Vat susceptor voor vloeibare fase-epitaxie LPE

Vat susceptor voor vloeibare fase epitaxie LPE

EPI (Epitaxie)Dit is een cruciaal proces bij de productie van geavanceerde halfgeleiders. Het omvat het afzetten van dunne materiaallagen op een substraat om complexe apparaatstructuren te creëren. SiC-gecoate grafietvatvormige susceptoren voor EPI worden vaak gebruikt als susceptoren in EPI-reactoren vanwege hun uitstekende thermische geleidbaarheid en weerstand tegen hoge temperaturen.CVD-SiC-coatingHierdoor wordt het beter bestand tegen vervuiling, erosie en thermische schokken. Dit resulteert in een langere levensduur van de susceptor en een verbeterde filmkwaliteit.

Voordelen van onze vatvormige susceptor voor vloeistoffase-epitaxie (LPE):
Verminderde verontreiniging:De inerte aard van SiC voorkomt dat onzuiverheden zich aan het oppervlak van de susceptor hechten, waardoor het risico op verontreiniging van de afgezette films wordt verminderd.
Verhoogde erosiebestendigheid:SiC is aanzienlijk beter bestand tegen erosie dan conventioneel grafiet, wat leidt tot een langere levensduur van de susceptor.
Verbeterde thermische stabiliteit:SiC heeft een uitstekende thermische geleidbaarheid en kan hoge temperaturen weerstaan ​​zonder noemenswaardige vervorming.
Verbeterde filmkwaliteit:De verbeterde thermische stabiliteit en verminderde verontreiniging resulteren in hoogwaardigere afgezette films met een betere uniformiteit en diktecontrole.