SiC эпитаксиалдык бөлүктөр

SiC эпитаксиалдык өсүшү үчүн өркүндөтүлгөн жүрөк-кан тамыр ооруларына каршы каптоолор

Өтө жогорку кубаттуулуктагы жарым өткөргүч түзүлүштөрдүн өтө жогорку жылуулук стресси (1500°C - 1700°C) шарттарында иштөө процесстери үчүн ылайыкташтырылган, биздин CVD SiC жана TaC менен капталган планетардык сусцепторлорубуз, спутник дисктерибиз жана газ дефлекторлорубуз мыкты иштөө үчүн иштелип чыккан. Бөлүкчөлөрдүн пайда болушунун, беттин деградациясынын жана реактивдүү газдын оюлушунун (H₂, SiH₄, C₃H∯) алдын алуу үчүн иштелип чыккан биздин өркүндөтүлгөн каптамаларыбыз узак иштөө мөөнөтүн, мыкты кошулмаларды көзөмөлдөөнү жана пленканын жогорку калыңдыгынын бирдейлигин камсыз кылат.6 дюймдук жана 8 дюймдук SiC эпитаксиалдык пластиналары.

Өтө жогорку температурадагы туруктуулук

Катуу H₂/силан калыбына келтирүүчү чөйрөлөрдө 1700°C чейин термикалык жактан туруктуу.

Градиенттик CTE дал келүүсү

Тез термикалык циклдер учурунда каптаманын катмарланышын, микрожарылууларды жана чачырандылардын пайда болушун жок кылат.

8 дюймдук вафли таразасынын даярдыгы

Кийинки муундагы жогорку өндүрүмдүүлүктөгү SiC Epi реакторлору (LPE, Aixtron, Nuflare) үчүн ылайыкташтырылган тактыктагы CNC иштетүү.

Техникалык параметр	Техникалык мүнөздөмөнүн мааниси	Стандарттык / Сыноо ыкмасы
Каптоо материалынын параметрлери	CVD SiC / Тантал карбиди (TaC)	Жогорку тазалыктагы герметикалык катмар
Негизги субстрат	Тазаланган изостатикалык графит	Көп өлчөмдөгү аралашма < 5 ppm
Термикалык шокко туруктуулук	Дельта Т > 500°C жантайыңкы ылдамдык	Жарылбайт / сыйрылбайт
Беттин оройлугу (Ra)	≤ 0,4 мкм (Күзгү менен жылтыратылган)	Вафли жабышып калуусунун жана бөлүкчөлөрдүн пайда болушунун алдын алат