SiC ವೇಫರ್‌ನಲ್ಲಿ 4 ಇಂಚಿನ GaN

SiC ವೇಫರ್ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗೊಳಿಸಿದ ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ 4 ಇಂಚಿನ GaN

ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತ ವಿವರಣೆ:

SiC ವೇಫರ್‌ನಲ್ಲಿ VET ಎನರ್ಜಿಯ 4-ಇಂಚಿನ GaN ವಿದ್ಯುತ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ಕ್ರಾಂತಿಕಾರಿ ಉತ್ಪನ್ನವಾಗಿದೆ. ಈ ವೇಫರ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ (SiC) ನ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಸಾಂದ್ರತೆ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ (GaN) ನಷ್ಟದೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಸೂಕ್ತವಾದ ಆಯ್ಕೆಯಾಗಿದೆ. VET ಶಕ್ತಿಯು ಸುಧಾರಿತ MOCVD ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಮೂಲಕ ವೇಫರ್‌ನ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಮತ್ತು ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಖಾತ್ರಿಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ PDF ಆಗಿ ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

VET ಎನರ್ಜಿಯ ಉತ್ಪನ್ನ ಶ್ರೇಣಿಯು SiC ವೇಫರ್‌ಗಳಲ್ಲಿ GaN ಗೆ ಸೀಮಿತವಾಗಿಲ್ಲ. ನಾವು Si Wafer, SiC ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್, SOI ವೇಫರ್, SiN ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್, Epi ವೇಫರ್, ಇತ್ಯಾದಿ ಸೇರಿದಂತೆ ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಸಬ್‌ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಸಹ ಒದಗಿಸುತ್ತೇವೆ. ಜೊತೆಗೆ, ನಾವು Gallium Oxide Ga2O3 ಮತ್ತು AlN ನಂತಹ ಹೊಸ ವೈಡ್ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ಗ್ಯಾಪ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಸಹ ಸಕ್ರಿಯವಾಗಿ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸುತ್ತಿದ್ದೇವೆ. ವೇಫರ್, ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಸಾಧನಗಳಿಗಾಗಿ ಭವಿಷ್ಯದ ವಿದ್ಯುತ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಉದ್ಯಮದ ಬೇಡಿಕೆಯನ್ನು ಪೂರೈಸಲು.

VET ಎನರ್ಜಿ ಹೊಂದಿಕೊಳ್ಳುವ ಗ್ರಾಹಕೀಕರಣ ಸೇವೆಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಗ್ರಾಹಕರ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಅಗತ್ಯಗಳಿಗೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ ವಿವಿಧ ದಪ್ಪಗಳು, ವಿವಿಧ ರೀತಿಯ ಡೋಪಿಂಗ್ ಮತ್ತು ವಿಭಿನ್ನ ವೇಫರ್ ಗಾತ್ರಗಳ GaN ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಲೇಯರ್‌ಗಳನ್ನು ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಬಹುದು. ಹೆಚ್ಚುವರಿಯಾಗಿ, ಉನ್ನತ-ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಪವರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ತ್ವರಿತವಾಗಿ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲು ಗ್ರಾಹಕರಿಗೆ ಸಹಾಯ ಮಾಡಲು ನಾವು ವೃತ್ತಿಪರ ತಾಂತ್ರಿಕ ಬೆಂಬಲ ಮತ್ತು ಮಾರಾಟದ ನಂತರದ ಸೇವೆಯನ್ನು ಸಹ ಒದಗಿಸುತ್ತೇವೆ.

ವೇಫರಿಂಗ್ ವಿಶೇಷಣಗಳು

*n-Pm=n-ಟೈಪ್ Pm-ಗ್ರೇಡ್, n-Ps=n-ಟೈಪ್ Ps-ಗ್ರೇಡ್, Sl=Semi-lnsulating

ಐಟಂ	8-ಇಂಚು	6-ಇಂಚು			4-ಇಂಚು
ಐಟಂ	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
ಬೋ(GF3YFCD)-ಸಂಪೂರ್ಣ ಮೌಲ್ಯ	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
ವಾರ್ಪ್(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
ವೇಫರ್ ಎಡ್ಜ್	ಬೆವಲಿಂಗ್

ಮೇಲ್ಮೈ ಮುಕ್ತಾಯ

*n-Pm=n-ಟೈಪ್ Pm-ಗ್ರೇಡ್, n-Ps=n-ಟೈಪ್ Ps-ಗ್ರೇಡ್, Sl=Semi-lnsulating

ಐಟಂ	8-ಇಂಚು	6-ಇಂಚು			4-ಇಂಚು
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
ಮೇಲ್ಮೈ ಮುಕ್ತಾಯ	ಡಬಲ್ ಸೈಡ್ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಪೋಲಿಷ್, Si- ಫೇಸ್ CMP
ಮೇಲ್ಮೈ ಒರಟುತನ	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm ಸಿ-ಫೇಸ್ ರಾ≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm ಸಿ-ಫೇಸ್ Ra≤0.5nm
ಎಡ್ಜ್ ಚಿಪ್ಸ್	ಯಾವುದನ್ನೂ ಅನುಮತಿಸಲಾಗಿಲ್ಲ (ಉದ್ದ ಮತ್ತು ಅಗಲ≥0.5mm)
ಇಂಡೆಂಟ್‌ಗಳು	ಯಾವುದಕ್ಕೂ ಅನುಮತಿ ಇಲ್ಲ
ಗೀರುಗಳು (Si-Face)	Qty.≤5,ಸಂಚಿತ ಉದ್ದ≤0.5×ವೇಫರ್ ವ್ಯಾಸ	Qty.≤5,ಸಂಚಿತ ಉದ್ದ≤0.5×ವೇಫರ್ ವ್ಯಾಸ			Qty.≤5,ಸಂಚಿತ ಉದ್ದ≤0.5×ವೇಫರ್ ವ್ಯಾಸ
ಬಿರುಕುಗಳು	ಯಾವುದಕ್ಕೂ ಅನುಮತಿ ಇಲ್ಲ
ಎಡ್ಜ್ ಹೊರಗಿಡುವಿಕೆ	3ಮಿ.ಮೀ