Habarlar

Awtomatiki reaktor öndürmek prosesi
admin tarapyndan 22-09-17 senesinde
“Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd.” Hytaýda döredilen ýokary tehnologiýaly kärhana bolup, öňdebaryjy material tehnologiýalaryna we awtoulag önümlerine ünsi jemleýär. Biz öz fabrikamyz we satuw toparymyz bilen professional öndüriji we üpjün ediji.
Köpräk okaň
Amerika iki elektrik wakuum nasosy iberildi
admin tarapyndan 22-09-14 senesinde

Köpräk okaň
Grafit keçesi Wýetnama iberildi
admin tarapyndan 22-09-14 senesinde

Köpräk okaň
Grafit ýüzünde CVD usuly bilen SiC oksidlenmesine çydamly örtük taýýarlanyldy
admin tarapyndan 22-09-14 senesinde
SiC örtügini himiki bug çökündisi (CVD), prekursor öwrülmesi, plazma püskürtmesi we ş.m. arkaly taýýarlap bolýar. HIMIKI bug çökündisi arkaly taýýarlanan örtük birmeňzeş we ykjam bolup, gowy dizaýn mümkinçiligine eýedir. Kremniý çeşmesi hökmünde metil trihlosilan (CHzSiCl3, MTS) ulanylyp, SiC örtügini taýýarlaýan...
Köpräk okaň
Kremniý karbidiniň gurluşy
admin tarapyndan 22-08-30 senesinde
Kremniý karbidiniň polimorfynyň üç esasy görnüşi Kremniý karbidiniň takmynan 250 kristal görnüşi bar. Kremniý karbidiniň meňzeş kristal gurluşy bolan birmeňzeş politipler toplumy bolandygy sebäpli, kremniý karbidi birmeňzeş polikristal häsiýetlerine eýedir. Kremniý karbidi (Mosanit)...
Köpräk okaň
SiC integral mikrosxemasynyň ylmy ýagdaýy
admin tarapyndan 22-08-23 senesinde
Ýokary woltly, ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly we ýokary temperatura häsiýetlerini yzarlaýan S1C diskret enjamlaryndan tapawutlylykda, SiC integral mikrosxemasynyň ylmy maksady, esasan, akylly güýç mikrosxemalarynyň dolandyryş zynjyry üçin ýokary temperaturaly sanly zynjyry almakdyr. SiC integral mikrosxemasy hökmünde...
Köpräk okaň
SiC enjamlarynyň ýokary temperaturaly gurşawda ulanylmagy
admin tarapyndan 22-08-23 senesinde
Aerokosmos we awtoulag enjamlarynda elektronika köplenç ýokary temperaturada işleýär, mysal üçin, uçar hereketlendirijileri, awtoulag hereketlendirijileri, günüň golaýyndaky missiýalardaky kosmos gämileri we hemralardaky ýokary temperaturaly enjamlar. Adaty Si ýa-da GaAs enjamlaryny ulanyň, sebäbi olar örän ýokary temperaturada işlemeýär, şonuň üçin...
Köpräk okaň
Üçünji nesil ýarymgeçiriji ýüzli SiC (kremniý karbidi) enjamlary we olaryň ulanylyşy
admin tarapyndan 22-08-23 senesinde
Ýarymgeçiriji materialyň täze görnüşi hökmünde, SiC ajaýyp fiziki we tehniki häsiýetleri sebäpli gysga tolkunly optoelektron enjamlarynyň, ýokary temperaturaly enjamlarynyň, radiasiýa garşylykly enjamlarynyň we ýokary kuwwatly/ýokary kuwwatly elektron enjamlarynyň öndürilmegi üçin iň möhüm ýarymgeçiriji materiala öwrüldi...
Köpräk okaň
Kremniý karbidiniň ulanylyşy
admin tarapyndan 22-08-23 senesinde
Kremniý karbidi altyn polat çäge ýa-da oda çydamly çäge hökmünde hem bellidir. Kremniý karbidi kwars çägesinden, nebit koksyndan (ýa-da kömür koksyndan), agaç böleklerinden (ýaşyl kremniý karbidini öndürmek üçin duz goşmaly) we beýleki çig mallardan garşylyk peçinde ýokary temperatura eremek arkaly ýasalýar. Häzirki wagtda...
Köpräk okaň