Nuntii

Processus productionis reactoris automaticus
ab administratore die XXII mensis Septembris anni MMXVII
Societas Technologiae Energiae Ningbo VET, Ltd., est societas technologiae provectae in Sinis constituta, quae in technologia materiarum provectarum et productis autocineticis versatur. Fabricatores et praebitores professionales sumus, officina et turma venditionum propria praediti.
Plura lege
Duae antliae electricae vacui in Americam missae sunt.
ab administratore die XXII mensis Septembris anni MMXIV

Plura lege
Feltum graphitum in Vietnam missus est
ab administratore die XXII mensis Septembris anni MMXIV

Plura lege
Tegumentum SiC oxidationi resistens in superficie graphiti per processum CVD paratum est.
ab administratore die XXII mensis Septembris anni MMXIV
Tegumentum SiC per depositionem vaporis chemici (CVD), transformationem praecursoris, pulverizationem plasmatis, etc. praeparari potest. Tegumentum per depositionem vaporis chemici praeparatum uniforme et compactum est, et bonam designabilitatem habet. Methyltrichlosilanum (CHzSiCl3, MTS) ut fontem silicii adhibitum, tegumentum SiC praeparatur...
Plura lege
Structura carburi silicii
ab administratore die XXII mensis Augusti, anno XXX
Tres genera praecipua polymorphorum carburi silicii Sunt circiter 250 formae crystallinae carburi silicii. Quia carburum silicii seriem polytyporum homogeneorum cum simili structura crystallina habet, carburum silicii proprietates polycrystallini homogenei habet. Carburum silicii (Mosanitum)...
Plura lege
Status investigationis circuitus integrati SiC
ab administratore die XXII mensis Augusti, anno XXIII
Diversa a machinis discretis S1C quae proprietates altae tensionis, altae potentiae, altae frequentiae et altae temperaturae consequuntur, finis investigationis circuitus integrati SiC praecipue est circuitum digitale altae temperaturae pro circuitu moderationis circuitorum integratorum potentiae intelligentium obtinere. Ut circuitus integratus SiC pro...
Plura lege
Usus instrumentorum SiC in ambitu altae temperaturae
ab administratore die XXII mensis Augusti, anno XXIII
In apparatu aëronautico et autocinetico, instrumenta electronica saepe temperaturis altis operantur, ut in machinis aeroplanorum, machinis autocinetorum, navibus spatialibus in missionibus prope solem, et apparatu temperaturae altae in satellitibus. Utere consuetis machinis Si vel GaAs, quia non temperaturis altissimis operantur, ita...
Plura lege
Superficies semiconductrices tertiae generationis - SiC (carburi silicii) et applicationes eorum
ab administratore die XXII mensis Augusti, anno XXIII
SiC, ut novum genus materiae semiconductricis, propter excellentes proprietates physicas et ... materia semiconductrix maximi momenti facta est ad fabricationem instrumentorum optoelectronicorum brevis undae, instrumentorum altae temperaturae, instrumentorum resistentiae radiationis, et instrumentorum electronicorum magnae potentiae.
Plura lege
Usus carburi silicii
ab administratore die XXII mensis Augusti, anno XXIII
Carburum silicii etiam ut arena chalybis aureae vel arena refractaria appellatur. Carburum silicii ex arena quartzosa, carbone petrolei (vel carbone carbonis), fragmentis ligneis (productio carburi silicii viridis salem addere debet) et aliis materiis crudis in furno resistentiae per fusionem altae temperaturae fit. Nunc...
Plura lege