GaN de 4 polgadas en oblea de SiC

Imaxe destacada de 4 polgadas de GaN sobre oblea SiC

Breve descrición:

A oblea GaN sobre SiC de 4 polgadas de VET Energy é un produto revolucionario no campo da electrónica de potencia. Esta oblea combina a excelente condutividade térmica do carburo de silicio (SiC) coa alta densidade de potencia e a baixa perda de nitruro de galio (GaN), polo que é unha opción ideal para fabricar dispositivos de alta frecuencia e potencia. VET Energy garante o excelente rendemento e consistencia da oblea mediante a avanzada tecnoloxía epitaxial MOCVD.

Envíanos un correo electrónico Descarga como PDF

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

A liña de produtos de VET Energy non se limita a GaN en obleas de SiC. Tamén ofrecemos unha ampla gama de materiais de substrato semicondutores, incluíndo Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc. Wafer, para satisfacer a demanda futura da industria electrónica de potencia de dispositivos de maior rendemento.

VET Energy ofrece servizos de personalización flexibles e pode personalizar capas epitaxiais GaN de diferentes grosores, diferentes tipos de dopaxe e diferentes tamaños de obleas segundo as necesidades específicas dos clientes. Ademais, tamén ofrecemos soporte técnico profesional e servizo posvenda para axudar aos clientes a desenvolver rapidamente dispositivos electrónicos de potencia de alto rendemento.

ESPECIFICACIÓNS DA OBLEA

*n-Pm=n-tipo Pm-Grado, n-Ps=n-tipo Ps-Grado, Sl=Semi-isolante

Elemento	8 polgadas	6 polgadas			4 polgadas
Elemento	nP	n-p.m	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤ 6um	≤ 6um
Bow (GF3YFCD) - Valor absoluto	≤ 15 μm	≤ 15 μm	≤ 25 μm		≤ 15 μm
Deformación (GF3YFER)	≤ 25 μm	≤ 25 μm	≤ 40 μm		≤ 25 μm
LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm	<2 μm
Borde de oblea	Biselado

ACABADO SUPERFICIAL

*n-Pm=n-tipo Pm-Grado, n-Ps=n-tipo Ps-Grado, Sl=Semi-isolante

Elemento	8 polgadas	6 polgadas			4 polgadas
	nP	n-p.m	n-Ps	SI	SI
Acabado superficial	Esmalte óptico de doble cara, Si-face CMP
Rugosidade superficial	(10um x 10um) Si-FaceRa ≤0,2 nm C-Face Ra ≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0,5 nm
Chips de borde	Ningún permitido (longo e ancho ≥0,5 mm)
sangrías	Ningún permitido
Arañazos (Si-face)	Cant.≤5,Acumulativo Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea	Cant.≤5,Acumulativo Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea			Cant.≤5,Acumulativo Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea
Gretas	Ningún permitido
Exclusión de borde	3 mm