4 tommer GaN på SiC Wafer

VET Energys produktlinje er ikke begrenset til GaN på SiC-skiver. Vi tilbyr også et bredt utvalg av halvledersubstratmaterialer, inkludert Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc. I tillegg utvikler vi også aktivt nye halvledermaterialer med brede båndgap, som Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer, for å møte fremtidens kraftelektronikkindustris behov for enheter med høyere ytelse.

VET Energy tilbyr fleksible tilpasningstjenester, og kan tilpasse GaN epitaksiale lag med forskjellige tykkelser, forskjellige typer doping og forskjellige waferstørrelser i henhold til kundenes spesifikke behov. I tillegg tilbyr vi også profesjonell teknisk støtte og ettersalgsservice for å hjelpe kunder med å raskt utvikle høyytelses kraftelektroniske enheter.