Vijesti

Automatski proces proizvodnje reaktora
od administratora dana 22.09.2017.
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. je visokotehnološko poduzeće osnovano u Kini, usmjereno na naprednu tehnologiju materijala i automobilske proizvode. Mi smo profesionalni proizvođač i dobavljač s vlastitom tvornicom i prodajnim timom.
Pročitajte više
Dvije električne vakuumske pumpe poslane su u Ameriku
od administratora dana 22.09.2014.

Pročitajte više
Grafitni filc je poslan u Vijetnam
od administratora dana 22.09.2014.

Pročitajte više
Premaz otporan na oksidaciju SiC-a pripremljen je na površini grafita CVD postupkom.
od administratora dana 22.09.2014.
SiC premaz može se pripremiti kemijskim taloženjem iz parne faze (CVD), transformacijom prekursora, plazma raspršivanjem itd. Premaz pripremljen KEMIJSKIM taloženjem iz parne faze je ujednačen i kompaktan te ima dobru oblikovnost. Korištenjem metil triklosilana (CH2SiCl3, MTS) kao izvora silicija, priprema SiC premaza...
Pročitajte više
Struktura silicijevog karbida
od administratora dana 22.08.2030.
Tri glavne vrste polimorfa silicijevog karbida Postoji oko 250 kristalnih oblika silicijevog karbida. Budući da silicijev karbid ima niz homogenih politipova sa sličnom kristalnom strukturom, silicijev karbid ima karakteristike homogenog polikristalnog oblika. Silicijev karbid (mosanit)...
Pročitajte više
Status istraživanja SiC integriranog kruga
od administratora dana 22.08.23.
Za razliku od S1C diskretnih uređaja koji teže karakteristikama visokog napona, velike snage, visoke frekvencije i visoke temperature, cilj istraživanja SiC integriranog kruga je uglavnom dobivanje digitalnog kruga visoke temperature za inteligentne upravljačke krugove energetskih integriranih krugova. Kao SiC integrirani krug za...
Pročitajte više
Primjena SiC uređaja u okruženju visokih temperatura
od administratora dana 22.08.23.
U zrakoplovnoj i automobilskoj opremi, elektronika često radi na visokim temperaturama, kao što su zrakoplovni motori, automobilski motori, svemirske letjelice na misijama blizu Sunca i oprema za visoke temperature u satelitima. Koristite uobičajene Si ili GaAs uređaje, jer ne rade na vrlo visokim temperaturama, pa...
Pročitajte više
Poluvodičke komponente treće generacije s površinom -SiC (silicijev karbid) i njihova primjena
od administratora dana 22.08.23.
Kao nova vrsta poluvodičkog materijala, SiC je postao najvažniji poluvodički materijal za proizvodnju optoelektroničkih uređaja kratkih valnih duljina, uređaja za visoke temperature, uređaja otpornih na zračenje i elektroničkih uređaja velike snage/velike snage zbog svojih izvrsnih fizičkih i ...
Pročitajte više
Upotreba silicijevog karbida
od administratora dana 22.08.23.
Silicijev karbid poznat je i kao pijesak od zlatnog čelika ili vatrostalni pijesak. Silicijev karbid se proizvodi od kvarcnog pijeska, naftnog koksa (ili koksa od ugljena), drvne sječke (za proizvodnju zelenog silicijevog karbida potrebno je dodati sol) i drugih sirovina u otpornoj peći taljenjem na visokim temperaturama. Trenutno...
Pročitajte više