ្រីស្តាល់យូរ ដោយធ្វើចំណាកស្រុកដោយផ្ទាល់ទៅក្នុងស៊ីលីកុនរលាយ និងបណ្តាលឱ្យមានការរិចរិលអាយុកាលរបស់សារធាតុផ្ទុកភាគតិចយ៉ាងធ្ងន់ធ្ងរ។
ដំណោះស្រាយវិស្វកម្ម៖ ក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចដែលបានបន្សុទ្ធខ្លាំង និងការការពារ SiC CVD
ដើម្បីជំនះឧបសគ្គបច្ចេកទេសទាំងនេះ ក្រុមហ៊ុន VeTek Semiconductor បានដាក់ពង្រាយការធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងនូវសម្ភារៈយ៉ាងទូលំទូលាយនៅទូទាំងការផ្គុំវាលកម្ដៅទំហំ 32 អ៊ីញទាំងមូល ដែលមានក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចដង់ស៊ីតេខ្ពស់ ដែលទទួលរងនូវការបន្សុទ្ធហាឡូហ្សែនសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងថ្នាំកូត CVD Silicon Carbide (SiC) ការពារ។
១. ការបន្សុទ្ធហាឡូហ្សែនជ្រៅ (មាតិកាផេះ ≤ ២-៥ ppm)
ក្រាហ្វីតឧស្សាហកម្មស្តង់ដារមានផ្ទុកផេះច្រើនចាប់ពី 50 ppm ដល់ 200 ppm។ នៅសីតុណ្ហភាព 1,450°C ក្រោមសុញ្ញកាស ធាតុដានទាំងនេះនឹងហួត។ ដំណើរការបន្សុទ្ធឧស្ម័នហាឡូហ្សែនសីតុណ្ហភាពខ្ពស់របស់យើងបំលែងលោហធាតុមិនបរិសុទ្ធទៅជាសមាសធាតុហាឡូហ្សែនងាយនឹងហួត (ក្លរីត/ហ្វ្លុយអូរីត) នៅសីតុណ្ហភាពលើសពី 2,400°C។
- ការធ្វើតេស្តម៉ាសស្ពិចត្រូម៉ែត្របញ្ចេញពន្លឺ (GDMS)ផ្ទៀងផ្ទាត់ថាភាពមិនបរិសុទ្ធនៃលោហធាតុសរុប (Fe, Cr, Ni, Cu, V) ត្រូវបានកាត់បន្ថយមកក្រោម 0.5 ppm ដោយសម្រេចបាននូវមាតិកាផេះសរុប ≤ 2 ppm។
- លទ្ធផល៖លុបបំបាត់ការវិវត្តន៍ឧស្ម័នលោហធាតុផ្ទៃខាងក្រោយ ដោយការពារអាងស៊ីលីកុនរលាយពីការបំពុលក្នុងអំឡុងពេលជាង 120 ម៉ោងនៃវដ្តទាញជាបន្តបន្ទាប់។
2. រចនាសម្ព័ន្ធក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចដង់ស៊ីតេខ្ពស់សម្រាប់ស្ថេរភាពកម្ដៅ
សមាសធាតុនានា រួមទាំងឧបករណ៍កម្តៅក្រាហ្វីត ឧបករណ៍ស្រូបយកចំហាយទឹក និងធុងអ៊ីសូឡង់ ត្រូវបានផលិតពីក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចដែលមានដង់ស៊ីតេខ្ពស់ (1.85 ក្រាម/សង់ទីម៉ែត្រគូប) មានគ្រាប់ល្អិតៗ (ទំហំគ្រាប់ <10 μm)។ ការចុចអ៊ីសូស្តាទិចធានានូវការពង្រីកកម្ដៅអ៊ីសូត្រូពិចឯកសណ្ឋាន (CTE) ដោយការពារភាពតានតឹងកម្ដៅក្នុងតំបន់ ការរួញ និងការប្រេះមេកានិចក្រោមវដ្តកម្ដៅម្តងហើយម្តងទៀត។
