Новости

Автоматизированный процесс производства реакторов
администратором 22.09.17
Компания Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. — высокотехнологичное предприятие, основанное в Китае, специализирующееся на передовых материальных технологиях и автомобильной продукции. Мы являемся профессиональным производителем и поставщиком с собственным заводом и отделом продаж.
Читать далее
В Америку были отправлены два электрических вакуумных насоса.
администратором 22.09.14

Читать далее
Графитовый войлок был отправлен во Вьетнам.
администратором 22.09.14

Читать далее
Устойчивое к окислению покрытие из карбида кремния (SiC) было получено на поверхности графита методом химического осаждения из газовой фазы (CVD).
администратором 22.09.14
Покрытие из карбида кремния (SiC) может быть получено методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), путем преобразования прекурсоров, плазменного напыления и т. д. Покрытие, полученное методом химического осаждения из паровой фазы, является однородным и плотным, а также обладает хорошими возможностями для проектирования. Используя метилтрихлосилан (CH₃SiCl₃, MTS) в качестве источника кремния, получают покрытие из SiC...
Читать далее
Структура карбида кремния
администратором 22.08.30
Три основных типа полиморфов карбида кремния. Существует около 250 кристаллических форм карбида кремния. Поскольку карбид кремния имеет ряд однородных полиморфов со схожей кристаллической структурой, он обладает характеристиками однородного поликристаллического материала. Карбид кремния (мозанит)...
Читать далее
Состояние исследований интегральных схем на основе карбида кремния
администратором 22.08.23
В отличие от дискретных устройств на основе карбида кремния (S1C), которые стремятся к высоким напряжениям, высокой мощности, высокой частоте и высоким температурам, основной целью исследований в области интегральных схем на основе карбида кремния (SiC) является получение высокотемпературных цифровых схем для интеллектуальных схем управления питанием. Поскольку интегральные схемы на основе SiC предназначены для...
Читать далее
Применение устройств на основе карбида кремния в условиях высоких температур
администратором 22.08.23
В аэрокосмической и автомобильной технике электроника часто работает при высоких температурах, например, в авиационных двигателях, автомобильных двигателях, космических аппаратах, работающих вблизи Солнца, и высокотемпературном оборудовании спутников. Используются обычные кремниевые (Si) или арсенид галлия (GaAs) устройства, поскольку они не работают при очень высоких температурах, поэтому...
Читать далее
Полупроводниковые устройства третьего поколения на основе поверхностного карбида кремния (SiC) и их применение.
администратором 22.08.23
Благодаря своим превосходным физическим и химическим свойствам, карбид кремния (SiC), как новый тип полупроводникового материала, стал важнейшим полупроводниковым материалом для производства коротковолновых оптоэлектронных устройств, высокотемпературных устройств, устройств, устойчивых к радиации, и мощных/высоковольтных электронных устройств...
Читать далее
Использование карбида кремния
администратором 22.08.23
Карбид кремния также известен как золото-стальной песок или огнеупорный песок. Карбид кремния получают из кварцевого песка, нефтяного кокса (или угольного кокса), древесной щепы (для производства зеленого карбида кремния необходимо добавлять соль) и других сырьевых материалов в резистивной печи методом высокотемпературной плавки. В настоящее время...
Читать далее