Mpivarotra ambongadiny tsara any Shina, famolahana sy fanapoahana fasika amin'ny alalan'ny "abrasive polishing" vita amin'ny "silicon carbide" nano sic miaraka amin'ny "conductivity thermal" tsara.

Famaritana fohy:

Toerana niaviana:CHINE

Rafitra kristaly:Dingana FCCβ

Hakitroky:3.21 g/sm;

Hamafin'ny:Vickers 2500;

Haben'ny voamaina:2~10μm;

Fahadiovana simika:99.99995%;

Fahafahana hafanana:640J·kg-1·K-1;

Temperature Sublimation:2700℃;

Tanjaky ny felexural:415 Mpa (RT 4-Teboka);

Modulus an'ny Young:430 Gpa (fiolahana 4pt, 1300℃);

Fanitarana ny hafanana (CTE):4.5 10-6K-1;

Fitondran-tena mafana:300（W/MK）;

Alefaso mailaka aminay Sintomy amin'ny endrika PDF

Antsipirian'ny vokatra

Marika vokatra

Miaraka amin'ny fitantanana tsara, ny fahaiza-manao ara-teknika matanjaka ary ny fomba fiasa hentitra sy tsara dia tsara, dia manohy manome ny mpanjifanay kalitao ambony sy azo itokisana izahay, vidiny mirary ary mpamatsy tsara. Mikendry ny ho isan'ireo mpiara-miombon'antoka azo itokisana indrindra izahay ary hahazo fahafaham-po amin'ny mpivarotra ambongadiny tsara any Shina, famolahana sy fasika Silicon Carbide Nano.sentoMiaraka amin'ny Fitondran-tena Mafana Tsara, ny tanjonay faratampony dia ny ho marika ambony indrindra ary hitarika amin'ny maha-mpisava lalana anay. Matoky izahay fa hahazo ny fitokisan'ny mpanjifa ny traikefanay mahomby amin'ny famoronana fitaovana, maniry ny hiara-hiasa sy hiara-mamorona aminao mandritra ny fotoana maharitra tsara kokoa!
Miaraka amin'ny fitantanana tsara, ny fahaiza-manao ara-teknika matanjaka ary ny fomba fitantanana hentitra sy tsara dia tsara, dia manohy manome ny mpanjifanay kalitao avo lenta, vidiny mirary ary serivisy tsara izahay. Mikendry ny ho iray amin'ireo mpiara-miombon'antoka azo itokisana indrindra izahay ary hahazo ny fahafaham-ponao.Karbida silikônina sinoa, sentoNy tanjonay dia ny "hanome vokatra sy vahaolana amin'ny dingana voalohany ary serivisy tsara indrindra ho an'ny mpanjifanay, noho izany dia matoky izahay fa hahazo tombony amin'ny fiaraha-miasa aminay ianao". Raha liana amin'ny iray amin'ireo entanay ianao na te hiresaka momba ny kaomandy manokana, aza misalasala mifandray aminay. Manantena ny hanangana fifandraisana ara-barotra mahomby amin'ny mpanjifa vaovao manerana izao tontolo izao izahay tsy ho ela.
Mombamomba ny vokatra

Manome tolotra fanodinana SiC amin'ny alalan'ny fomba CVD eo amin'ny velaran'ny grafita, seramika ary fitaovana hafa ny orinasanay, mba hahafahan'ny entona manokana misy karbônina sy silikônina mihetsika amin'ny mari-pana avo mba hahazoana molekiola SiC madio avo lenta, izay apetraka eo amin'ny velaran'ny fitaovana voarakotra, ka mamorona sosona fiarovana SIC.

Endri-javatra fototra:

1. Fanoherana ny oksidasiona amin'ny mari-pana avo lenta:

mbola tena tsara ny fanoherana ny oksidasiona na dia avo dia avo aza ny mari-pana hatramin'ny 1600 C.

2. Fahadiovana avo lenta: vita amin'ny fametrahana etona simika ao anatin'ny fepetra klôro amin'ny mari-pana avo.

3. Fanoherana ny fahasimbana: hamafin'ny tany avo, velarana matevina, poti-javatra madinika.

4. Fanoherana ny harafesina: asidra, alkali, sira ary akora organika.

Ireo toetra mampiavaka ny CVD-SIC Coating

Toetra SiC-CVD
Rafitra kristaly	Dingana FCC β
hakitroky	g/sm³	3.21
hamafin'ny	Hamafin'ny Vickers	2500
Haben'ny voamaina	μm	2~10
Fahadiovana simika	%	99.99995
Fahafahana mafana	J·kg-1 ·K-1	640
Temperature Sublimation	℃	2700
Tanjaka Felexural	MPa (RT 4-teboka)	415
Modulus an'ny Young	Gpa (fiolahana 4pt, 1300℃)	430
Fanitarana ny hafanana (CTE)	10-6K-1	4.5
Fitondran-tena mafana	(W/mK)	300