៣. ថ្នាំកូតការពារ CVD ស៊ីលីកុនកាបូអ៊ីដ (SiC)
សមាសធាតុសំខាន់ៗដែលប៉ះពាល់នឹងចំហាយស៊ីលីកុន និងឧស្ម័នបន្សុទ្ធសារធាតុกัดกร่อน ត្រូវបានស្រោបដោយស្រទាប់ស៊ីលីកុនកាបូអ៊ីដ (SiC) កម្រាស់ 50–80 μm ដែលមានដង់ស៊ីតេខ្ពស់ជាងគេ។
- របាំងការពារការច្រេះ៖ការពារប្រតិកម្មគីមីដោយផ្ទាល់រវាងចំហាយស៊ីលីកុនងាយនឹងបង្កជាឧស្ម័ន (SiO2) និងស្រទាប់ក្រាហ្វីត (SiO2 + 2C → SiC + CO) ដោយលុបបំបាត់សំណឹកផ្ទៃ និងការបង្កើតធូលីកាបូន។
- ភាពជាក់លាក់ខាងធរណីមាត្រ៖រក្សាបាននូវរូបរាងធរណីមាត្រវាលកម្ដៅដ៏ពិតប្រាកដលើសពីចន្លោះពេលសេវាកម្មយូរជាង 30%។
ទិន្នន័យការអនុវត្តដែលបានវាស់វែង និងការផ្ទៀងផ្ទាត់ការសាកល្បងនៅទីវាល
ការសាកល្បងវាលប្រៀបធៀបរយៈពេល 6 ខែត្រូវបានធ្វើឡើងលើឡដុត CZ ទំហំ 32 អ៊ីញ ទ្រង់ទ្រាយផលិតកម្មចំនួន 50 នៅរោងចក្រផលិតបន្ទះស៊ីលីកុន TOPCon កម្រិត 1។ ខាងក្រោមនេះគឺជាស្តង់ដារការអនុវត្តដែលប្រៀបធៀបសមាសធាតុក្រាហ្វីតស្តង់ដារទល់នឹងដំណោះស្រាយវាលកម្ដៅដែលបានបន្សុទ្ធរបស់ VeTek Semiconductor៖
| រង្វាស់ការអនុវត្ត | វាលកម្ដៅក្រាហ្វីតស្តង់ដារ | ដំណោះស្រាយក្រាហ្វិចបន្សុត VeTek |
|---|---|---|
| មាតិកាផេះក្រាហ្វីតភាគច្រើន | ៥០ – ១០០ ភីភីអឹម | ≤ 2 – 5 ppm (ហាឡូហ្សែនបន្សុទ្ធ) |
| ភាពមិនបរិសុទ្ធនៃលោហៈសរុប (GDMS) | ~១៥ – ៣០ ppm (Fe, Ni, V) | < ០.៥ ភីភីអឹម |
| អាយុកាលជាមធ្យមរបស់អ្នកដឹកជញ្ជូនជនជាតិភាគតិច | ៨៥ – ១២០ μs (ភាពខុសគ្នាខ្ពស់) | ៣៨០ – ៤៥០ μs (ខ្ពស់ជាប់លាប់) |
| អាយុកាលនៃសមាសធាតុវាលកម្ដៅ | វដ្តទាញ ៦០ – ៧៥ | វដ្តទាញ 90 – 105 (+30%) |
| អត្រាទិន្នផលដុំដែកប្រភេទ N ថ្នាក់ A | ៧៤.៥% | ៩២.៥% (+១៨% នៃទិន្នផលប្រសើរឡើង) |
សំណួរដែលសួរញឹកញាប់ (FAQ)
សំណួរទី 1: តើអ្វីជាមូលហេតុចម្បងនៃការបាត់បង់ទិន្នផលនៅក្នុងការទាញស៊ីលីកុន monocrystalline ប្រភេទ N ទំហំ 32 អ៊ីញ?
ក១៖ការខាតបង់ទិន្នផលភាគច្រើនបណ្តាលមកពីការបំពុលលោហៈមិនបរិសុទ្ធ (កាត់បន្ថយអាយុកាលរបស់ភាគតិច) និងការខូចទ្រង់ទ្រាយកម្ដៅរចនាសម្ព័ន្ធនៃឧបករណ៍កម្តៅក្រាហ្វីតដែលមានអង្កត់ផ្ចិតធំ ដែលរំខានដល់ចំណុចប្រទាក់គ្រីស្តាល់រឹង-រាវ។
សំណួរទី 2៖ តើការបន្សុទ្ធហាឡូហ្សែនសម្រេចបានមាតិកាផេះក្រោម 5 ppm យ៉ាងដូចម្តេច?
