4 hüvelykes GaN SiC Waferen

A VET Energy termékcsaládja nem korlátozódik a SiC lapkákon lévő GaN-re. Félvezető szubsztrátum anyagok széles skáláját kínáljuk, beleértve a Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer stb. Wafer, a jövőbeni teljesítményelektronikai ipar nagyobb teljesítményű eszközök iránti keresletének kielégítésére.

A VET Energy rugalmas testreszabási szolgáltatásokat nyújt, és az ügyfelek egyedi igényei szerint testre szabhatja a különböző vastagságú, különböző típusú doppingolású és különböző méretű ostya GaN epitaxiális rétegeket. Ezen kívül professzionális műszaki támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást is nyújtunk, hogy segítsünk ügyfeleinknek a nagy teljesítményű elektromos eszközök gyors fejlesztésében.