SiC ڪوٽنگ گريفائيٽ MOCVD ويفر ڪيريئر، SiC ايپيٽيڪسي لاءِ گريفائيٽ سسپيٽر،
ڪاربن سپلاءِ سسپيٽرز, ايپيٽيڪسي سسپٽرز, گريفائيٽ سسپيٽر فراهم ڪري ٿو, گريفائيٽ ويفر سسپيٽر,

CVD-SiC ڪوٽنگ ۾ هڪجهڙائي جي بناوت، ڪمپيڪٽ مواد، اعليٰ گرمي پد جي مزاحمت، آڪسائيڊيشن مزاحمت، اعليٰ پاڪائي، تيزاب ۽ الڪلي مزاحمت ۽ نامياتي ري ايجنٽ جون خاصيتون آهن، مستحڪم جسماني ۽ ڪيميائي ملڪيتن سان.

اعليٰ پاڪائي واري گريفائيٽ مواد جي مقابلي ۾، گريفائيٽ 400C تي آڪسائيڊ ٿيڻ شروع ڪري ٿو، جيڪو آڪسائيڊيشن جي ڪري پائوڊر جو نقصان پهچائيندو، جنهن جي نتيجي ۾ پردي جي ڊوائيسز ۽ ويڪيوم چيمبرن ۾ ماحولياتي آلودگي ٿيندي، ۽ اعليٰ پاڪائي واري ماحول جي نجاست ۾ اضافو ٿيندو.

جڏهن ته، SiC ڪوٽنگ 1600 درجن تي جسماني ۽ ڪيميائي استحڪام برقرار رکي سگهي ٿي، اهو جديد صنعت ۾ وڏي پيماني تي استعمال ٿيندو آهي، خاص طور تي سيمي ڪنڊڪٽر انڊسٽري ۾.

اسان جي ڪمپني گريفائٽ، سيرامڪس ۽ ٻين مواد جي مٿاڇري تي CVD طريقي سان SiC ڪوٽنگ پروسيس سروسز فراهم ڪري ٿي، ته جيئن ڪاربان ۽ سلڪون تي مشتمل خاص گيسون تيز گرمي پد تي رد عمل ڪندي اعليٰ پاڪائي واري SiC ماليڪيول حاصل ڪن، ڪوٽيڊ مواد جي مٿاڇري تي جمع ٿيل ماليڪيول، SIC حفاظتي پرت ٺاهيندا آهن. ٺهيل SIC مضبوطيءَ سان گريفائٽ بيس سان ڳنڍيل آهي، گريفائٽ بيس کي خاص خاصيتون ڏئي ٿو، اهڙيءَ طرح گريفائٽ جي مٿاڇري کي ڪمپيڪٽ، پورسيٽي فري، اعليٰ درجه حرارت جي مزاحمت، سنکنرن جي مزاحمت ۽ آڪسائيڊيشن مزاحمت بڻائي ٿو.

مکيه خاصيتون:

1. تيز گرمي پد جي آڪسائيڊشن مزاحمت:

جڏهن گرمي پد 1700 سينٽي گريڊ کان وڌيڪ هوندو آهي ته آڪسائيڊشن جي مزاحمت اڃا به تمام سٺي هوندي آهي.

2. اعليٰ پاڪائي: اعليٰ درجه حرارت ڪلورينيشن جي حالت ۾ ڪيميائي بخارات جي جمع سان ٺهيل.

3. ڪٽڻ جي مزاحمت: وڏي سختي، ٺوس مٿاڇري، نفيس ذرات.

4. سنکنرن جي مزاحمت: تيزاب، الڪلي، لوڻ ۽ نامياتي ريجنٽ.

CVD-SIC ڪوٽنگن جون مکيه وضاحتون:

فراهمي جي صلاحيت:

10000 ٽڪرو/ٽڪرا في مهيني
پيڪنگ ۽ پهچائڻ:
پيڪنگ: معياري ۽ مضبوط پيڪنگ
پولي بيگ + دٻو + ڪارٽون + پيليٽ
پورٽ:
نگبو / شينزين / شنگھائي
اهم وقت: