ថាស​ក្រាហ្វីត MOCVD ស្រោប SiC, ឧបករណ៍​ទទួល​សញ្ញា​ក្រាហ្វីត​សម្រាប់ SiC Epitaxy,
កាបូនផ្គត់ផ្គង់សារធាតុស្រូបយក, អ្នកទទួល epitaxy, ក្រាហ្វីតផ្គត់ផ្គង់សារធាតុស្រូបយក, ឧបករណ៍​ទទួល​រង​បន្ទះ​ក្រាហ្វីត,

ថ្នាំកូត CVD-SiC មានលក្ខណៈនៃរចនាសម្ព័ន្ធឯកសណ្ឋាន សម្ភារៈបង្រួម ធន់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ធន់នឹងអុកស៊ីតកម្ម ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ធន់នឹងអាស៊ីត និងអាល់កាឡាំង និងសារធាតុប្រតិកម្មសរីរាង្គ ជាមួយនឹងលក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្ត និងគីមីដែលមានស្ថេរភាព។

បើប្រៀបធៀបជាមួយវត្ថុធាតុក្រាហ្វីតដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ក្រាហ្វីតចាប់ផ្តើមកត់សុីនៅសីតុណ្ហភាព 400អង្សាសេ ដែលនឹងបណ្តាលឱ្យបាត់បង់ម្សៅដោយសារតែអុកស៊ីតកម្ម ដែលបណ្តាលឱ្យមានការបំពុលបរិស្ថានដល់ឧបករណ៍គ្រឿងកុំព្យូទ័រ និងបន្ទប់បូមធូលី និងបង្កើនភាពមិនបរិសុទ្ធនៃបរិស្ថានដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់។

ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ ថ្នាំកូត SiC អាចរក្សាស្ថេរភាពរូបវន្ត និងគីមីនៅសីតុណ្ហភាព 1600 ដឺក្រេ វាត្រូវបានគេប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងឧស្សាហកម្មទំនើប ជាពិសេសនៅក្នុងឧស្សាហកម្មស៊ីមីកុងដុកទ័រ។

ក្រុមហ៊ុនរបស់យើងផ្តល់សេវាកម្មដំណើរការថ្នាំកូត SiC ដោយវិធីសាស្ត្រ CVD លើផ្ទៃក្រាហ្វីត សេរ៉ាមិច និងសម្ភារៈផ្សេងៗទៀត ដូច្នេះឧស្ម័នពិសេសដែលមានផ្ទុកកាបូន និងស៊ីលីកុនមានប្រតិកម្មនៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ដើម្បីទទួលបានម៉ូលេគុល SiC ដ៏បរិសុទ្ធខ្ពស់ ម៉ូលេគុលដែលដាក់នៅលើផ្ទៃនៃសម្ភារៈថ្នាំកូត បង្កើតជាស្រទាប់ការពារ SIC។ SIC ដែលបង្កើតឡើងត្រូវបានភ្ជាប់យ៉ាងរឹងមាំទៅនឹងមូលដ្ឋានក្រាហ្វីត ដែលផ្តល់ឱ្យមូលដ្ឋានក្រាហ្វីតនូវលក្ខណៈសម្បត្តិពិសេស ដោយហេតុនេះធ្វើឱ្យផ្ទៃក្រាហ្វីតមានសភាពតូច គ្មានរន្ធញើស ធន់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ធន់នឹងការច្រេះ និងធន់នឹងអុកស៊ីតកម្ម។

លក្ខណៈពិសេសចម្បង៖

១. ភាពធន់នឹងអុកស៊ីតកម្មសីតុណ្ហភាពខ្ពស់៖

ភាពធន់នឹងអុកស៊ីតកម្មនៅតែល្អណាស់នៅពេលដែលសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ដល់ 1700 អង្សាសេ។

2. ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់៖ ផលិតឡើងដោយការដាក់ចំហាយគីមីក្រោមលក្ខខណ្ឌក្លរីនសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។

៣. ធន់នឹងសំណឹក៖ រឹងខ្ពស់ ផ្ទៃតូច ភាគល្អិតល្អ។

៤. ភាពធន់នឹងការច្រេះ៖ អាស៊ីត អាល់កាឡាំង អំបិល និងសារធាតុសរីរាង្គ។

លក្ខណៈបច្ចេកទេសសំខាន់ៗនៃថ្នាំកូត CVD-SIC៖

សមត្ថភាពផ្គត់ផ្គង់៖

១០០០០ ដុំ/ដុំក្នុងមួយខែ
ការវេចខ្ចប់ និងការដឹកជញ្ជូន៖
ការវេចខ្ចប់៖ ការវេចខ្ចប់ស្តង់ដារ និងរឹងមាំ
ថង់ពហុ + ប្រអប់ + កេស + បន្ទះឈើ
កំពង់ផែ៖
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
ពេលវេលានាំមុខ៖