Si эпитаксиалдык бөлүктөр

Кремний эпитаксиясы үчүн CVD SiC менен капталган компоненттер (Si Epi)

Бир пластиналуу жана партиялуу Кремний Эпитаксиалдык Чөктүрүү Системалары үчүн тактык менен иштелип чыккан биздин CVD SiC капталган сусцепторлору, спутник дисктери жана жылуулук талаасынын компоненттери эң сонун жылуулук бирдейлигин жана нөлдүк газ бөлүнүп чыгуусун камсыз кылат. Жогорку тыгыздыктагы кубдук β-SiC каптоо катмары жогорку тазалыктагы графит субстратын толугу менен каптап, реактивдүү газдын оюлушунун (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) алдын алат жана жогорку температурада SiEpi иштетүүдө (1000°C - 1200°C) өтө төмөн металлдык кошулма деңгээлин (< 5 ppm) кепилдейт.

Жылуулук талаасынын бирдейлиги

Башкарылуучу эмиссия пластинанын четинен борборго чейинки так калыңдыктагы ырааттуулугун камсыз кылат.

HCl оюп түшүрүүгө туруктуулук

Камерадагы тазалоочу химиялык заттардан жана жылуулук соккуларынан ишенимдүү коргоону камсыз кылат.

OEM системасынын шайкештиги

200 мм/300 мм бир пластиналуу Epi аспаптарына (колдонмо материалдар, ASM) туура келгидей тактык менен CNC иштетилген.

Техникалык параметр	Техникалык мүнөздөмөнүн мааниси	Стандарттык / Сыноо ыкмасы
Каптоочу материал	CVD β-SiC (Куб фазасы)	Жогорку тыгыздыктагы кристаллдык түзүлүш
Субстрат материалы	Өтө таза изостатикалык графит	Тыгыздыгы: 1,82 - 1,88 г/см³
Химиялык тазалык	Жалпы кошулмалар < 5 ppm	GDMS сыналган
Каптаманын калыңдыгы	80 мкм - 150 мкм	Бирдейлик ≤ ±5%