Lajme

Procesi automatik i prodhimit të reaktorit
nga admin më 22-09-17
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. është një ndërmarrje e teknologjisë së lartë e themeluar në Kinë, e fokusuar në Teknologjinë e Materialeve të Avancuara dhe produktet e automobilave. Ne jemi prodhues dhe furnizues profesionistë me fabrikën dhe ekipin tonë të shitjeve.
Lexo më shumë
Dy pompa elektrike vakumi u dërguan në Amerikë
nga admin më 22-09-14

Lexo më shumë
Ndjesia e grafitit u dërgua në Vietnam
nga admin më 22-09-14

Lexo më shumë
Veshje rezistente ndaj oksidimit SiC u përgatit në sipërfaqen e grafitit me anë të procesit CVD
nga admin më 22-09-14
Veshje SiC mund të përgatitet me anë të depozitimit kimik të avullit (CVD), transformimit të prekursorit, spërkatjes me plazmë, etj. Veshje e përgatitur me anë të depozitimit KIMIK të avullit është uniforme dhe kompakte, dhe ka mundësi të projektimit të mirë. Duke përdorur metil triklosilan (CH2SiCl3, MTS) si burim silikoni, përgatitja e veshjes SiC...
Lexo më shumë
Struktura e karbidit të silikonit
nga admin më 22-08-30
Tre lloje kryesore të polimorfeve të karbidit të silicit Ekzistojnë rreth 250 forma kristalore të karbidit të silicit. Meqenëse karbidi i silicit ka një seri politipesh homogjene me strukturë kristalore të ngjashme, karbidi i silicit ka karakteristikat e polikristalinit homogjen. Karbidi i silicit (Mosaniti)...
Lexo më shumë
Statusi i hulumtimit të qarkut të integruar SiC
nga admin më 22-08-23
Ndryshe nga pajisjet diskrete S1C të cilat ndjekin karakteristika të tensionit të lartë, fuqisë së lartë, frekuencës së lartë dhe temperaturës së lartë, qëllimi i kërkimit të qarkut të integruar SiC është kryesisht të përftojë qark dixhital me temperaturë të lartë për qarkun inteligjent të kontrollit të qarqeve të integruara të energjisë. Si qark i integruar SiC për...
Lexo më shumë
Zbatimi i pajisjeve SiC në mjedise me temperaturë të lartë
nga admin më 22-08-23
Në pajisjet hapësinore dhe automobilistike, elektronika shpesh funksionon në temperatura të larta, siç janë motorët e avionëve, motorët e makinave, anijet kozmike në misione pranë diellit dhe pajisjet me temperaturë të lartë në satelitë. Përdorni pajisjet e zakonshme Si ose GaAs, sepse ato nuk funksionojnë në temperatura shumë të larta, kështu që...
Lexo më shumë
Pajisjet sipërfaqësore gjysmëpërçuese të gjeneratës së tretë - SiC (karbit silikoni) dhe zbatimet e tyre
nga admin më 22-08-23
Si një lloj i ri i materialit gjysmëpërçues, SiC është bërë materiali gjysmëpërçues më i rëndësishëm për prodhimin e pajisjeve optoelektronike me gjatësi vale të shkurtër, pajisjeve me temperaturë të lartë, pajisjeve me rezistencë ndaj rrezatimit dhe pajisjeve elektronike me fuqi të lartë/fuqi të lartë për shkak të karakteristikave të tij të shkëlqyera fizike dhe...
Lexo më shumë
Përdorimi i karbidit të silikonit
nga admin më 22-08-23
Karbidi i silikonit njihet edhe si rërë çeliku ari ose rërë zjarrduruese. Karbidi i silikonit prodhohet nga rëra kuarci, koksi i naftës (ose koksi i qymyrit), ashkla druri (prodhimi i karbidit të silikonit të gjelbër kërkon shtimin e kripës) dhe lëndëve të tjera të para në furrën e rezistencës me anë të shkrirjes në temperaturë të lartë. Aktualisht...
Lexo më shumë