သတင်းများ

အလိုအလျောက် ဓာတ်ပေါင်းဖို ထုတ်လုပ်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်
၂၂-၀၉-၁၇ ရက်တွင် admin မှ
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. သည် တရုတ်နိုင်ငံတွင် တည်ထောင်ထားသော အဆင့်မြင့်နည်းပညာလုပ်ငန်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး အဆင့်မြင့်ပစ္စည်းနည်းပညာနှင့် မော်တော်ကားထုတ်ကုန်များကို အာရုံစိုက်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ကိုယ်ပိုင်စက်ရုံနှင့် အရောင်းအဖွဲ့ဖြင့် ပရော်ဖက်ရှင်နယ်ထုတ်လုပ်သူနှင့် ပေးသွင်းသူဖြစ်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
လျှပ်စစ်ဖုန်စုပ်စက်နှစ်ခုကို အမေရိကသို့ တင်ပို့ခဲ့သည်
၂၂-၀၉-၁၄ ရက်တွင် admin မှ

ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဂရပ်ဖိုက်အလွှာကို ဗီယက်နမ်သို့ တင်ပို့ခဲ့သည်
၂၂-၀၉-၁၄ ရက်တွင် admin မှ

ပိုပြီးဖတ်ပါ
SiC အောက်ဆီဒေးရှင်းဒဏ်ခံနိုင်သော အပေါ်ယံလွှာကို ဂရပ်ဖိုက်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် CVD လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသည်။
၂၂-၀၉-၁၄ ရက်တွင် admin မှ
SiC အပေါ်ယံလွှာကို ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (CVD)၊ ရှေ့ပြေးအသွင်ပြောင်းခြင်း၊ ပလာစမာဖြန်းခြင်း စသည်တို့ဖြင့် ပြင်ဆင်နိုင်သည်။ ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်းဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော အပေါ်ယံလွှာသည် တစ်ပြေးညီဖြစ်ပြီး ကျစ်လစ်သိပ်သည်းကာ ဒီဇိုင်းကောင်းမွန်သည်။ မီသိုင်း ထရိုင်ကလိုဆီလိန်း (CHzSiCl3, MTS) ကို ဆီလီကွန်ရင်းမြစ်အဖြစ် အသုံးပြုခြင်းဖြင့် SiC အပေါ်ယံလွှာပြင်ဆင်သည်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖွဲ့စည်းပုံ
၂၂-၀၈-၃၀ ရက်တွင် admin မှ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် polymorph အမျိုးအစားသုံးမျိုး ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ ပုံဆောင်ခဲပုံစံ ၂၅၀ ခန့်ရှိသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တွင် အလားတူပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံရှိသော တစ်သားတည်းဖြစ်သော polytype များစီးရီးရှိသောကြောင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တွင် တစ်သားတည်းဖြစ်သော polycrystalline ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများရှိသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (Mosanite)...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
SiC ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်း၏ သုတေသနအခြေအနေ
၂၂-၀၈-၂၃ ရက်တွင် admin မှ
မြင့်မားသောဗို့အား၊ မြင့်မားသောပါဝါ၊ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းနှင့် မြင့်မားသောအပူချိန်ဝိသေသလက္ခဏာများကို လိုက်စားသော S1C discrete devices များနှင့်မတူဘဲ၊ SiC ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်း၏ သုတေသနရည်မှန်းချက်မှာ အဓိကအားဖြင့် ဉာဏ်ရည်ထက်မြက်သော power ICs control circuit အတွက် မြင့်မားသောအပူချိန်ဒစ်ဂျစ်တယ်ပတ်လမ်းရရှိရန်ဖြစ်သည်။ SiC ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းအနေဖြင့်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင် SiC ကိရိယာများအသုံးချမှု
၂၂-၀၈-၂၃ ရက်တွင် admin မှ
အာကာသနှင့် မော်တော်ကားပစ္စည်းများတွင် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများသည် လေယာဉ်အင်ဂျင်များ၊ ကားအင်ဂျင်များ၊ နေအနီးတွင် မစ်ရှင်များပြုလုပ်နေသော အာကာသယာဉ်များနှင့် ဂြိုဟ်တုများရှိ အပူချိန်မြင့်ပစ္စည်းများကဲ့သို့သော မြင့်မားသောအပူချိန်များတွင် မကြာခဏလည်ပတ်လေ့ရှိသည်။ ပုံမှန် Si သို့မဟုတ် GaAs ကိရိယာများကို အသုံးပြုပါ၊ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ၎င်းတို့သည် အလွန်မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် အလုပ်မလုပ်သောကြောင့်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ
တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း မျက်နှာပြင် - SiC (ဆီလီကွန်ကာဗိုက်) ကိရိယာများနှင့် ၎င်းတို့၏ အသုံးချမှုများ
၂၂-၀၈-၂၃ ရက်တွင် admin မှ
SiC သည် ၎င်း၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် c ကြောင့် semiconductor ပစ္စည်းအမျိုးအစားအသစ်တစ်ခုအနေဖြင့် short-wavelength optoelectronic devices များ၊ အပူချိန်မြင့် devices များ၊ ရောင်ခြည်ခံနိုင်ရည်ရှိသော devices များနှင့် high power/high power electronic devices များ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အရေးကြီးဆုံး semiconductor ပစ္စည်းဖြစ်လာခဲ့သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အသုံးပြုမှု
၂၂-၀၈-၂၃ ရက်တွင် admin မှ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ရွှေသံမဏိသဲ သို့မဟုတ် မီးခံသဲဟုလည်း လူသိများသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ကွာ့ဇ်သဲ၊ ရေနံကိုကင်း (သို့မဟုတ် မီးသွေးကိုကင်း)၊ သစ်သားချစ်ပ်များ (အစိမ်းရောင်ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ထုတ်လုပ်ရန် ဆားထည့်ရန် လိုအပ်သည်) နှင့် အခြားကုန်ကြမ်းများကို အပူချိန်မြင့် ရောစပ်ခြင်းဖြင့် ခုခံမီးဖိုတွင် ပြုလုပ်သည်။ လက်ရှိတွင်...
ပိုပြီးဖတ်ပါ