Gudde Grousshandelshändler China Schleifpoléieren a Sandstrahlen Siliziumcarbid Nano Sic mat gudder thermescher Konduktivitéit

Kuerz Beschreiwung:


  • Ursprungsplaz:China
  • Kristallstruktur:FCCβ Phase
  • Dicht:3,21 g/cm²;
  • Härkeet:2500 Vickers;
  • Kärengréisst:2~10μm;
  • Chemesch Rengheet:99,99995%;
  • Hëtztkapazitéit:640J·kg-1·K-1;
  • Sublimatiounstemperatur:2700 ℃;
  • Felexural Stäerkt:415 MPa (RT 4-Punkt);
  • Young säi Modul:430 Gpa (4pt Biegung, 1300℃);
  • Thermesch Expansioun (CTE):4,5 10-6K-1;
  • Wärmeleitfäegkeet:300 (W/MK);
  • Produktdetailer

    Produkt Tags

    Mat eisem exzellente Management, staarker technescher Fäegkeet a strikter exzellenter Handhabungsprozedur bidden mir weiderhin eise Clienten renomméiert Topqualitéit, vernünfteg Verkafspräisser a super Fournisseuren. Mir zielen drop of, zu Äre vertrauenswierdegsten Partner ze gehéieren an Är Zefriddenheet mat gudde Grousshandelsverkeefer a China, Schleifpoléieren a Sandstrahlen, Siliziumkarbid Nano ze verdéngen.SicMat gudder thermescher Leetfäegkeet ass et eist Zil ëmmer, als Topmark ze klasséieren an och als Pionéier an eisem Beräich ze féieren. Mir si sécher, datt eis produktiv Erfahrung an der Produktioun vun Tools d'Vertraue vun de Clienten gewënnt. Mir wëlle mat Iech zesummeschaffen an eng nach besser laangfristeg Kooperatioun opbauen!
    Mat eisem exzellente Management, staarker technescher Fäegkeet a strikter exzellenter Handhabungsprozedur bidden mir weiderhin eise Clienten renomméiert Topqualitéit, vernünfteg Präisser a super Fournisseuren. Mir zielen drop of, ee vun Äre vertrauenswierdegsten Partner ze sinn an Är Zefriddenheet ze verdéngen.China Siliziumkarbid, SicEist Zil ass et, "éischt-Schrëtt-Produkter a Léisungen an de beschte Service fir eis Clienten ze liwweren, dofir si mir sécher, datt Dir e Margevirdeel duerch d'Zesummenaarbecht mat eis hutt". Wann Dir un enger vun eise Wueren interesséiert sidd oder eng personaliséiert Bestellung diskutéiere wëllt, da kontaktéiert eis gären. Mir freeën eis drop, an nächster Zukunft erfollegräich Geschäftsbezéiunge mat neie Clienten weltwäit opzebauen.
    Produktbeschreiwung

    Eis Firma bitt SiC-Beschichtungsprozessdéngschter mam CVD-Method op der Uewerfläch vu Graphit, Keramik an aner Materialien un, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéieren, fir héichreine SiC-Moleküle ze kréien, déi sech op der Uewerfläch vun de beschichtete Materialien ofsetzen an doduerch eng SIC-Schutzschicht bilden.

    Haaptmerkmale:

    1. Oxidatiounsbeständegkeet bei héijen Temperaturen:

    D'Oxidatiounsbeständegkeet ass ëmmer nach ganz gutt bei Temperaturen bis zu 1600 °C.

    2. Héich Rengheet: duerch chemesch Gasoflagerung ënner héijer Temperaturchloréierungsbedingung hiergestallt.

    3. Erosiounsbeständegkeet: héich Häert, kompakt Uewerfläch, fein Partikelen.

    4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenzien.

    Haaptspezifikatioune vun der CVD-SIC Beschichtung

    SiC-CVD Eegeschaften

    Kristallstruktur FCC β Phase
    Dicht g/cm³ 3.21
    Häert Vickers-Härkeet 2500
    Kärengréisst μm 2~10
    Chemesch Rengheet % 99.99995
    Hëtztkapazitéit J·kg-1 ·K-1 640
    Sublimatiounstemperatur 2700
    Felexural Stäerkt MPa (RT 4-Punkt) 415
    Young säi Modul Gpa (4pt Biegung, 1300℃) 430
    Thermesch Expansioun (CTE) 10-6K-1 4.5
    Wärmeleitfäegkeet (W/mK) 300

    1 2 3 4 5


  • Virdrun:
  • Weider:

  • WhatsApp Online Chat!