ចម្លើយទី ២៖ការបន្សុទ្ធហាឡូហ្សែនធ្វើឱ្យផ្នែកក្រាហ្វីតទទួលរងនូវសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ (>2,400°C) ខណៈពេលកំពុងចាក់ឧស្ម័នក្លរីន និងហ្វ្លុយអូរីន។ ឧស្ម័នទាំងនេះមានប្រតិកម្មជាមួយធាតុលោហៈដែលជ្រៅ ប្រែក្លាយវាទៅជាហាលីតលោហៈងាយនឹងបង្កជាឧស្ម័នដែលហៀរចេញ ដោយបន្សល់ទុកក្រាហ្វីតសុទ្ធខ្លាំង។
សំណួរទី 3: តើថ្នាំកូត CVD SiC អាចត្រូវបានលាបឡើងវិញ ឬលាបលើសមាសធាតុវាលកម្ដៅក្រាហ្វីតទាំងអស់បានទេ?
ក៣៖ថ្នាំកូត CVD SiC ត្រូវបានអនុវត្តយ៉ាងល្អឥតខ្ចោះចំពោះសមាសធាតុដែលធន់នឹងការពាក់ខ្ពស់ដូចជា ចង្ក្រានក្រាហ្វីត មគ្គុទ្ទេសក៍លំហូរ ឧបករណ៍កម្តៅ និងធុងអ៊ីសូឡង់។ អាស្រ័យលើការពាក់ស្រទាប់ខាងក្រោម សមាសធាតុដែលបានជ្រើសរើសអាចត្រូវបានកែច្នៃឡើងវិញ និងលាបឡើងវិញ ដែលកាត់បន្ថយថ្លៃដើមប្រតិបត្តិការទាំងមូល។
សេចក្តីសន្និដ្ឋាន និងការពិគ្រោះយោបល់បច្ចេកទេស
ការធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងទៅជាសមាសធាតុក្រាហ្វីតអ៊ីសូស្តាទិចដែលបានបន្សុទ្ធខ្លាំងជាមួយនឹងការការពារ CVD SiC ផ្តល់នូវមាគ៌ាដោយផ្ទាល់ និងអាចវាស់វែងបាន ដើម្បីដោះស្រាយការកកស្ទះទិន្នផល និងភាពមិនបរិសុទ្ធនៅក្នុងការលូតលាស់ស៊ីលីកុនម៉ូណូគ្រីស្តាលីនប្រភេទ N ទំហំ 32 អ៊ីញ។ ជាមួយនឹងការកែលម្អ 18% នៃទិន្នផលចម្បង និងអាយុកាលវាលកម្ដៅដែលបានពង្រីក 30% ក្រុមហ៊ុនផលិតបន្ទះសូឡាអាចសម្រេចបាន ROI យ៉ាងច្រើន។
បង្កើនប្រសិទ្ធភាពវាលកម្ដៅម៉ូណូគ្រីស្តាលីនរបស់អ្នកនៅថ្ងៃនេះ
ទាញយកសន្លឹកទិន្នន័យបច្ចេកទេសពេញលេញ (TDS) ឬទាក់ទងអ្នកជំនាញវិស្វកម្មរបស់យើងដើម្បីទទួលបានសម្រង់តម្លៃតាមតម្រូវការ។
បង្កើនប្រសិទ្ធភាពវាលកម្ដៅម៉ូណូគ្រីស្តាលីនរបស់អ្នកនៅថ្ងៃនេះ
ទាញយកសន្លឹកទិន្នន័យបច្ចេកទេសពេញលេញ (TDS) ឬទាក់ទងអ្នកជំនាញវិស្វកម្មរបស់យើងដើម្បីទទួលបានសម្រង់តម្លៃតាមតម្រូវការ។
ពេលវេលាបង្ហោះ៖ ថ្ងៃទី ១៥ ខែសីហា ឆ្នាំ ២០២៦