चीन के अच्छे थोक विक्रेता, अपघर्षक पॉलिशिंग और सैंडब्लास्टिंग सिलिकॉन कार्बाइड नैनो एसआईसी, उच्च तापीय चालकता के साथ।

संक्षिप्त वर्णन:


  • उत्पत्ति का स्थान:चीन
  • क्रिस्टल की संरचना :एफसीसीβ चरण
  • घनत्व :3.21 ग्राम/सेमी;
  • कठोरता:2500 विकर्स;
  • अनाज आकार:2~10 माइक्रोमीटर;
  • रासायनिक शुद्धता:99.99995%;
  • ताप की गुंजाइश :640 जूल·किग्रा-1·के-1;
  • ऊर्ध्वपातन तापमान:2700℃;
  • फ्लेक्सुरल स्ट्रेंथ :415 एमपीए (आरटी 4-पॉइंट);
  • यंग का मापांक:430 जीपीए (4 प्वाइंट बेंड, 1300℃);
  • तापीय विस्तार (सीटीई):4.5 10-6के-1;
  • ऊष्मीय चालकता:300(डब्ल्यू/एमके);
  • उत्पाद विवरण

    उत्पाद टैग

    अपने कुशल प्रबंधन, सशक्त तकनीकी क्षमता और सख्त उत्कृष्ट प्रबंधन प्रक्रिया के साथ, हम अपने ग्राहकों को उच्च गुणवत्ता वाले उत्पाद, उचित मूल्य और बेहतरीन सेवाएं प्रदान करना जारी रखते हैं। हमारा लक्ष्य आपके सबसे भरोसेमंद साझेदारों में से एक बनना और गुड होलसेल वेंडर्स चाइना एब्रेसिव पॉलिशिंग एंड सैंडब्लास्टिंग सिलिकॉन कार्बाइड नैनो के लिए आपकी संतुष्टि अर्जित करना है।इस प्रकार सेउत्कृष्ट तापीय चालकता के साथ, हमारा सर्वोच्च लक्ष्य हमेशा एक शीर्ष ब्रांड के रूप में स्थान प्राप्त करना और अपने क्षेत्र में अग्रणी बनना है। हमें विश्वास है कि उपकरण निर्माण में हमारा उत्पादक अनुभव ग्राहकों का विश्वास हासिल करेगा। हम आपके साथ सहयोग करने और दीर्घकालिक रूप से और भी बेहतर भविष्य बनाने की कामना करते हैं!
    अपने कुशल प्रबंधन, सशक्त तकनीकी क्षमता और सख्त गुणवत्ता प्रबंधन प्रक्रिया के साथ, हम अपने ग्राहकों को उच्च गुणवत्ता वाले उत्पाद, उचित मूल्य और बेहतरीन सेवाएं प्रदान करना जारी रखते हैं। हमारा लक्ष्य आपके सबसे भरोसेमंद साझेदारों में से एक बनना और आपकी संतुष्टि अर्जित करना है।चीन सिलिकॉन कार्बाइड, इस प्रकार सेहमारा उद्देश्य अपने ग्राहकों को सर्वोत्तम उत्पाद और समाधान तथा सर्वश्रेष्ठ सेवा प्रदान करना है, इसलिए हमें पूरा विश्वास है कि हमारे साथ सहयोग करने से आपको लाभ अवश्य होगा। यदि आप हमारे किसी भी उत्पाद में रुचि रखते हैं या किसी विशेष ऑर्डर पर चर्चा करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें। हम निकट भविष्य में दुनिया भर के नए ग्राहकों के साथ सफल व्यावसायिक संबंध बनाने के लिए उत्सुक हैं।
    उत्पाद वर्णन

    हमारी कंपनी ग्रेफाइट, सिरेमिक और अन्य सामग्रियों की सतह पर सीवीडी विधि द्वारा SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवाएं प्रदान करती है, जिससे कार्बन और सिलिकॉन युक्त विशेष गैसें उच्च तापमान पर प्रतिक्रिया करके उच्च शुद्धता वाले SiC अणु प्राप्त करती हैं, जो लेपित सामग्रियों की सतह पर जमा होकर SiC सुरक्षात्मक परत बनाते हैं।

    मुख्य विशेषताएं:

    1. उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध:

    1600 डिग्री सेल्सियस तक के उच्च तापमान पर भी इसकी ऑक्सीकरण प्रतिरोधक क्षमता बहुत अच्छी रहती है।

    2. उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनीकरण की स्थिति में रासायनिक वाष्प निक्षेपण द्वारा निर्मित।

    3. क्षरण प्रतिरोध: उच्च कठोरता, सघन सतह, महीन कण।

    4. संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, लवण और कार्बनिक अभिकर्मकों के प्रति प्रतिरोध।

    सीवीडी-एसआईसी कोटिंग की मुख्य विशिष्टताएँ

    SiC-CVD गुणधर्म

    क्रिस्टल की संरचना एफसीसी β चरण
    घनत्व ग्राम/सेमी³ 3.21
    कठोरता विकर्स कठोरता 2500
    अनाज आकार माइक्रोन 2~10
    रासायनिक शुद्धता % 99.99995
    ताप की गुंजाइश जे·किग्रा-1 ·के-1 640
    ऊर्ध्वपातन तापमान 2700
    फ्लेक्सुरल स्ट्रेंथ एमपीए (आरटी 4-पॉइंट) 415
    यंग का मापांक जीपीए (4 प्वाइंट बेंड, 1300℃) 430
    तापीय विस्तार (सीटीई) 10-6K -1 4.5
    ऊष्मीय चालकता (W/mK) 300

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