CVD-coating

CVD-coatings voor geavanceerde halfgeleiderverwerking

Onze coatings van siliciumcarbide (SiC), tantaalcarbide (TaC) en pyrolytisch koolstof (PyC), vervaardigd via chemische dampafzetting (CVD), zijn ontwikkeld voor kritische productieomgevingen in de halfgeleiderindustrie en bieden een uitstekende chemische inertheid, extreme thermische stabiliteit en ultrahoge zuiverheid (< 5 ppm). Onze geavanceerde coatings zijn ontworpen om hoogzuivere grafiet- en keramische substraten te beschermen tegen agressief plasma, reactieve procesgassen en hoge thermische cycli. Ze minimaliseren de deeltjesvorming en verlengen de levensduur van componenten aanzienlijk.Silicium/SiC-epitaxie, MOCVD, plasma-etsen en monokristalgroeitoepassingen.

Ultra-hoge zuiverheid (< 5 ppm)

GDMS-geverifieerd laag gehalte aan metaalverontreinigingen om waferverontreiniging in kritische processen te voorkomen.

Superieure plasma- en gasbestendigheid

De dichte kristallijne structuur beschermt tegen halogeenplasma (CF₄, NF₃, Cl₂) en corrosieve gassen.

Geoptimaliseerde thermische aanpassing

Strikte controle van de thermische uitzettingscoëfficiënt (CTE) voorkomt microscheurtjes en delaminatie van de coating bij extreme thermische schokken.

Coatingtype	Belangrijk technisch voordeel	Primaire procesapplicatie
CVD SiC-coating	Hoge thermische geleidbaarheid, uitstekende weerstand tegen plasma-erosie.	Droogetsen, Si-epitaxie, MOCVD, kristalgroei
CVD TaC-coating	Extreem hoge temperatuurbestendigheid (>2000 °C), H₂/SiH₄-corrosiebarrière	SiC-epitaxie, PVT-groei van eenkristallijn SiC
PyC-coating	Hermetische gasafdichting, ultraglad anisotroop koolstofoppervlak	Thermische veldisolatie, CZ monokristallijn silicium