Vijesti

Automatski proces proizvodnje reaktora
od strane administratora dana 22.09.2017.
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. je visokotehnološko preduzeće osnovano u Kini, fokusirano na naprednu tehnologiju materijala i automobilske proizvode. Mi smo profesionalni proizvođač i dobavljač sa vlastitom fabrikom i prodajnim timom.
Pročitajte više
Dvije električne vakuumske pumpe su poslane u Ameriku
od strane administratora dana 22.09.2014.

Pročitajte više
Grafitni filc je poslan u Vijetnam
od strane administratora dana 22.09.2014.

Pročitajte više
Premaz otporan na oksidaciju SiC-a pripremljen je na površini grafita CVD postupkom.
od strane administratora dana 22.09.2014.
SiC premaz se može pripremiti hemijskim taloženjem iz parne faze (CVD), transformacijom prekursora, plazma prskanjem itd. Premaz pripremljen HEMIJSKIM taloženjem iz parne faze je ujednačen i kompaktan, te ima dobru oblikovnost. Korištenjem metil triklosilana (CH2SiCl3, MTS) kao izvora silicija, priprema SiC premaza...
Pročitajte više
Struktura silicijum karbida
od strane administratora dana 22.08.2030.
Tri glavne vrste polimorfa silicijum karbida Postoji oko 250 kristalnih oblika silicijum karbida. Budući da silicijum karbid ima niz homogenih politipova sa sličnom kristalnom strukturom, silicijum karbid ima karakteristike homogenog polikristalnog oblika. Silicijum karbid (mozanit)...
Pročitajte više
Status istraživanja SiC integriranih kola
od strane administratora dana 22.08.23.
Za razliku od S1C diskretnih uređaja koji teže karakteristikama visokog napona, velike snage, visoke frekvencije i visoke temperature, cilj istraživanja SiC integriranog kola je uglavnom dobijanje digitalnog kola visoke temperature za inteligentna upravljačka kola za energetske integrisane sisteme. Kao SiC integrirano kolo za...
Pročitajte više
Primjena SiC uređaja u okruženju visokih temperatura
od strane administratora dana 22.08.23.
U vazduhoplovnoj i automobilskoj opremi, elektronika često radi na visokim temperaturama, kao što su motori aviona, motori automobila, svemirske letjelice na misijama blizu Sunca i oprema za visoke temperature u satelitima. Koristite uobičajene Si ili GaAs uređaje, jer oni ne rade na vrlo visokim temperaturama, tako da...
Pročitajte više
Poluprovodnički uređaji treće generacije sa površinom -SiC (silicijum karbid) i njihova primjena
od strane administratora dana 22.08.23.
Kao nova vrsta poluprovodničkog materijala, SiC je postao najvažniji poluprovodnički materijal za proizvodnju optoelektronskih uređaja kratkih talasnih dužina, uređaja za visoke temperature, uređaja otpornih na zračenje i elektronskih uređaja velike snage/velike snage zbog svojih odličnih fizičkih i ...
Pročitajte više
Upotreba silicijum karbida
od strane administratora dana 22.08.23.
Silicijum karbid je također poznat kao zlatni čelični pijesak ili vatrostalni pijesak. Silicijum karbid se proizvodi od kvarcnog pijeska, naftnog koksa (ili koksa od uglja), drvne sječke (za proizvodnju zelenog silicijum karbida potrebno je dodati sol) i drugih sirovina u otpornoj peći topljenjem na visokoj temperaturi. Trenutno...
Pročitajte više