সংবাদ

স্বয়ংক্রিয় চুল্লি উৎপাদন প্রক্রিয়া
অ্যাডমিন কর্তৃক ২২-০৯-১৭ তারিখে
নিংবো ভিইটি এনার্জি টেকনোলজি কোং, লিমিটেড চীনে প্রতিষ্ঠিত একটি উচ্চ-প্রযুক্তি সংস্থা, যা উন্নত উপাদান প্রযুক্তি এবং স্বয়ংচালিত পণ্যের উপর মনোনিবেশ করে। আমরা আমাদের নিজস্ব কারখানা এবং বিক্রয় দল সহ একজন পেশাদার প্রস্তুতকারক এবং সরবরাহকারী।
আরও পড়ুন
দুটি বৈদ্যুতিক ভ্যাকুয়াম পাম্প আমেরিকায় পাঠানো হয়েছিল।
অ্যাডমিন কর্তৃক ২২-০৯-১৪ তারিখে

আরও পড়ুন
গ্রাফাইট ফেল্ট ভিয়েতনামে পাঠানো হয়েছিল
অ্যাডমিন কর্তৃক ২২-০৯-১৪ তারিখে

আরও পড়ুন
CVD প্রক্রিয়ার মাধ্যমে গ্রাফাইট পৃষ্ঠে SiC জারণ-প্রতিরোধী আবরণ তৈরি করা হয়েছিল।
অ্যাডমিন কর্তৃক ২২-০৯-১৪ তারিখে
রাসায়নিক বাষ্প জমা পদ্ধতি (CVD), প্রিকার্সর রূপান্তর, প্লাজমা স্প্রেয়িং ইত্যাদি পদ্ধতিতে SiC কোটিং তৈরি করা যায়। রাসায়নিক বাষ্প জমা পদ্ধতিতে তৈরি কোটিং সুষম ও নিরেট হয় এবং এর নকশাযোগ্যতা ভালো। সিলিকন উৎস হিসেবে মিথাইল ট্রাইক্লোসিলেন (CHzSiCl3, MTS) ব্যবহার করে SiC কোটিং প্রস্তুত করা হয়...
আরও পড়ুন
সিলিকন কার্বাইড কাঠামো
অ্যাডমিন কর্তৃক ২২-০৮-৩০ তারিখে
সিলিকন কার্বাইডের তিনটি প্রধান পলিমর্ফ প্রকার রয়েছে। সিলিকন কার্বাইডের প্রায় ২৫০টি স্ফটিকাকার রূপ আছে। যেহেতু সিলিকন কার্বাইডের একই রকম স্ফটিক কাঠামোযুক্ত একাধিক সমজাতীয় পলিটাইপ রয়েছে, তাই সিলিকন কার্বাইডের বৈশিষ্ট্য হলো এটি সমজাতীয় পলিক্রিস্টালাইন। সিলিকন কার্বাইড (মোসানাইট)...
আরও পড়ুন
SiC ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের গবেষণার অবস্থা
অ্যাডমিন কর্তৃক ২২-০৮-২৩ তারিখে
এস১সি (S1C) ডিসক্রিট ডিভাইসগুলো উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ ক্ষমতা, উচ্চ কম্পাঙ্ক এবং উচ্চ তাপমাত্রার বৈশিষ্ট্য অর্জন করে, কিন্তু এসআইসি (SiC) ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের গবেষণার মূল লক্ষ্য হলো ইন্টেলিজেন্ট পাওয়ার আইসি-র কন্ট্রোল সার্কিটের জন্য উচ্চ তাপমাত্রার ডিজিটাল সার্কিট তৈরি করা। এসআইসি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট হিসেবে...
আরও পড়ুন
উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে SiC ডিভাইসের প্রয়োগ
অ্যাডমিন কর্তৃক ২২-০৮-২৩ তারিখে
মহাকাশ ও স্বয়ংচালিত যন্ত্রপাতিতে ইলেকট্রনিক্স প্রায়শই উচ্চ তাপমাত্রায় কাজ করে, যেমন বিমানের ইঞ্জিন, গাড়ির ইঞ্জিন, সূর্যের কাছাকাছি অভিযানে থাকা মহাকাশযান এবং স্যাটেলাইটের উচ্চ-তাপমাত্রার সরঞ্জাম। এক্ষেত্রে প্রচলিত Si বা GaAs ডিভাইস ব্যবহার করা হয়, কারণ এগুলো খুব উচ্চ তাপমাত্রায় কাজ করে না, তাই...
আরও পড়ুন
তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর পৃষ্ঠ - SiC (সিলিকন কার্বাইড) ডিভাইস এবং তাদের প্রয়োগ
অ্যাডমিন কর্তৃক ২২-০৮-২৩ তারিখে
এক নতুন ধরনের সেমিকন্ডাক্টর উপাদান হিসেবে, SiC তার চমৎকার ভৌত ও রাসায়নিক বৈশিষ্ট্যের কারণে স্বল্প-তরঙ্গদৈর্ঘ্যের অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস, উচ্চ-তাপমাত্রার ডিভাইস, বিকিরণ-প্রতিরোধী ডিভাইস এবং উচ্চ-ক্ষমতার ইলেকট্রনিক ডিভাইস তৈরির জন্য সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ সেমিকন্ডাক্টর উপাদানে পরিণত হয়েছে।
আরও পড়ুন
সিলিকন কার্বাইডের ব্যবহার
অ্যাডমিন কর্তৃক ২২-০৮-২৩ তারিখে
সিলিকন কার্বাইড গোল্ড স্টিল স্যান্ড বা রিফ্র্যাক্টরি স্যান্ড নামেও পরিচিত। কোয়ার্টজ বালি, পেট্রোলিয়াম কোক (বা কয়লা কোক), কাঠের চিপস (গ্রিন সিলিকন কার্বাইড উৎপাদনে লবণ যোগ করতে হয়) এবং অন্যান্য কাঁচামালকে রেজিস্ট্যান্স ফার্নেসে উচ্চ তাপমাত্রায় গলানোর মাধ্যমে সিলিকন কার্বাইড তৈরি করা হয়। বর্তমানে...
আরও পড়ুন