SiC ਕੋਟਿੰਗ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ MOCVD ਵੇਫਰ ਕੈਰੀਅਰ, SiC ਐਪੀਟੈਕਸੀ ਲਈ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਸੈਪਟਰ,
ਕਾਰਬਨ ਸਪਲਾਈ ਸੰਵੇਦਕ, ਐਪੀਟੈਕਸੀ ਸਸੈਪਟਰ, ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਸੈਪਟਰ ਸਪਲਾਈ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਵੇਫਰ ਸਸੈਪਟਰ,

CVD-SiC ਕੋਟਿੰਗ ਵਿੱਚ ਇੱਕਸਾਰ ਬਣਤਰ, ਸੰਖੇਪ ਸਮੱਗਰੀ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ, ਐਸਿਡ ਅਤੇ ਖਾਰੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਜੈਵਿਕ ਰੀਐਜੈਂਟ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ, ਸਥਿਰ ਭੌਤਿਕ ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਗੁਣਾਂ ਦੇ ਨਾਲ।

ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ, ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ 400C 'ਤੇ ਆਕਸੀਡਾਈਜ਼ ਕਰਨਾ ਸ਼ੁਰੂ ਕਰ ਦਿੰਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਆਕਸੀਕਰਨ ਕਾਰਨ ਪਾਊਡਰ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਿਸਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਪੈਰੀਫਿਰਲ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਅਤੇ ਵੈਕਿਊਮ ਚੈਂਬਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਾਤਾਵਰਣ ਪ੍ਰਦੂਸ਼ਣ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਦੀਆਂ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਵਧਦੀਆਂ ਹਨ।

ਹਾਲਾਂਕਿ, SiC ਕੋਟਿੰਗ 1600 ਡਿਗਰੀ 'ਤੇ ਭੌਤਿਕ ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਸਥਿਰਤਾ ਬਣਾਈ ਰੱਖ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਇਹ ਆਧੁਨਿਕ ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ, ਖਾਸ ਕਰਕੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

ਸਾਡੀ ਕੰਪਨੀ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ, ਸਿਰੇਮਿਕਸ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ CVD ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ SiC ਕੋਟਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸੇਵਾਵਾਂ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਕਾਰਬਨ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵਾਲੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਗੈਸਾਂ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਕਰਕੇ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ SiC ਅਣੂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਣ, ਕੋਟੇਡ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਜਮ੍ਹਾਂ ਅਣੂ, SIC ਸੁਰੱਖਿਆ ਪਰਤ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ। ਬਣਿਆ SIC ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਬੇਸ ਨਾਲ ਮਜ਼ਬੂਤੀ ਨਾਲ ਜੁੜਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਬੇਸ ਨੂੰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਗੁਣ ਮਿਲਦੇ ਹਨ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ ਸੰਖੇਪ, ਪੋਰੋਸਿਟੀ-ਮੁਕਤ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਬਣ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।

ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ:

1. ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ:

ਜਦੋਂ ਤਾਪਮਾਨ 1700 ਸੈਲਸੀਅਸ ਤੱਕ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਜੇ ਵੀ ਬਹੁਤ ਵਧੀਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

2. ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ: ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਕਲੋਰੀਨੇਸ਼ਨ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾਂ ਕਰਕੇ ਬਣਾਇਆ ਗਿਆ।

3. ਕਟੌਤੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ, ਸੰਖੇਪ ਸਤ੍ਹਾ, ਬਰੀਕ ਕਣ।

4. ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: ਐਸਿਡ, ਖਾਰੀ, ਨਮਕ ਅਤੇ ਜੈਵਿਕ ਰੀਐਜੈਂਟ।

CVD-SIC ਕੋਟਿੰਗਾਂ ਦੀਆਂ ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ:

ਸਪਲਾਈ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ:

10000 ਟੁਕੜਾ/ਪੀਸ ਪ੍ਰਤੀ ਮਹੀਨਾ
ਪੈਕੇਜਿੰਗ ਅਤੇ ਡਿਲੀਵਰੀ:
ਪੈਕਿੰਗ: ਮਿਆਰੀ ਅਤੇ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਪੈਕਿੰਗ
ਪੌਲੀ ਬੈਗ + ਡੱਬਾ + ਡੱਬਾ + ਪੈਲੇਟ
ਪੋਰਟ:
ਨਿੰਗਬੋ/ਸ਼ੇਨਜ਼ੇਨ/ਸ਼ੰਘਾਈ
ਮੇਰੀ ਅਗਵਾਈ ਕਰੋ: