Nûçe

Pêvajoya hilberîna reaktorê otomatîk
ji hêla admin ve di 22-09-17 de
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. şîrketeke teknolojiya bilind e ku li Çînê hatiye damezrandin, ku balê dikişîne ser Teknolojiya Materyalên Pêşketî û berhemên otomobîlan. Em hilberîner û dabînkerê profesyonel in ku xwedî kargeh û tîma firotanê ya xwe ne.
Zêdetir bixwîne
Du pompên valahiyê yên elektrîkî ji bo Amerîkayê hatin şandin
ji hêla admin ve di 22-09-14 de

Zêdetir bixwîne
Hestê grafîtê ji bo Vîetnamê hate şandin
ji hêla admin ve di 22-09-14 de

Zêdetir bixwîne
Pêçandina berxwedêr a oksîdasyona SiC li ser rûyê grafîtê bi pêvajoya CVD hate amadekirin
ji hêla admin ve di 22-09-14 de
Pêçandina SiC dikare bi rêya danîna buxara kîmyewî (CVD), veguherîna pêşeng, sprekirina plazmayê, û hwd. were amadekirin. Pêçandina ku bi danîna buxara KÎMYEWÎ tê amadekirin yekreng û kompakt e, û xwedan sêwirandinek baş e. Bi karanîna metîl trîklosîlan. (CH2SiCl3, MTS) wekî çavkaniya silîkonê, amadekirina pêçandina SiC...
Zêdetir bixwîne
Avahiya karbîda silîkonê
ji hêla admin ve di 22-08-30 de
Sê cureyên sereke yên polîmorfên karbîda silîkonê Nêzîkî 250 formên krîstalî yên karbîda silîkonê hene. Ji ber ku karbîda silîkonê rêzek polîtîpên homojen ên bi avahiya krîstalî ya wekhev heye, karbîda silîkonê xwedî taybetmendiyên polîkrîstalîn ên homojen e. Karbîda silîkonê (Mosanît)...
Zêdetir bixwîne
Rewşa lêkolînê ya çerxa entegre ya SiC
ji hêla admin ve di 22-08-23 de
Ji cîhazên S1C yên veqetandî yên ku taybetmendiyên voltaja bilind, hêza bilind, frekansa bilind û germahiya bilind dişopînin, armanca lêkolînê ya çerxa entegre ya SiC bi giranî ew e ku çerxa dîjîtal a germahiya bilind ji bo çerxa kontrola IC-yên hêza jîr bi dest bixe. Wekî çerxa entegre ya SiC ji bo...
Zêdetir bixwîne
Bikaranîna cîhazên SiC di jîngeha germahiya bilind de
ji hêla admin ve di 22-08-23 de
Di alavên hewavanî û otomobîlan de, elektronîk pir caran di germahiyên bilind de dixebitin, wekî motorên balafiran, motorên otomobîlan, keştîyên fezayî yên li ser mîsyonên nêzîkî rojê, û alavên germahiyên bilind di peykan de. Amûrên Si an GaAs ên asayî bikar bînin, ji ber ku ew di germahiyên pir bilind de naxebitin, ji ber vê yekê...
Zêdetir bixwîne
Amûrên rûbera nîvconductor ên nifşa sêyemîn -SiC (silicon carbide) û sepanên wan
ji hêla admin ve di 22-08-23 de
Wekî cureyekî nû yê materyalê nîvconductor, SiC ji ber taybetmendiyên xwe yên fîzîkî û kalîteya bilind, bûye materyalê nîvconductor ê herî girîng ji bo çêkirina cîhazên optoelektronîkî yên bi dirêjahiya pêlên kurt, cîhazên germahiya bilind, cîhazên berxwedana tîrêjê û cîhazên elektronîkî yên bi hêz/hêza bilind...
Zêdetir bixwîne
Bikaranîna silicon carbide
ji hêla admin ve di 22-08-23 de
Karbîda silîkonê wekî qûma pola zêr an jî qûma refrakter jî tê zanîn. Karbîda silîkonê ji qûma kuartzê, koka petrolê (an jî koka komirê), perçeyên daran (hilberîna karbîda silîkonê ya kesk hewce dike ku xwê lê zêde bike) û madeyên xav ên din di firna berxwedanê de bi helandina germahiya bilind tê çêkirin. Niha...
Zêdetir bixwîne